硅晶太阳能电池结构制造技术

本发明专利技术公开了一种硅晶太阳能电池结构，包括硅晶基板、位于硅晶基板的表面内的磷扩散掺杂层、位于硅晶基板的表面上的钝化层、介于钝化层与硅晶基板内的磷扩散掺杂层之间的含磷氧化层、以及位于硅晶基板的表面并穿过钝化层与含磷氧化层的电极。

【技术实现步骤摘要】
硅晶太阳能电池结构
本专利技术是有关于一种太阳能电池结构，且特别是有关于一种硅晶太阳能电池结构。
技术介绍
近年来因环境污染而导致的全球气候温度异常，因此永续洁净的能源需求问题迅速受到全球各国高度重视。其中太阳能无疑是最大无碳能源的供给来源，而太阳能电池为一种可直接将太阳光能转换为电能的光电转换元件。根据EPIA于全球太阳能电池市占率统计，娃晶(Crystalline Silicon)太阳能电池占最大比例。传统的硅晶太阳能电池的制造方法至少有以下8道程序，请见图1。首先第I道程序是晶片100的表面织化(texture)工艺，通常对于单晶硅晶片进行碱蚀刻，对于多晶硅晶片则是以酸蚀刻的方式来进行;第2道程序是晶片清洗，晶片清洗主要是把表面织化工艺后，残留在晶片100表面IOOa的物质给去除掉；再来第3道程序就是进行磷扩散，磷扩散主要是在p-type晶片100形成n_type发射极102,形成PN接面二极管,其工艺通常是在晶片100表面IOOa沉积一层P2O5层再进行高温氧化热扩散，进而形成含磷氧化物层104 (此层包含P2O5层与SiO2:P);接下来第4道程序的工艺为背面IOO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅晶太阳能电池结构，其特征在于，包括硅晶基板；磷扩散掺杂层，位于该硅晶基板的表面内;钝化层，位于该硅晶基板的该表面上；含磷氧化层，介于该硅晶基板内的该磷扩散掺杂层与该钝化层之间；以及电极，位于该硅晶基板的该表面并穿过该钝化层与该含磷氧化层，而使该电极与该硅晶基板内的该磷扩散掺磷层接触。

【技术特征摘要】
2013.02.08 TW 1021051631.一种硅晶太阳能电池结构，其特征在于，包括 娃晶基板； 磷扩散掺杂层，位于该娃晶基板的表面内； 钝化层，位于该娃晶基板的该表面上； 含磷氧化层，介于该硅晶基板内的该磷扩散掺杂层与该钝化层之间；以及电极，位于该硅晶基板的该表面并穿过该钝化层与该含磷氧化层，而使该电极与该硅晶基板内的该磷扩散掺磷层接触。2.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，该含磷氧化层包括: P2O5层，与该钝化层接触；以及 SiO2 = P层，与该硅晶基板内的该磷扩散掺杂层接触。3.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，该含磷氧化层与该钝化层的总厚度在50nm至200nm之间。4.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，该含磷氧化层的厚度在5nm至40nm之间。5.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，该硅晶基板为P型基板，则该表面为该硅晶基板的正面、该电极为正面电极，且该钝化层同时作为抗反射层。6.如权利要求5所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，还包括背面电极，位于该硅晶基板的背面上。7.如权利要求1所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，该硅晶基板为N型基板，则该表面为该硅晶基板的背面且该电极为背面电极。8.如权利要求7所述的硅晶太阳能电池结构，其特征在于，还包括: 抗...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴德清，李立宇，杜政勋，陈秉群，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71