【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在衬底处理室中寄生等离子体的机械抑制 相关申请的交叉引用本申请要求于2011年11月23日提交的申请号为13/303，386美国专利技术申请的优先权和于2011年10月17日提交的申请号为61/547，962的美国临时申请的权益。上述申请的公开内容通过引用将其全部并入本文。
本专利技术涉及处理室，并且更具体地涉及用于减少在等离子体增强半导体处理室中的寄生等离子体的系统和方法。
技术介绍
本文提供的
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描述是为了总体上呈现本专利技术的上下文的目的。在本
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部分以及本说明书的各方面中所描述的范围内的目前署名的专利技术人的工作，在提交申请时不能作为现有技术的描述的方面，既没有明示也没有暗示地承认其作为相对于本专利技术的现有技术。当在处理室中沉积薄膜于衬底上时，一些半导体处理系统可以使用等离子体。通常，衬底被设置在处理室中的基座上。为了使用化学气相沉积产生薄膜，通过喷头供应一种或多种前体到处理室中。在处理过程中，可以供给射频(RF)功率至喷头或电极来产生等离子体。例如，可以供给RF功率至嵌入在基座台板中的电极，其可以由诸如陶瓷的非导电材料制成。基...
【技术保护点】
一种用于减少半导体处理中寄生等离子体的系统，其包括：第一表面；以及被设置在电极与所述第一表面之间的多个介电层，其中所述第一表面与所述电极具有显著不同的电势，其中所述多个介电层限定了：所述电极与所述多个介电层中的一个之间的第一间隙，所述多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及所述多个介电层中的最后一个与所述第一表面之间的第三间隙，以及其中选择所述多个介电层的数目以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.10.17 US 61/547,962;2011.11.23 US 13/303,3861.一种用于减少半导体处理中寄生等离子体的系统，其包括: 第一表面；以及 被设置在电极与所述第一表面之间的多个介电层， 其中所述第一表面与所述电极具有显著不同的电势， 其中所述多个介电层限定了: 所述电极与所述多个介电层中的一个之间的第一间隙， 所述多个介电层中的相邻介电层之间的第二间隙，以及所述多个介电层中的最后一个与所述第一表面之间的第三间隙，以及其中选择所述多个介电层的数目以及所述第一间隙、所述第二间隙与所述第三间隙的尺寸以防止在所述半导体处理期间在所述第一表面与所述电极之间的寄生等离子体。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一表面包括接地导电结构。3.根据权利要求1所述的系统，其还包括设置在所述多个介电层的径向外端之间的屏障，以防止沉积前体物质侵入所述多个介电层之间。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个的直径随着所述电极与所述多个介电层中的相应的一个之间的距离的增加而减小。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述多个介电层中的每个包括具有在轴向方向上的第一厚度的径向内部和径向向外延伸并具有在所述轴向方向上的第二厚度的突起部。6.根据权利要求5所述的系统，其中所述第一厚度与所述第二厚度之间的差等于所述第二间隙。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述半导体处理包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。8.一种基座系统,其包括: 根据权利要求2所述的系统；以及 含有支撑衬底的并且由非导电材料制成的基座台板的基座， 所述电极，其中所述电极被嵌入在所述基座台板中。9.根据权利要求8所述的基座系统，其中在所述半导体处理期间，所述接地导电结构被连接至RF接地并且所述电极被连接到RF偏置。10.根据权利要求8所述的基座系统，其还包括: 连接到所述第一表面的套环；以及 连接到所述套环的适配器。11.根据权利要求10所述的基座系统，其中所述第一表面、所述套环和所述适配器由招制成。12.根据权利要求8所述的基座系统，其中所述基座台板包括陶瓷，所述第一表面包括导电盘状物，所述电极包括线材网格以及所述多个介电层中的每个包括盘状物。13.—种喷头系统,其包括: 根据权利要求2所述的系统， 其中所述电极包括含有第一杆部和头部的喷头，以及 其中所述多个介电层包括: 与所述头部相邻设置的M介电层；以及围绕所述第一杆部设置的P介电部，其中M和P是大于I的整数。14.根据权利要求13所述的喷头系统，其中所述接地导电结构包括: 围绕所述第一杆部以及所述P介质部设置的第二杆部；以及 从所述第二杆部径向向外突出的盘状物部。15.根据权利要求13所述的喷头系统，其中在所述半导体处理期间，所述喷头被连接到RF偏置并且所述接地导电结构被连接至RF接地。16.—种用于半导体处理的基座系统,其包括: 支撑衬底的、由非导电材料制成的并且包括嵌入其中的电极的基座台板； 具有与所述电极显著不同的电势的第一表面； 设置在所述基座台板与所述第一表面之间的N介电层，其中N是大于I的整数；以及 其中所述N介电层限定了:...
【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·凯尔，爱德华·奥古斯提尼亚克，卡尔·利泽，穆罕默德·萨布里，
申请(专利权)人：诺发系统公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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