【技术实现步骤摘要】
复合八梁高频响加速度传感器芯片
本专利技术涉及微加速度传感器芯片
,特别涉及复合八梁高频响加速度传感器芯片。
技术介绍
随着MEMS微加工技术的发展,压阻式加速度传感器出现了很多不同的敏感结构,包括单悬臂梁,双悬臂梁,单桥梁,双桥梁,十字梁,双岛五梁,复合多梁等。这些结构的出现,解决了传感器性能方面的很多问题。如双悬臂梁结构相对于单悬臂梁降低了传感器的横向交叉灵敏度;四梁结构,如双桥梁、十字梁等则在考虑横向交叉灵敏度的同时,提高了传感器的固有频率;双岛五梁结构则是为了通过自身结构特点来消除横向交叉灵敏度的干扰而被提出的。复合多梁结构则是通过长短梁的组合方式来提高传感器的综合性能。目前开发的硅微加速度传感器受敏感结构与传感方式的限制,大都性能不高,如频响范围较窄且横向灵敏度高,结构尺寸和质量也无法做到很小,限制了传感器的检测精度。此外,在高灵敏度硅微加速度传感器设计方面,虽然国内外学者提出了许多高灵敏度的机械传感元件,但大都采用微悬臂梁一质量块结构形式,而在微悬臂梁一质量块结构中,灵敏度与测试带宽是无法避免的矛盾。因此,如何在保证测量带宽的条件下,来提高硅微加 ...
【技术保护点】
复合八梁高频响加速度传感器芯片,包括硅基底(1)和键合于硅基底(1)背面的硼玻璃衬底(2),硅基底(1)的中心空腔内配置有悬空质量块(5),其特征在于:四个相同的短小敏感梁(3)沿着悬空质量块(5)的一组对边对称排布,四个宽大支撑梁(4)分别与悬空质量块(5)的另一组对边的四角相连,短小敏感梁(3)和宽大支撑梁(4)共同支撑悬空质量块(5),使其保持悬空状态,硼玻璃衬底(2)与悬空质量块(5)之间预留有工作间隙;每个短小敏感梁(3)上均制作一个压敏电阻(6),压敏电阻(6)采用U型方式制作而成,四个压敏电阻(6)通过芯片上的金属引线(7)连接组成半开环惠斯通全桥检测电路,半 ...
【技术特征摘要】
1.复合八梁高频响加速度传感器芯片,包括硅基底(1)和键合于硅基底(1)背面的硼玻璃衬底(2),硅基底(1)的中心空腔内配置有悬空质量块(5),其特征在于:四个相同的短小敏感梁(3)沿着悬空质量块(5)的一组对边对称排布,四个宽大支撑梁(4)分别与悬空质量块(5)的另一组对边的四角相连,短小敏感梁(3)和宽大支撑梁(4)共同支撑悬空质量块(5),使其保持悬空状态,硼玻璃衬底(2)与悬空质量块(5)之间预留有工作间隙;每个短小敏感梁(3)上均制作一个压敏电阻(6),压敏电阻(6)采用U型方式制作而成,四个压敏电阻(6)通过芯片上的金属引线(7)连接组成半开环惠斯通全桥检...
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