对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源技术

本发明专利技术公开了对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源，为包括在处理室内配置R-T-B系烧结磁体的准备工程、在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程和使Dy扩散源蒸发到烧结磁体的Dy扩散工程的方法，其特征在于：所述Dy扩散源为排列在高熔点金属网中的Dy颗粒或Dy合金颗粒，所述Dy颗粒或Dy合金颗粒的粒径在0.5～2mm。本发明专利技术通过将充填在高熔点金属网中的粒径在0.5～2mm的Dy颗粒或Dy合金颗粒替代Dy板或Dy合金板使用，以节省Dy材料的使用量。

【技术实现步骤摘要】
对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源
本专利技术涉及一种对磁铁进行Dy扩散的方法、磁体和Dy扩散源，具体涉及一种对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和Dy扩散源。
技术介绍
晶界扩散处理通常是在加工工序(亦即切割工序)之后，表面处理工序之前进行的。所谓晶界扩散法，就是在R-T-B烧结磁体的表面附有Dy、Tb等重稀土元素(RH)块或其合金块、或在同一处理室内以不直接接触的方式放置烧结磁体和Dy、Tb等重稀土元素块或其合金块，并经适宜的热处理后，磁体表面的Dy、Tb会穿过烧结体磁体的晶界进入烧结体内部，使Dy、Tb等重稀土从晶界向主相R2T14B内部进行扩散的方法，其一方面可以使得进入晶界中的Dy、Tb等重稀土元素迅速进入烧结体内部，从晶界向主相R2T14B内部扩散，另一方面是进入主相R2T14B内部的Dy取代了主相R2T14B外壳部的R，但是没有取代中心部的R，从而形成核壳结构，主相核壳结构的成分差既保证了重稀土元素取代后磁体各向异性的提高，从而提高矫顽力，也因为这种取代仅是主相的极小一部分，磁体的剩磁基本上不变或降低很小。在同一处理室内以不直接接触的方式放本文档来自技高网...

【技术保护点】
对R‑T‑B系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置R‑T‑B系烧结磁体的准备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结磁体的Dy扩散工程，其特征在于：所述Dy扩散源为排列在高熔点金属网中的Dy颗粒或Dy合金颗粒，所述Dy颗粒或Dy合金颗粒的粒径在0.5～2mm。

【技术特征摘要】
1.对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法，包括在处理室内配置R-T-B系烧结磁体的准备工程，在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程，和使Dy扩散源蒸发到所述烧结磁体的Dy扩散工程，其特征在于:所述Dy扩散源为排列在高熔点金属网中的Dy颗粒或Dy合金颗粒，所述Dy颗粒或Dy合金颗粒的粒径在0.5?2mm。2.根据权利要求1所述的对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法，其特征在于:所述高熔点金属网的厚度为0.5mm?2mm，所述Dy扩散源为离散排列在所述高熔点金属网中的Dy颗粒或Dy合金颗粒,所述Dy颗粒或所述Dy合金颗粒为类球形颗粒,并排列成均一蒸发源。3.根据权利要求2所述的对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法，其特征在于:所述Dy扩散源为铺设排列在所述高熔点金属网中的单层Dy颗粒或单层Dy合金颗...

【专利技术属性】
技术研发人员：永田浩，张建洪，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35