温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了对R-T-B系磁体进行Dy扩散的方法、磁体和扩散源，为包括在处理室内配置R-T-B系烧结磁体的准备工程、在同一处理室内的Dy扩散源的准备工程和使Dy扩散源蒸发到烧结磁体的Dy扩散工程的方法，其特征在于：所述Dy扩散源为排列在高熔...
该专利属于厦门钨业股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门钨业股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。