非制冷长波红外探测器用吸收层结构制造技术

本专利公开了一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，该吸收层位于探测器的热敏感薄膜上，自上而下依次由第一介质层、第二金属层、第三绝缘层组成。其特征在于：第一介质层是导热性好、抗腐蚀性强的氮化硅薄膜，作为减反层和器件保护层，膜厚为1000nm–1200nm；第二金属层是膜厚为8nm–12nm的镍铬合金层，作为红外波段的吸收层；第三绝缘层是膜厚为50nm–100nm的二氧化硅薄膜，作为热敏感薄膜与金属层之间的绝缘层。该吸收层制备工艺简单，易与现有的微电子工艺兼容，适用于单元、线列及面阵红外探测器。本专利所提供的红外吸收层具有附着牢固、抗腐蚀性强、重复性好、比热容低、传热性能优异、在8–14微米红外波段具有85%以上吸收率的优点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
非制冷长波红外探测器用吸收层结构
本专利涉及光学薄膜元件，具体涉及一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构。
技术介绍
非制冷热敏薄膜型红外探测器是一种重要的红外探测器，相比体材料热敏器件具有热容小、响应速度快、可靠性和稳定性高、重复性好等优点，在军事、民用和工业等领域有着广泛的应用前景，例如可用于产品生产监测、红外热成像、防火报警、非接触测温、光谱分析、温度传感器、导弹跟踪和拦截、医疗诊断等诸多方面。热敏型红外探测器是利用红外辐射的热效应，通过热与其他物理量(例如电阻值、自发极化强度、温度电动势等)的变换来探测红外辐射的。在所有热敏型红外探测器中，以热敏电阻型红外探测器应用最为广泛，它相比热释电和热电偶两种热敏红外探测器更容易制备，而且成本低廉，性能也更稳定。常用的热敏电阻型材料主要有金属和半导体薄膜。当温度增加时，金属薄膜电子迁移率下降，从而引起薄膜电阻增加，电阻温度系数(TCR)为正值，但其值一般很小。而半导体材料的TCR —般要高一个数量级，是目前最常用的热敏感材料。当温度升高时，半导体材料的电荷载流子浓度和迁移率增大，电阻率随着材料温度升高而减小，显示出负的TCR。热敏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，它由氮化硅薄膜（1）、镍铬合金层（2）和二氧化硅薄膜（3）组成，其特征在于：所述的吸收层结构按辐射的入射顺序依次为氮化硅薄膜（1）、镍铬合金层（2）和二氧化硅薄膜（3）；其中：所述氮化硅薄膜（1）的膜厚为1000nm–1200nm；所述镍铬合金层（2）的膜厚为8nm–12nm，其方块电阻为9.0Ω/□–10.0Ω/□；所述二氧化硅薄膜（3）的膜厚为50nm–100nm。

【技术特征摘要】
1.一种非制冷长波红外探测器用吸收层结构，它由氮化硅薄膜(I)、镍铬合金层(2)和二氧化硅薄膜(3)组成，其特征在于:所述的吸收层结构按辐射的入射顺序依次为氮化硅薄膜(I)、镍铬合金层(2)和二氧化硅薄膜(3);其中: 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳程，黄志明，周炜，吴敬，高艳卿，龙芳，褚君浩，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：新型
国别省市：上海;31