电子器件制造技术

本发明专利技术涉及电子器件。一种电子器件包括扩展层和形成在所述扩展层上并与之接触的第一接触层。所述第一接触层由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料具有高于或等于有源层材料的热导率的热导率。有源层包括一个或多个III族氮化物层。第二接触层形成在所述有源层上，其中所述有源层被垂直设置在第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。

【技术实现步骤摘要】
电子器件相关申请数据本申请涉及共同受让的申请序列号为(TDB)(律师案号Y0R920120995US1 (163-609))，其被同时提交并通过弓I用结合到这里。
本专利技术涉及半导体处理，更具体地涉及使用晶片转移来形成III族氮化物电子器件的制造工艺和器件结构。
技术介绍
III族氮化物材料是一类特有的半导体材料族，其能被使用在广泛应用中，包括，例如，光电子、光伏电子和发光领域。III族氮化物材料是氮和至少一种III族元素的化合物，即，铝(Al)，镓(Ga)和铟(In)。一些常见的镓的氮化物示意性的示例是GaN、GaAlN和GaAlInN。通过改变III族氮化物材料中Al、Ga和/或In的成分，III族氮化物材料可沿电磁光谱调整；大体从210nm到1770nm。该光谱包括可见光发光二极管(LED)，这是超过100亿美元的工业并被预测以两位数的年增长率。这种对LED需求的持续增长使得基于III族氮化物的半导体器件的生长和制造的蓬勃发展。发光二极管(LED)是传统灯泡的高能效替代品。LED典型的是形成在衬底上并封装在芯片中。传统的衬底(如蓝宝石)的价格是高的，这导致LED芯片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：扩展层；第一接触层，形成在所述扩展层之上并与之接触并且由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料的热导率大于或等于有源层材料的热导率；有源层，包括一个或多个III族氮化物层；以及第二接触层，形成在所述有源层之上，其中所述有源层垂直设置在所述第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。

【技术特征摘要】
2013.02.05 US 13/759,7111.一种电子器件，包括: 扩展层； 第一接触层，形成在所述扩展层之上并与之接触并且由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料的热导率大于或等于有源层材料的热导率； 有源层，包括一个或多个III族氮化物层；以及 第二接触层，形成在所述有源层之上，其中所述有源层垂直设置在所述第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述扩展层包括I到5个石墨烯单层。3.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述有源层包括多量子阱(MQW)结构。4.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述MQW结构包括具有小于大约IOOnm的总厚度的多个GaN/InGaN周期。5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述导热晶体材料包括SiC。6.根据权利要求5所述的电子器件，其中所述SiC包括在大约0.3nm和大约300nm之间的厚度。7.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一接触层包括与所述导热晶体材料接触的GaN。8.根据权利要求1所述的电子器件，进一步包括阻挡层，其形成在所述接触层中的一个和所述有源层之间。9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述阻挡层包括AlGalnN。10.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一接触层和所述第二接触层被分离，距离为IOOnm或更小。11.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述第一接触层和所述第二接触层被相反掺杂且都包括GaN。12.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述扩展层包括WS2或MoS2中的一个。13.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述电子器件包括发光二极管(LED)、晶体管和/或光子器件中的一种或多种。14.一种电子器件，包括， 二维材料扩展层，具有1-5单层的厚度； 第一接触层，形成在所述扩展...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·巴伊拉姆，J·O·初，C·蒂米特拉克普洛斯，金志焕，朴弘植，D·K·萨达那，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US