一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板技术

本发明专利技术构造了一种像素驱动电路，其包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管，第一晶体管的栅极连接扫描线,第一晶体管的漏极连接数据线,第一晶体管的源级连接第一电容的一端,第一电容的另一端连接第二晶体管的栅极,第二晶体管的漏极连接有机发光二极管的阴极,有机发光二极管的阳极用于连接电源线,第二晶体管的源极分别连接第三晶体管的漏极和第四晶体管的漏极，第三晶体管的源极连接第二晶体管的栅极，第三晶体管的栅极和第四晶体管的栅极用于接收补偿控制电压，第四晶体管的源极接地。本发明专利技术实施例可补偿AMOLED的阀值电压的漂移，进而提高有机发光二极管灰阶和画面的均一性。

【技术实现步骤摘要】
一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板
本专利技术涉及有机发光显示
，具体地，涉及一种像素驱动电路及其驱动方法、显示面板。
技术介绍
在主动矩阵式有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicTypeLightEmittingDiode,AMOLED)显示面板中，许多效应会造成面板的均匀性变差。因为AMOLED显示面板的亮度与有机发光二极管的电流成正比，电流的准位会影响AMOLED显示面板的显示均匀度，若要将不均匀性控制在约±1％的范围内，需要将AMOLED显示面板的电流控制在±1％的范围内。由于大部分的集成电路都只传输电压信号，而不是电流信号，所以在AMOLED显示面板中，要控制像素的亮度在±1％是困难的，其需将电压信号转变成电流信号，然后将转变结果在一帧周期内储存在像素内。事实上，由于AMOLED显示面板的晶体管的阈值电压和迁移率会随着时间偏移，这些缺点会造成显示面板亮度的不均匀性。图1为传统的AMOLED显示面板的像素驱动电路图。AMOLED显示面板的像素驱动电路10主要包含第一晶体管(TFT1)102、第二晶体管(TFT2)104、控制电容(C)106、扫描线(Gaten)108与数据线(Datan)110。如图1所示，传统的AMOLED显示面板的像素驱动电路10中并没有包含补偿电路，若AMOLED显示面板的组件发生变异时，驱动电压与载子移动率会一起改变，而AMOLED显示面板的像素驱动电路10并无法补偿载子移动率的变化。因此，如上所述，存在一种需求，设计一种AMOLED显示面板的像素驱动电路的补偿电路，使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性控制在可容许的范围内。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于设计一种AMOLED的像素驱动电路，使流过有机发光二极管的电流与阈值电压无关，进而改善显示面板亮度的均匀性与稳定性。为解决上述技术问题，本专利技术构造了一种像素驱动电路，所述像素驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管，所述第一晶体管为所述扫描线的开关，所述第二晶体管为所述有机发光二极管的驱动开关，所述第一电容用于储存所述数据线传输的数据信号灰阶电压，进而控制所述第二晶体管对所述有机发光二极管的驱动电流，所述补偿电路包含：第三晶体管，其源极连接所述第一电容与所述第二电容，漏极连接所述第二晶体管的源极；第四晶体管，其源极接地，漏极连接所述第二晶体管的所述源极与所述第三晶体管的漏极，而所述第三晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极用于接收补偿控制电压。在本专利技术一实施例中，所述第三晶体管为N沟道场效应晶体管，所述第四晶体管为P沟道场效应晶体管。本专利技术的另一个目的在于设计一种主动矩阵式有机发光二极管显示面板的像素驱动电路的补偿方法，使显示面板发光亮度的均匀性和稳定性控制在可容许的范围内。为解决上述技术问题，本专利技术构造了一种像素驱动电路的驱动方法，其包含：关断所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，关断所述第四晶体管，补偿所述第二晶体管的阈值电压；导通所述第一晶体管，关断所述第三晶体管，导通所述第四晶体管，为所述第一电容充电；关断所述第一晶体管和第三晶体管，导通所述第二晶体管、第四晶体管和有机发光二极管，使所述有机发光二极管发光。在本专利技术一实施例中，关断所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，关断所述第四晶体管，补偿所述第二晶体管的阈值电压具体包括：输入低电压电平至所述扫描线，使所述补偿控制电压为高电压电平，以关断所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，关断所述第四晶体管，补偿所述第二晶体管的阈值电压。在本专利技术一实施例中，导通所述第一晶体管，关断所述第三晶体管，导通所述第四晶体管，为所述第一电容充电具体包括：输入高电压电平至所述扫描线，输入高电压电平至所述数据线，使所述补偿控制电压为低电压电平，以导通所述第一晶体管，关断所述第三晶体管，导通所述第四晶体管，为所述第一电容充电。在本专利技术一实施例中，关断所述第一晶体管和第三晶体管，导通所述第二晶体管、第四晶体管和有机发光二极管，使所述有机发光二极管发光具体包括：输入低电压电平至所述扫描线，输入高电压电平至所述电源线，使所述补偿控制电压为低电压电平，以关断所述第一晶体管和第三晶体管，导通所述第二晶体管、第四晶体管和有机发光二极管，使所述有机发光二极管发光。为解决上述技术问题，本专利技术构造了一种显示面板，包含上述的像素驱动电路。在本专利技术一实施例中，所述像素驱动电路形成于阵列基板上，所述阵列基板上设置有多条数据线和栅极线，所述多条数据线和栅极线限定了多个所述像素驱动电路；所述阵列基板还包括驱动芯片，用于为所述数据线、栅极线和补偿控制电压提供时序信号，为所述电源线提供电源信号。在本专利技术一实施例中，所述显示面板为主动矩阵式有机发光二极管显示面板。在本专利技术一实施例中，所述显示面板的亮度由流过所述有机发光二极管的电流决定。本专利技术的有益效果是：从设计一种AMOLED显示面板的驱动设计上，补偿了AMOLED的阈值电压的漂移，进而提高有机发光二极管灰阶和画面的均一性。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1显示传统AMOLED显示面板的像素驱动电路的电路图；图2显示本专利技术实施例的AMOLED显示面板的像素驱动电路的电路图；图3为本专利技术实施例的AMOLED显示面板的像素驱动电路的时序图；图4A～图4C显示本专利技术的像素驱动电路的导通示意图；图5显示本专利技术的AMOLED显示面板的像素驱动电路的补偿驱动方法的流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。图2显示本专利技术实施例的AMOLED显示面板的像素驱动电路图。像素驱动电路形成于阵列基板上，阵列基板上设置有多条数据线和栅极线，多条数据线和多条栅极线限定了多个像素驱动电路。另外，阵列基板还包括驱动芯片，用于为数据线、栅极线和补偿控制电压提供时序信号，为电源线提供电源信号。如图2所示，本专利技术的AMOLED显示面板的像素驱动电路20为4T2C(四个晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)以及二个电容)电路，其主要包含第一晶体管(TFT1)202、第二晶体管(TFT2)204、第一电容(C1)206、第二电容(C2)207、扫描线(GateLine)208、数据线(DataLine)210、有机发光二极管(OLED)212与补偿电路214。第一晶体管202为扫描线208的开关，第一晶体管202的栅极连接扫描线208，漏极连接数据线210，而源极连接第一电容206的一端。第二晶体管204为有机发光二极管212的驱动开关，第二晶体管204的漏极连接到有机发光二极管212的阴极，而其栅极连接到第一电容206的另一端。有机发光二极管212的阳极连接电源线。第一电容206用于储存数据线210传输的数据信号灰阶电压，进而控制第二晶体管204对有机发光二极管2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管，所述第一晶体管的栅极连接扫描线,所述第一晶体管的漏极连接数据线,所述第一晶体管的源级连接所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端连接所述第二晶体管的栅极,所述第二晶体管的漏极连接所述有机发光二极管的阴极,所述有机发光二极管的阳极用于连接电源线,所述第二晶体管的源极分别连接所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极用于接收补偿控制电压，所述第四晶体管的源极接地。

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电容、第二电容和有机发光二极管，所述第一晶体管的栅极连接扫描线,所述第一晶体管的漏极连接数据线,所述第一晶体管的源级连接所述第一电容的一端,所述第一电容的另一端连接所述第二晶体管的栅极,所述第二晶体管的漏极连接所述有机发光二极管的阴极,所述有机发光二极管的阳极用于连接电源线,所述第二晶体管的源极分别连接所述第三晶体管的漏极和所述第四晶体管的漏极，所述第三晶体管的源极连接所述第二晶体管的栅极，所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极用于接收同一补偿控制电压，所述第四晶体管的源极接地；其中所述像素驱动电路的驱动步骤包括：关断所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，关断所述第四晶体管，补偿所述第二晶体管的阈值电压；导通所述第一晶体管，关断所述第三晶体管，导通所述第四晶体管，为所述第一电容充电；关断所述第一晶体管和第三晶体管，导通所述第二晶体管、第四晶体管和有机发光二极管，使所述有机发光二极管发光；其中，所述补偿控制电压会在将所述第三晶体管导通时，同时将所述第四晶体管切断，以及在将所述第三晶体管切断时，同时将所述第四晶体管导通。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第三晶体管为N沟道场效应晶体管，所述第四晶体管为P沟道场效应晶体管。3.一种如权利要求1或2所述的像素驱动电路的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法包含：关断所述第一晶体管，导通所述第三晶体管，关断所述第四晶体管，补偿所述第二晶体管的阈值电压；导通所述第一晶体管，关断所述第三晶体管，导通所述第四晶体管，为所述第一电容充电；关断所述第一晶体管和第三晶体管，导通所述第二晶体管、第四晶体管和有机发光二极管，使所述有机发光二极管发光。4...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44