阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置，其中，所述阵列基板包括：一衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，第一电极与第二电极之间形成边缘场；其中，第一电极的形状为片状，第二电极包括多个条形电极，条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，第一条形子电极和衬底基板的距离与第二条形子电极和衬底基板的距离不相等。本发明专利技术的阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置中，通过形成高低交错的第二电极，使得液晶分子能够充分转动，实现液晶分子之间的补偿效果，从而改善大视角色偏现象。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置
本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置。
技术介绍
目前，常见的液晶显示模式主要有扭曲向列（TN）模式、垂直排列（VA）模式和面内旋转模式。其中，TN模式和VA模式都是通过在上下基板之间施加电场而驱动液晶分子的，上下两侧的基板都形成有电极，属于纵向电场驱动。面内旋转模式是在一侧基板上施加电场以驱动液晶分子，只有一侧基板设置有电极，属于横向电场驱动。横向电场驱动的液晶分子均在平行于基板的面内旋转，因此各个方向上的光均能够穿过液晶分子的短轴，面内旋转模式较纵向电场驱动的TN模式和VA模式具有优异的视角性能。目前，面内旋转模式主要有面内切换模式（InPlaneSwitchingmode，简称IPS模式）和边缘场开关模式（Fringefieldswitchingmode，简称FFS模式）。IPS模式和FFS模式的液晶显示装置都只在阵列基板上设置电极。其中，FFS模式是将IPS模式中的不透明金属电极改为透明的ITO电极以增加透光率，同时，正负电极也不再间隔排列，而是将正负电极通过绝缘层隔离实现重叠排列，从而缩小电极的宽度和间距。因此，FFS模式克服了IPS模式透光效率低的问题，在保证宽视角的前提下，实现了高透过率。请参考图1，其为现有技术的FFS模式的阵列基板的部分结构示意图。如图1所示，现有的FFS模式的阵列基板100一般包括衬底基板101和位于所述衬底基板101上的多个像素单元，所述衬底基板101为透明玻璃基板，所述述衬底基板101和所述多个像素单元之间还设置有多个薄膜晶体管（TFT），所述多个薄膜晶体管（TFT）与所述多个像素单元一一对应并驱动多个像素单元。每个像素单元包括公共电极102、多个像素电极104以及形成于所述公共电极102和像素电极104之间的绝缘层103，所述公共电极102的形状一般为片状，所述像素电极104的形状一般为条形，多个条形的像素电极104相互平行，所述公共电极102和像素电极104之间形成边缘场以驱动液晶分子150然而，在制造和使用过程中发现，FFS模式的液晶显示装置虽然具有优异的宽视角特性，但是从大视角方向进行观察存在着非常严重的色偏现象。因此，如何解决现有的FFS模式的液晶显示装置的大视角色偏现象，成为本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置，以解决现有技术中FFS模式的液晶显示器的大视角色偏现象。为解决上述问题，本专利技术提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：一衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极与所述第一电极之间形成边缘场；其中，所述第一电极的形状为片状，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极和所述衬底基板的距离与所述第二条形子电极和所述衬底基板的距离不相等。相应的，本专利技术还提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：一彩膜基板；如上所述的阵列基板；以及设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间的液晶层。相应的，本专利技术还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括如上所述的阵列基板。相应的，本专利技术还提供了一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的制造方法包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成第一导电层，图案化所述第一导电层形成形状为片状的第一电极；在所述第一电极上形成绝缘层，所述绝缘层具有多个凸起结构；在所述绝缘层上形成第二导电层，图案化所述第二导电层形成第二电极，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极形成于所述凸起结构上，所述第二像素电极形成于相邻的凸起结构之间。综上所述，本专利技术阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置中，通过形成高低交错的第二电极，使得液晶分子能够充分转动，实现液晶分子之间的补偿效果，从而改善大视角色偏现象。附图说明图1是现有技术的FFS模式的阵列基板的部分结构示意图；图2是本专利技术实施例一的阵列基板的制造方法的工艺流程图；图3a至图3d是本专利技术实施例一的阵列基板的制造方法示意图；图4是本专利技术实施例二的阵列基板的制造方法的工艺流程图；图5a至图5d是本专利技术实施例二的阵列基板的制造方法示意图；图6本专利技术实施例三的阵列基板的制造方法的工艺流程图；图7a至图7d是本专利技术实施例三的阵列基板的制造方法示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出一种阵列基板及其制造方法、液晶显示面板和液晶显示装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。现有的FFS模式的液晶显示装置存在大视角色偏现象，影响液晶显示装置的性能和品质。专利技术人对此进行了深入的研究，发现造成FFS模式的液晶显示装置出现大视角色偏现象的原因在于，液晶分子转动不充分，无法实现液晶分子之间的补偿效果。在现有的FFS模式的阵列基板100中像素电极102的高度都是相等的，所述FFS模式的阵列基板100工作时施加在所述像素电极104上的电压也是相同的，因此位于相邻两个像素电极104之间的液晶分子150在水平方向上受到的电场力大小相同且方向相反，所述液晶分子150在电场力的作用达到平衡，所以基本不发生转动，所述液晶分子150之间不能互相形成补偿效果，因此从大视角方向进行观察时发现明显的色偏现象。综上，造成现有的FFS模式的液晶显示装置出现大视角色偏现象的原因在于，现有的FFS模式的阵列基板中像素电极的高度都是相等的，位于所述像素电极之间的液晶分子由于在水平方向上受到大小相同且方向相反的电场力而无法转动，使得所述液晶分子之间无法形成补偿效果，从而产生色偏现象。为了解决上述问题，本申请提出了如下技术方案：【实施例一】请参考图3d，其为本专利技术实施例的阵列基板的部分结构示意图。如图3d所示，所述阵列基板200包括：一衬底基板201和位于所述衬底基板201上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极202、绝缘层203和第二电极204，所述第一电极202与所述第二电极202之间形成边缘场；其中，所述第一电极202的形状为片状，所述第二电极204包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极205和至少一个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205和所述衬底基板201的距离与所述第二条形子电极206和所述衬底基板201的距离不相等。具体的，所述衬底基板201为透明玻璃基板，所述衬底基板201的表面上依次形成有薄膜晶体管210和平坦化层211，所述像素单元位于所述平坦化层211的上面。每一像素单元包括依次层叠的第一电极202、绝缘层203和第二电极204，所述第二电极204包括多个条形电极，所述条形电极包括多个第一条形子电极205和多个第二条形子电极206，所述第一条形子电极205和第二条形子电极206为间隔设置且相互平行。所述第一条形子电极205和第二条形子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：一衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间形成边缘场；其中，所述第一电极的形状为片状，所述第二电极包括多个条形电极，所述条形电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，所述第一条形子电极和所述衬底基板的距离与所述第二条形子电极和所述衬底基板的距离不相等。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：一衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元，每一像素单元包括依次层叠的第一电极、绝缘层和第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间形成边缘场；其中，所述第一电极的形状为片状，所述第二电极包括多个条形电极，所述第一电极上方的第二电极包括至少一个第一条形子电极和至少一个第二条形子电极，且第一条形子电极和第二条形子电极呈间隔设置，相邻的所述第一条形子电极和所述第二条形子电极到所述衬底基板的距离不相等。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形子电极和第二条形子电极相互平行。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形子电极和第二条形子电极的数量均为多个。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层具有多个等距离排列的凸起结构，所述第一条形子电极位于所述凸起结构上，所述第二条形子电极位于相邻的凸起结构的中间。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构的宽度大于或等于所述第一条形子电极的宽度。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起结构的高度在0.1微米到0.75微米之间。7.如权利要求1-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；或者所述第一电极为像素电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林友道，沈柏平，宋琼，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35