粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。本发明专利技术的粘合带为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及粘合带。
技术介绍
对于半导体的切割，通过在切割带（粘合带）上进行半导体晶圆的切割，该半导体晶圆被小片化（芯片化）而成为芯片，从切割带上拾取该芯片，继续在后面的工序中使用（例如，参照专利文献1）。作为从切割带上拾取芯片的方法，从切割带的未搭载芯片的一面侧用被称为销、针等的棒进行顶推（所谓的“销顶起”），然后，利用被称为吸嘴（collet）的吸附治具从切割带上将芯片吸附分离而拾取。 此处，刚切割后的芯片间的间隔至多为数百μm左右这样的极其微小的间隔，因此，若要在刚切割后的状态下从切割带上拾取该芯片，则会碰到别的芯片（尤其是邻接的芯片）等，导致芯片破损。 因此，对于半导体的切割，通常进行的是：在切割后从切割带上拾取芯片之前，在切割带上搭载有芯片的状态下，将切割带扩展（拉伸）而拓宽芯片间的间隔，然后从切割带上拾取芯片。 但是，即使利用这种方法，在拾取时有时仍会产生不便。因此，要求进行半导体的切割时的进一步改良。 作为这种不便的代表性的问题，可列举出利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时，无法准确地进行吸附分离。 作为上述不便的原因，考虑过切割带与芯片间的粘合力过强的可能性，但即使减弱切割带与芯片间的粘合力，也仍未消除上述不便。 现有技术文献 专利文献 专利文献1：日本特开2005-019607号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 本专利技术人对利用吸嘴从切割带上吸附分离芯片时无法准确地进行吸附分离的原因进行了各种研究。并且，着眼于吸嘴的吸附面与芯片的位置偏移反复进行了研究，了解到：在扩展时，若基材与扩展装置的底座整面地密合或者部分密合而卡住（粘连或者粘住），则扩展无法平稳地进行，会出现不良情况。根据该结果，认为切割带被充分扩展且在纵向和横向上被均匀地扩展是重要的。而且认为，为了能够充分扩展切割带且实现在纵向和横向上均匀的扩展，切割带的背面侧（从基材看与粘合剂层相反侧）的表面与底座的摩擦比规定量小是重要的，并想到了将从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力严格调节成规定的水平，从而完成了本发明。 即，本专利技术的课题在于提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。 用于解决问题的方案 本专利技术的粘合带为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带， 从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。 在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为10.0N/10mm～50.0N/10mm，上述粘合带的TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为10.0N/10mm～50.0N/10mm。 在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的150%拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下为1.90以下。 在优选的实施方式中，上述粘合带的MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为25.0%以上，上述粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为25.0%以上。 在优选的实施方式中，上述粘合带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下为0.70～1.30。 在优选的实施方式中，从上述基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面的算术平均表面粗糙度Ra为50nm以上。 在优选的实施方式中，上述基材的按照JIS-K-7127（1999年）测定的最大伸长率为100%以上。 在优选的实施方式中，上述基材为塑料薄膜。 在优选的实施方式中，上述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的至少1种。 在优选的实施方式中，在上述基材的与上述粘合剂层相反的面具备非粘合层。 在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和（甲基）丙烯酸类聚合物的混合层。 在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1：50～50：1。 在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。 在优选的实施方式中，上述非粘合层的厚度为0.01μm～10μm。 在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含至少1种（甲基）丙烯酸类聚合物。 在优选的实施方式中，在上述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。 在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于半导体加工。 在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于LED切割用途。 专利技术的效果 根据本专利技术，能够提供一种粘合带，其为可以用作切割带的粘合带，并能够在纵向和横向上均匀地扩展。 附图说明 图1是示出在纵向和横向上均匀地进行了扩展的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。 图2是示出在纵向和横向上不均匀地进行了扩展的情况下扩展后的芯片的排列状态的示意图。 图3是用于动态摩擦力测定的滑动性测定治具的截面示意图。 图4是用于动态摩擦力测定的载重（weight）的截面示意图和仰视示意图。 图5是用于扩展性测定的粘合带（画有十字形基线）的俯视示意图。 图6是用于扩展性测定的扩展性评价用样品的平面示意图和截面示意图。 图7是示出扩展性测定的情况的截面示意图。 图8是示出本专利技术的粘合带的非粘合层的表面侧状态的SEM照片。 图9是示出本专利技术的粘合带的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。 图10是带说明地示出本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带，其为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。

【技术特征摘要】
2013.02.08 JP 2013-0229141.一种粘合带，其为在基材的一个面上具备粘合剂层的粘合带，
从基材看与粘合剂层相反侧的最外层表面对SUS430BA板的动态摩擦力
在温度23℃、湿度50%下低于10.0N。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的150%
拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为10.0N/10mm～50.0N/10mm，所述粘
合带的TD方向的150%拉伸时的模量在温度23℃、湿度50%下为
10.0N/10mm～50.0N/10mm。
3.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的150%
拉伸时的模量与TD方向的150%拉伸时的模量之比在温度23℃、湿度50%下
为1.90以下。
4.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的MD方向的从150%
拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为25.0%以上，所述粘合
带的TD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率在温度23℃、湿度50%下为
25.0%以上。
5.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合带的TD方向的从150%
拉伸起2秒后的应力松弛率与MD方向的从150%拉伸起2秒后的应力松弛率
之比（TD方向应力松弛率/MD方向应力松弛率）在温度23℃、湿度50%下为
0.70～1.30。
6.根据权利要求1所述的粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：由藤拓三，铃木俊隆，矢田贝隆浩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP