粘合带制造技术

一种粘合带，在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物以及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层，其特征在于，支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯，且至少在一面的粘合剂中，作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物，而且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。根据本发明专利技术可以提供一种作为支持体使用了含增塑剂的软质聚氯乙烯的粘合带，该粘合带可以同时满足初期粘接性以及经时稳定的粘接力这相反的特性，并且不存在涉及表面污染的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种粘合带(a pressure-sensitive adhesive tape)。本专利技术的粘合带可以用于各种用途。本专利技术的粘合带具有初期粘接性优良并且粘接力随时间的推移而上升得较少的特征，可以用于以再剥离为目的而使用的用途。另外本专利技术还涉及上述粘合带中使用的粘合剂(a pressure-sensitive adhesive agent)。本专利技术的粘合带，可作为用于半导体晶圆的切片工序中的粘合带使用。上述切片工序中使用的粘合带，在将半导体晶圆等元件的小片切割分离(切片)时，可以用作固定该半导体晶圆等被切割物的切片用粘合带，还可用作一个一个地剥离(拾取“pick up”)被切成片的该被切割物的半导体拾取用粘合带。由于通常从切片工序至拾取工序大多采用同一粘合带进行，所以半导体加工用粘合带作为包括了这些用途的半导体加工用粘合带特别有用。另外，还可以作为硅半导体切片用粘合带、化合物半导体晶圆切片用粘合带、半导体封装切片用粘合带、玻璃切片用粘合带等使用。另外，本专利技术还涉及一种使用该粘合带加工半导体晶圆的方法。此外，本专利技术的粘合带也可以作为在不锈钢、铝等钢板的加工时、保管时、搬运时等中以再剥离为目的的表面保护带等使用。
技术介绍
一般，含有邻苯二甲酸二辛酯(DOP)等增塑剂的软质聚氯乙烯(PVC)薄膜，由于其同时具有多种优良的机械特性(PVC所具有的刚性以及由增塑剂带来的柔软性)，因此被广泛用作各种粘合带的支持体。例如，软质PVC薄膜，具有优良的、在将半导体晶圆切成片时所需要的振动吸收性、展开性、展开后的自修复性等特性，因此可被用作在切片工序中使用的粘合带的支持体。但是，就使用软质PVC薄膜作为支持体的粘合带而言，由于软质PVC薄膜中所含的增塑剂的影响，很难获得足够的初期粘接性。例如，在将以软质PVC薄膜作为支持体的粘合带用作切片用粘合带时，切片时不能充分地保持半导体晶圆，因此在切片工序时会产生芯片的溅飞等不良现象。为了消除这种不良现象，通常采用的是对粘合带的粘合剂层进行改良的方法。例如提出了以下粘合剂层，即，作为基体聚合物使用具有羧基官能团的丙烯酸系共聚物，并利用异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂等的交联剂对其进行了交联的粘合剂层。但是，所述粘合剂层中存在其粘接力随时间的推移上升得较大、切片后拾取困难等其它的问题。如上所述，作为支持体使用软质PVC薄膜的压敏型粘合带，不能满足充分的初期粘接性和经时稳定的粘接力这相反的特性。因此，在将该压敏型粘合带用作切片用粘合带时，不能满足切片时对半导体晶圆的保持性和与防止拾取不良有关的特性这两种特性。为了获得满足上述相反的两种特性的压敏型粘合带，提出了以下方法，即，在软质PVC薄膜中，对粘合剂层赋予甲撑双硬脂酰胺等微量添加剂，使该添加剂向粘合剂层表面偏析，从而对剥离进行控制的方法(参照特开平10-316774号公报)。但是，当所述剥离控制剂偏析至表面时，其会作为污染物质附着在半导体晶圆表面上，且可达到可以用肉眼确认的程度。因此，在以往的所述压敏型粘合带中，无法挑出具有切片特性、拾取特性这相反特性并且对粘合剂层表面的污染少的粘合带。另外，在软质PVC薄膜上形成粘合剂层时，也不能忽略该薄膜中以及粘合剂层中含有的增塑剂向表面移动而造成的影响(基于粘合剂的增塑化的凝聚破坏)。此外，也存在长期保存下残留浆料的问题。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种作为支持体使用了含有增塑剂的软质聚氯乙烯的粘合带，其能够满足初期粘接性以及经时稳定的粘接力这相反的特性，并且不存在与表面污染有关的问题。本专利技术的另一目的在于提供使用了上述粘合带的切片用粘合带，以及提供使用了该切片用粘合带的半导体晶圆的加工方法。本专利技术的又一目的在于提供在上述粘合带的粘合剂层的形成中使用的粘合剂。本专利技术人等为了达到上述目的进行了深入的研究，结果发现了以下所示的粘合带，从而完成了本专利技术。即，本专利技术涉及如下所述的粘合带，即，在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物以及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层，其特征在于，支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯，且至少在一面的粘合剂中，作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物，而作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。在上述粘合带中，作为缩水甘油胺系交联剂优选1，3-双(N，N-二缩水甘油基氨基甲基)环己烷。在上述粘合带中，作为三聚氰胺系交联剂优选丁醇改性三聚氰胺甲醛树脂。在上述粘合带中，就上述各交联剂而言，相对于丙烯酸系共聚物100重量份，优选含有异氰酸酯系交联剂0.5～10重量份、缩水甘油胺系交联剂0.2～2重量份、三聚氰胺系交联剂0.5～10重量份。另外，本专利技术还涉及一种切片用粘合带，其特征在于，在半导体晶圆的切片工序中使用上述粘合带。此外，本专利技术涉及一种半导体晶圆的加工方法，其特征在于，具有使用上述切片用粘合带对半导体晶圆进行切片的工序。还有，本专利技术涉及一种粘合剂，其特征在于，在上述粘合带的粘合剂层的形成中使用，其中，作为基体聚合物，含有具有羧基的丙烯酸系共聚物并且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。上述本专利技术的粘合带是，以含有增塑剂的软质PVC作为支持体的粘合带，其中粘合剂层是由以下所述的粘合剂形成的，即，其中作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物，并且作为交联剂同时含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂这三种交联剂。利用这种粘合剂层，即使不使用作为污染物质而残留的微量剥离控制剂，也可以很好地满足初期粘接性和与经时稳定的粘接力有关的特性之间的平衡。此外，本专利技术的粘合带是不容易受到软质PVC中含有的增塑剂的影响的压敏型粘合带。具有该特性的本专利技术的粘合带，可以用作切片用粘合带。即，本专利技术的粘合带具有良好的初期粘接力，因此其切片特性优良，而且由于具有经时稳定的粘接力，因此可以抑制粘接力的上升，从而还具有良好的拾取性。此外，由于可以不使用剥离控制剂，因此也不存在与剥离控制剂有关的半导体晶圆的污染问题。一般来说，在作为基体聚合物使用含有羧基的丙烯酸系共聚物时，若考虑与羧基的化学反应，则作为交联剂一般单独使用异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂或三聚氰胺系交联剂。此外，为了控制分子量和凝胶成分，也可以考虑将两种交联剂合并使用。但是，合并使用交联剂的主要目的是通过其它的交联剂来补充主交联剂的反应速度，并不是使各个交联剂独立地发挥其功能。例如对于在常温下可发生反应的异氰酸酯系交联剂或缩水甘油胺系交联剂而言，可以利用在高温下发生反应而常温下的化学反应少的三聚氰胺系交联剂进行补充。因此，一般认为，交联剂种类的最大并用数为两种，若将并用数目增加到其以上，就等于浪费。上述本专利技术中同时配合了不同反应速度(反应条件)的三种交联剂，通过以各自独立的目的使用各交联剂，来满足上述特性。已知在含有羧基的丙烯酸系共聚物中使用缩水甘油胺系交联剂时，交联间分子量将会变小，聚合物主链的活动会受阻碍，因此经时的粘接力稳定。但是，在将缩水甘油胺系交联剂的配合量增多时，初期粘接力会显著下降。为了对其进行补充，在本专利技术中通过并用异氰酸酯系交联剂，提高了粘合剂最表面的极性，从而提高粘接性。这样，通过并用缩水甘油胺系交联剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带，在支持体的一面或两面上具有由含有基体聚合物及交联剂的粘合剂形成的粘合剂层，其特征在于，支持体中含有含增塑剂的软质聚氯乙烯，而且至少在一面的粘合剂中，作为基体聚合物含有具有羧基的丙烯酸系共聚物，且作为交联剂含有异氰酸酯系交联剂、缩水甘油胺系交联剂以及三聚氰胺系交联剂。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木俊隆，安伊萨里斯，埃德温蒂斯，瓦尔特埃韦尔斯，山本昌司，
申请(专利权)人：日东欧洲股份有限公司，日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：BE[比利时]