粘合带制造技术

提供一种粘合带，其在半导体制造工序中的粘合带间的半导体传送操作中，能够使用1种粘合带来顺利地进行该传送操作，而不使用机械臂等高价且复杂的机械设备。本发明专利技术的粘合带为在塑料薄膜的一个面具备粘合剂层的粘合带，其中，将在温度23℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置30分钟时的粘合力设为P1，将在温度50℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置10分钟，然后在温度23℃、湿度50%的环境下静置30分钟时的粘合力设为P2时，P2/P1为1.2以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及粘合带。
技术介绍
在半导体制造的工序中，进行如下的操作：例如，使在切割用粘合带上进行了切割的半导体芯片进一步向其他粘合带上移动而向下一工序传送这样的、粘合带间的半导体的传送操作（例如，参照专利文献1）。 使用同种粘合带进行这种粘合带间的半导体的传送操作时，需要用机械臂等机械设备将进行了切割的半导体芯片从切割用粘合带分离，然后贴合于其他粘合带。这是因为，对在切割用粘合带上进行了切割的半导体芯片直接贴合其他同种粘合带而试图进行转印时，由于这2条粘合带的粘合力实质上是相同的，因此从该切割用粘合带上向该同种粘合带的半导体芯片的转印无法顺利地进行。 尤其在近年来，在半导体的切割中使用的晶圆的尺寸正在大型化，因此对在切割用粘合带上进行了切割的半导体芯片直接贴合其他同种粘合带而试图进行转印时，如上所述地转印无法顺利地进行这样的问题变得更加明显。 在半导体的切割中，尤其是在LED切割中，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带，其为在塑料薄膜的一个面具备粘合剂层的粘合带，其中，将在温度23℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置30分钟时的粘合力设为P1，将在温度50℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置10分钟，然后在温度23℃、湿度50%的环境下静置30分钟时的粘合力设为P2时，P2/P1为1.2以上。

【技术特征摘要】
2013.02.08 JP 2013-0233331.一种粘合带，其为在塑料薄膜的一个面具备粘合剂层的粘合带，其中，
将在温度23℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置30分钟
时的粘合力设为P1，
将在温度50℃、湿度50%的环境下贴合在SUS430BA板上并静置10分钟，
然后在温度23℃、湿度50%的环境下静置30分钟时的粘合力设为P2时，
P2/P1为1.2以上。
2.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层包含（甲基）丙
烯酸类聚合物。
3.根据权利要求2所述的粘合带，其中，所述（甲基）丙烯酸类聚合物
的原料单体包含制成均聚物时的玻璃化转变温度为80℃以上的单体。
4.根据权利要求3所述的粘合带，其中，所述制成均聚物时的玻璃化转
变温度为80℃以上的单体为选自丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酰胺、苯乙
烯中的至少1种。
5.根据权利要求3所述的粘合带，其中，所述（甲基）丙烯酸类聚合物
的原料单体中的、所述制成均聚物时的玻璃化转变温度为80℃以上的单体的
含有比率为1重量%～30重量%。
6.根据权利要求3所述的粘合带，其中，所述（甲基）丙烯酸类聚合物
的原料单体包含选自含羟基单体、含羧基单体中的至少1种。
7.根据权利要求2所述的粘合带，其中，所述（甲基）丙烯酸类聚合物
的重均分子量为300000以上。
8.根据权利要求1所述的粘合带，其中，所述粘合剂层的厚度为
1μm～50μm。
9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：由藤拓三，铃木俊隆，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP