天线结构和等离子体生成装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及天线结构和等离子体生成装置。所述天线结构包括具有相同结构、并联连接且重叠布置的四个感应天线。所述感应天线包括：外上部，其布置在第一层的第一象限；内上部，其与所述外上部连接且布置于第一层的第二象限；内下部，其与所述内上部连接且布置于第二层的第三象限，所述第二层布置于所述第一层的下部；和外下部，其与所述内下部连接且布置于所述第二层的第四象限。RF电源供给至所述外上部的一端，且所述外下部的另一端接地。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】天线结构和等离子体生成装置
本专利技术涉及等离子体生成装置，且更具体地，涉及能够生成感应耦合等离子体的天线结构。
技术介绍
诸如半导体基板、平板显示器基板和太阳能电池基板等大型基板可能需要用于对它们进行处理的大型制造装置。等离子体处理装置可以用于诸如蚀刻、沉积、离子注入和材料表面处理等各种工艺。
技术实现思路
【技术问题】本专利技术提供了能够均匀地形成等离子体的天线结构。本专利技术还提供了能够均匀地形成等离子体的等离子体生成装置。【技术方案】所述天线结构包括具有相同结构、并联连接且重叠布置的四个感应天线。感应天线包括：外上部，所述外上部布置在第一层的第一象限；内上部，所述内上部与所述外上部连接且布置于第一层的第二象限；内下部，所述内下部与所述内上部连接且布置于第二层的第三象限，所述第二层布置于所述第一层的下部；和外下部，所述外下部与所述内下部连接且布置于所述第二层的第四象限。RF电源供给至所述外上部的一端，且所述外下部的另一端接地。【有益效果】根据本专利技术的实施例，天线结构稳定地且均匀地提供感应耦合等离子体。附图说明图1A示意性地图示了根据本专利技术的实施例的天线结构。图1B是图1A的天线结构的平面图。图1C是沿着图1B的线I-I’截取的横截面图。图2A示意性地图示了根据本专利技术的另一实施例的天线结构。图2B是图2A的天线结构的平面图。图2C是沿着图2B的线II-II’的横截面图。图3A示意性地图示了根据本专利技术的又一实施例的天线结构。图3B是图3A的天线结构的横断面图。图4示意性地图示了根据本专利技术的再一实施例的天线结构。图5示意性地图示了根据本专利技术的实施例的等离子体生成装置。图6是图5的等离子体生成装置的横断面图。图7示意地图示了根据本专利技术的另一实施例的等离子体生成装置。100:天线结构101:感应天线110:外上部112:内上部122:内下部120:外下部具体实施方式大型等离子体处理装置必须保证高等离子体密度、等离子体密度的均匀性和工艺可重复性。感应耦合等离子体可以获得高等离子体密度。然而，难以保证等离子体的均匀性。现在，将参照其中示出了本专利技术的优选实施例的附图对本专利技术进行详细地说明。然而，专利技术构思不限于此。更确切地说，本文中引入的实施例被提供用来使公开的内容变得全面和完善，并且将本专利技术的精神充分地提供给本领域技术人员。在附图中，可能夸张地图示了层（或膜）和区域的厚度。此外，在将层（或膜）描述为“放置在另一层（或膜）或基板上”的情况下，层（或膜）可以直接地放置在另一层（或膜）或基板上或在中间隔有第三层（或膜）的情况下放置在另一层（或膜）或基板上。在整个说明书中用相同的附图标记表示相同的构成元件。图1A示意性地图示了根据本专利技术的实施例的天线结构。图1B是图1A的天线结构的平面图。图1C是沿着图1B的线I-I’截取的横截面图。参照图1A至图1C，天线结构100可以包括具有相同结构、彼此并行连接且重叠布置的四个感应天线101。每个感应天线101可以包括：布置在第一层的第一象限的外上部110；与外上部110连接且布置在第一层的第二象限的内上部112；与内上部112连接且布置在第二层的第三象限的内下部122，所述第二层布置在所述第一层的下部；和与内下部122连接且布置在第二层的第四象限的外下部120。各外上部110的一端P1、P2、P3和P4可以供给有RF电源，且各外下部120的另一端G1、G2、G3和G4可以接地。感应天线101可以相对于中心轴线旋转90度以彼此重叠。在根据本专利技术的实施例的天线结构100中，四个感应天线101可以彼此并联地电连接。这可以使天线结构100具有低阻抗，以此施加高电流。此外，每个感应天线101可以在不断开的情况下互相连接以形成环路。在此情况下，多个感应天线101可以实质上形成闭合环路以生成最大的感应电动势。天线结构100的对称形状能够使在旋转方向上的等离子体对称性质得以提高。此外，外上部110和外下部120可以在外部形成等离子体，且内上部112和内下部122可以在内部形成等离子体。因此，可以提高等离子体的径向均匀性。感应天线101可以在第一层处供给有RF电源且在第二层处接地。此外，电流可以在一个方向（诸如顺时针方向或逆时针方向等）上流过感应天线101。因此，通过双层结构能够抑制这样的现象：由于在供给RF电源的位置处的电容耦合和电感耦合导致等离子体密度局部增大。外上部110可以具有第一曲率半径，且可以布置在第一层的第一象限处。外上部110可以是由金属或金属合金形成的带状或管状。理想地，外上部110可以由银或镀金铜形成。外上部110可以具有从几毫米到几十毫米的厚度。理想地，外上部110可以具有从10毫米到20毫米的厚度。外上部110能够具有大约几毫米的厚度。外上部110的一端可以供给有RF电源。外上部110可以对称地布置以形成外围区域。内上部112可以具有第二曲率半径，且可以布置在大体上与第一层相同平面处的第二象限。内上部112可以布置在由外上部110形成的区域内。第一曲率半径可以大于第二曲率半径。电流可以在顺时针方向上流入感应天线101。内上部112可以与外上部相邻，且可以在旋转方向上连续地布置。上分支114可以连接外上部110的另一端和内上部112的一端。上分支114可以由与外上部110的材料相同的材料形成。上分支114和外上部110可以通过诸如螺栓和/或焊接等电连接方式连接。上分支114和内上部112可以通过诸如螺栓和/或焊接等电连接方式连接。垂直分支130可以连接内上部112的另一端和内下部122的一端。垂直分支130可以连接上述第一层和上述第二层。内下部122可以与内上部112相邻，且可以在旋转方向上连续地布置。内下部122可以布置在第二层，所述第二层布置在第一层下方。内下部122可以布置在第三象限。第一层与第二层之间的间隔可以是几毫米至几十毫米。理想地，第一层与第二层之间的间隔可以是10毫米至15毫米。内下部122可以具有第二曲率半径。在第一层与第二层之间可以布置有绝缘体103。下分支124可以连接内下部122的另一端和外下部120的一端。外下部120可以布置在第二层的第四象限。外下部120可以具有第一曲率半径。外下部120的另一端可以接地。内下部122和内上部112的宽度可以宽于外下部120和外上部110的宽度。因此，可以减小由外上部110和外下部120形成的等离子体生成空间，且可以增大由内上部112和内下部122形成的等离子体生成空间。这意味着可以提高在径向方向上的等离子体均匀性。为了根据大型等离子体生成装置形成大面积等离子体，供给至上述天线结构的RF电源可以达到将近数KW到数十KW。此外，可能需要装置的简单化。近年来，为了根据大型等离子体生成装置形成大面积等离子体，供给到天线结构的RF电源可以达到将近数KW到数十KW。因此，冷却可能是天线结构100的热稳定性所需要的。此外，可能需要装置的简单化。因此，感应天线101可以具有管状，且可以由诸如空气或流体等制冷剂冷却。制冷剂可以流经感应天线101的内部。图2A示意性地图示了根据本专利技术的另一实施例的天线结构。图2B是图2A的天线结构的平面图。图2C是沿着图2B的线II-II’截取的横截面图。参照图2A至图2C，天线结构200可以包括具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体生成的天线结构，其包括：四个感应天线，四个所述感应天线具有相同的结构，彼此并联连接并且是重叠布置的，其中，所述感应天线包括：外上部，所述外上部布置在第一层的第一象限；内上部，所述内上部与所述外上部连接且布置在所述第一层的第二象限；内下部，所述内下部与所述内上部连接且布置在第二层的第三象限，所述第二层布置于所述第一层的下部；和外下部，所述外下部与所述内下部连接且布置在所述第二层的第四象限，其中，所述外上部的一端被供给有RF电源，且所述外下部的另一端接地。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于等离子体生成的天线结构，其包括：四个感应天线，四个所述感应天线具有相同的结构，彼此并联地电连接并且是重叠布置的，其中，所述感应天线包括：外上部，所述外上部布置在第一层的第一象限；内上部，所述内上部与所述外上部连接且布置在所述第一层的第二象限；内下部，所述内下部与所述内上部连接且布置在第二层的第三象限，所述第二层布置于所述第一层的下部；和外下部，所述外下部与所述内下部连接且布置在所述第二层的第四象限，其中，所述外上部的一端被供给有RF电源，且所述外下部的另一端接地。2.如权利要求1所述的天线结构，还包括：上分支，所述上分支连接所述外上部的另一端和所述内上部的一端；垂直分支，所述垂直分支连接所述内上部的另一端和所述内下部的一端；和下分支，所述下分支连接所述内下部的另一端和所述外下部的一端。3.如权利要求1所述的天线结构，其中，所述外上部和所述外下部中的各者具有第一曲率，且所述内上部和所述内下部中的各者具有第二曲率，所述第一曲率的半径大于所述第二曲率的半径。4.如权利要求1所述的天线结构，其中，所述外上部和所述外下部中的各者是以直角弯曲的，且所述内上部和所述内下部中的各者是以直角弯曲的。5.如权利要求1所述的天线结构，其中，在所述第一层与所述第二层之间布置有绝缘层。6.如权利要求1所述的天线结构，其中，所述外上部的宽度和所述外下部的宽度窄于所述内上部的宽度和所述内下部的宽度。7.一种用于等离子体生成的天线结构，其包括：四个感应天线，四个所述感应天线具有相同的结构，彼此并联地电连接，并且是重叠布置的，其中，所述感应天线(101a)包括：外上部(110a)，所述外上部布置在第一层(141)的第一象限；内上部(112a)，所述内上部与所述外上部(110a)连接且布置在第二层(142)的第二象限，所述第二层布置于所述第一层的上部；内下部(122a)，所述内下部与所述内上部(112a)连接且布置在第三层(143)的第三象限，所述第三层布置于所述第二层的下部；和外下部(120a)，所述外下部与所述内下部(122a)连接且布置在第四层(144)的第四象限，所述第四层布置于所述第一层(141)的下部，其中，所述外上部(110a)的一端被供给有RF电源，且所述外下部(120a)的另一端接地...

【专利技术属性】
技术研发人员：李容官，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR