在MRI装置中使用的RF安全的介入式或非介入式仪器制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在MRI装置中使用的RF安全的介入式或非介入式仪器
本专利技术涉及在检查对象的MR成像或MR检查期间使用的RF安全的介入式或非介入式仪器，该仪器由如下元件构成或包括如下元件:至少一个纵向的或细长的导电元件，特别是以用于馈送电信号的导体或导线或线路的形式，或者仪器自身或其组件或部件不提供用于馈送电信号而导电的形式，其中，所有这种元件(“导体”)都受到在仪器或元件暴露于在借助MR成像装置的MR成像或MR检查期间所产生的RF/MR激励场时在元件中感应的RF共模电流。这种仪器和组件或部件分别是例如导管、探针、外科装置、活检针或穿刺针、指示器、植入管、导线编织的插管器护套、导引线或起搏器引线、或者其它侵入性或者任何非侵入性仪器如位置标记器、或者如头部线圈的表面线圈或者局部线圈。通常，可以将以上纵向或细长导电元件定位在仪器上或者构成为仪器的远侧部分或段，和/或可以定位仪器上在或者构成为仪器的近侧部分或段。在后一情况下，这个元件例如是RF传输线或者线缆，用于将仪器与相关RF发射单元、MR接收单元、电源单元或其他的尤其是远程信号接收和/或信号处理单元相连接。
技术介绍
在...
【技术保护点】
一种在MR成像装置中进行MR成像或MR检查期间使用的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述仪器由导体(1、3)构成或包括导体(1、3)，当所述仪器或导体暴露于在进行MR成像或MR检查期间所产生的RF/MR激励场时，所述导体受到在所述导体(1、3)中所感应的RF共模电流，所述仪器的特征在于，通过至少大致在沿所述导体(1、3)的所述RF共模的RF电场强度出现的位置处，特别是与沿所述导体(1、3)的其他位置相比，在增大的或最大的RF电场强度出现的位置或者增大的或最大的RF共模电流出现的位置的这两个位置处，有效地将至少一个电性阻尼元件(4、4a、4b、6)增加到所述导体(1、3...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.22 EP 11190077.5;2011.11.22 US 61/562,4771.一种在MR成像装置中进行MR成像或MR检查期间使用的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述仪器由导体(1、3)构成或包括导体(1、3)，当所述仪器或导体暴露于在进行MR成像或MR检查期间所产生的RF/MR激励场时，所述导体受到在所述导体(1、3)中所感应的RF共模电流，所述仪器的特征在于，通过至少大致在沿所述导体(1、3)的所述RF共模的RF电场强度出现的位置处，特别是与沿所述导体(1、3)的其他位置相比，在增大的或最大的RF电场强度出现的位置或者增大的或最大的RF共模电流出现的位置的这两个位置处，有效地将至少一个电性阻尼元件(4、4a、4b、6)增加到所述导体(1、3)来实现或增大RF安全性，其中，所述阻尼元件(4、4a、4b、6)被选择为电阻性负载、电抗性负载和电介质负载中的至少一种，所述阻尼元件在该位置对所述导体(1、3)上的RF共模电流或RF电场强度进行衰减或抑制。2.根据权利要求1所述的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述阻尼元件是电阻性负载和/或电抗性负载(4)，通过将所述电阻性负载和/或电抗性负载与所述导体(1、3)电流连接来将所述电阻性负载和/或电抗性负载有效地增加到所述导体(1、3)。3.根据权利要求1所述的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述阻尼元件是电阻性负载和/或电抗性负载(4a、4b)，通过将所述电阻性负载和/或电抗性负载与所述导体(1、3)电感耦合来将所述电阻性负载和/或电抗性负载有效地增加到所述导体(1、3)。4.根据权利要求1所述的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述阻尼元件是导线延伸(4)的形式的电阻性负载，通过将所述导线延伸的一端与所述导体(1、3)电流连接来将所述导线延伸有效地增加到所述导体(1、3)，其中，所述导线延伸的另一端保持电开路。5.根据权利要求1所述的RF安全的介入式或非介入式仪器，其中，所述阻尼元件是电介质负载(6)，...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·魏斯，O·利普斯，B·戴维，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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