薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件技术

本发明专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件。涉及显示技术领域，为节约设备成本和能耗而发明专利技术。薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括：将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。本发明专利技术可用于显示器件中。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件。涉及显示
，为节约设备成本和能耗而专利技术。薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括：将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。本专利技术可用于显示器件中。【专利说明】薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件。
技术介绍
近年来，在半导体集成电路或平板显示器中，晶体管的电极、布线趋向于使用导电薄膜。导电薄膜具有低电阻特性，从而使得数字信号的传输速度加快，或者通过降低功率损失而降低功耗。目前，半导体集成电路内的布线层导电薄膜主要采用磁控溅射工艺。然而磁控溅射工艺的设备成本高、功耗大。此外，采用磁控溅射工艺形成的导电薄膜具有这样的缺点:导电薄膜与基底层之间贴覆性差，且电阻较高。
技术实现思路
本专利技术的实施例的主要目的在于，提供一种成本低、功耗小、易于制备的薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案:本专利技术的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括:将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括:将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的有源层上均形成第二银膜；使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括:将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的接触层上均形成第二银膜；使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。可选的，所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。进一步可选的，所述银氨溶液的配置包括:采用I~10wt%的AgNO3溶液与I~10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或所述还原试剂的浓度为:2~20wt% ;或控制所述银镜反应的pH为7~12 ;或控制所述银镜反应的温度为50~80°C。优选的，控制所述银镜反应的pH为9~10。本专利技术的第二方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括:将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；去除所述基板上一个表面上的第一银膜，保留所述基板上另一个表面上的第一银膜；使保留的第一银膜形成栅极。可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括:将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述有源层上形成第二银膜；使所述基板上的所述第二银膜分别形成源极和漏极。可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括:将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述有源层上形成第二银膜；使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。可选的，所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。进一步可选的，所述银氨溶液的配置包括:采用I?10wt%的AgNO3溶液与I?10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或所述还原试剂的浓度为:2?20wt% ;或控制所述银镜反应的pH为7?12 ;或控制所述银镜反应的温度为50?80°C。优选的，控制所述银镜反应的pH为9?10。本专利技术的第三方面提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为根据本专利技术第一方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备而成。本专利技术的第四方面提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为根据本专利技术第二方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备而成。本专利技术的第五方面提供了一种单面显示器件，所述显示器件包括根据本专利技术第三方面提供的薄膜晶体管。本专利技术的第六方面提供了 一种双面显示器件，所述显示器件包括根据本专利技术第四方面提供的薄膜晶体管。本专利技术提供的薄膜晶体管及其制备方法、单面和双面显示器件，包括栅极的制备，即通过银镜反应在基板上形成银膜进而制备栅极。该制备栅极的方式节省设备和功耗，并且由于反应本身的特性，在基板上形成的银膜与基板的粘附性好，进而提高了薄膜晶体管整体的性能。此外，由于金属银比其他现有的栅极金属材料的电阻小，从而又进一步降低了能耗并提高了显示器件的发光效率。【专利附图】【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制备方法流程图；图2为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制备方法流程图；图3为本发 明实施例提供的TN型薄膜晶体管的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的FFS型薄膜晶体管的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制备方法流程图；图6为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的制备方法流程图。附图标记I——基板2——栅极 3——绝缘层4-a-Si:H 5-n+a-Si:H6-源极7——漏极8——绝缘层9——像素电极【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图对本专利技术实施例的薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件进行详细描述。本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，如图1所示，所述栅极的制备包括:101、将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜。银氨溶液即硝酸银的氨水溶液，向硝酸银溶液中滴加氨水溶液至最初的的白色沉淀刚好完全消失，即得到银氨溶液。该溶液需要即用即配。将基板浸没于所配置的银氨溶液中，然后滴加还原试剂。银氨溶液是一种弱的氧化剂，还原试剂与其反应，使得金属银均匀附着在基板的两个表面上，形成银膜，为与后面实施例中描述的用于制备源极和漏极的银膜相区分，将形成栅极的银膜称为第一银膜，将形成源极和漏极的银膜称为第二银膜。可以理解，所述第一、第二仅出于区分的目的，并不对步骤时序及银膜本身构成起到限定作用。可选的，还原试剂可以为葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。优选的，可以为葡糖糖溶液。可选的，采用I~10wt%的AgNO3溶液与I~10wt%的氨水溶液配置银氨溶液。进一步优选的采用采用I~5wt%的AgNO3溶液与I~5wt%的氨水溶液配置银氨溶液。可选的，所述还原试剂的浓度为:2~本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，其特征在于，所述栅极的制备包括：将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，刘震，孙冰，曹占锋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11