一种电流喷射式音频功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种电流喷射式音频功率放大器，包括输入端，电阻R0、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11，电容E1、结型场效应管J1、J2，三极管N1、P1、N2、P2、N3、P3，发光二极管LED1、LED2，电容C1、C2，MOS场效应管Q1、Q2，负载电阻RL和输出端；本发明专利技术巧妙地通过一组双路低电压±12V电源和输出功率级的高电压+VDD、-VSS端配合，通过电路拓朴变换，使输入端电流型输入的小信号在末级转化为电压增益恒定的输出特性，具有带宽高、失真小、信噪比高、动态大、声道分离度优良且生产工艺要求低、元器件易配对等优点，同时功耗低、可方便加入音频处理器监控调节各管工作点和可与动态电源配合使用，信号输入接口可使用电流型DAC直驱。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及音频功率放大器
，具体涉及一种电流喷射式音频功率放大器。
技术介绍
目前传统的音频功率放大器其原理图如附图1所示，为保证电压放大的低失真，上述电路采用了共射共基电路差分放大形式，音频信号经过菱形差分电路放大并反相后，获得第二级所需要的电平及阻抗匹配跟第二级电压放大级直接耦合，第二级电压放大级经过再次反相放大获得高电压摆幅后驱动第三级电流放大级工作，信号经过第三级电流放大级0dB电压增益放大后，驱动负载输出，通过差分大环路负反馈来对消信号误差，达到低失真输出的目的。但上述传统音频功率放大器存在以下不足：1、带宽低，工作带宽为50KHz-1dB左右，该带宽对于20KHz音频频段显得非常的窄小，导致音频高频段TIM失真大，且高频段容易产生自激，需要加入电容C1、电容C2、电阻R22、电容C3来消除振铃式自激；2、失真大，经过两级反相放大的共射电路并不能获得跟输入信号相位完全匹配的反馈信号，两级反相后相位开始发生偏差，工作频率越高相位失真越大，由大环路反馈引发的瞬态互调失真加巨；3、信噪比低，电压信号被几十倍的放大，电压摆幅高达几十伏，信号噪声也将被同步放大,限制了信噪比提高；4、动态小；5、声道分离度差；6、电路结构复杂且元器件配对工艺难度大。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术旨在提供一种输出功率高、音频带宽高、失真小、信噪比高、动态大、声道分离度优良且生产工艺要求低、元器件不需配对的电流喷射式音频功率放大器。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种电流喷射式音频功率放大器，包括输入端、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C1、电容C2、发光二极管LED1、发光二极管LED2、电容E1、结型场效应管J1、结型场效应管J2、三极管N1、三极管P1、三极管N2、三极管P2、三极管N3、三极管P3、MOS场效应管Q1、MOS场效应管Q2、负载电阻RL和输出端；所述输入端两接线端分别连接电阻R0和信号地两端，电阻R1一端接R0，另一端接输出端；电阻R2一端分别连接电阻R0和电阻R1，另一端接输出地；结型场效应管J1、结型场效应管J2接成N、P沟道互补共源输出电路结构，其源极通过电阻R3分别连接三极管N2发射极和三极管P2发射极，上述三极管N2、三极管P2接成互补共基电路，三极管N2基极分别连接电阻R6、电阻R8和电解电容E1正极，三极管P2基极分别连接电阻R7一端、电解电容E1负极和电阻R8另一端，三极管P1、发光二极管LED1、电阻R4和三极管N1、发光二极管LED2、电阻R5分别接成上下对称的两个恒流源，所述三极管P1发射极接电阻R4一端，R4另一端接发光二极管LED1阳极和12V电源正极，发光二极管LED1阴极接三极管P1基极和结型场效应管J1漏极；所述三极管N1发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端接发光二极管LED2阴极和12V电源负极，发光二极管LED2阳极接三极管N1基极和结型场效应管J2漏极；三极管P1集电极分别连接三极管N2集电极和三极管N3基极，三极管N1集电极分别连接三极管P2集电极和三极管P3基极，电阻R9一端分别接R6一端、三极管N3发射极和MOS场效应管Q1栅极，电阻R9另一端分别接R7一端、三极管P3发射极和MOS场效应管Q2栅极，MOS场效应管Q1源极串联连接电阻R10，MOS场效应管Q2源极串联连接电阻R11，电阻R10和电阻R11另一端并联作为输出端；放大器输入端信号地并联在所述输出端上，构成参照地浮动式结构，输入端信号源可接电流型数字模拟转换器输出或音频输入隔离变压器。本专利技术具有如下有益效果：本专利技术一种电流喷射式音频功率放大器，巧妙地通过一组双路低电压±12V电源和输出功率级的高电压配合，可提高输出端最大输出电压，且不会给三极管N3、P3造成大的耗散，且三极管N3、P3驱动电流能力大大增强；通过巧妙设计的电路拓朴变换电阻R0、R1、R2反馈网络，使输入端电流型输入的小信号在末级转化为恒增益电压输出特性，具有带宽高、失真小、信噪比高、动态大、声道分离度优良且生产工艺要求低、元器件易配对、不易自激调试简单等优点，可方便加入音频处理器使用动态电源技术构建成I类功放等优点，解决了传统音频功率放大器存在的带宽低、失真大、信噪比低、动态小、声道分离度差和元器件难配对等技术和工艺问题。在实际测试中MOS场效应管Q1、Q2仅一对管就可以输出1000W以上的功率，电流喷射电路仅需要一对P、N沟道互补的输出管。附图说明图1为传统音频功率放大器电路拓扑结构图；图2为本专利技术一种电流喷射式音频功率放大器的电路拓扑结构图；图3为本专利技术一种电流喷射式音频功率放大器接入音频处理器的电路拓扑结构图。具体实施方式下面结合附图及具体实施例，对本专利技术作进一步的描述，以便于更清楚的理解本专利技术要求保护的技术思想。如图2所示为本专利技术一种电流喷射式音频功率放大器，包括输入端、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C1、电容C2、发光二极管LED1、发光二极管LED2、电容E1、三极管N1、三极管P1、三极管N2、三极管P2、三极管N3、三极管P3、MOS场效应管Q1、MOS场效应管Q2、负载电阻RL和输出端；所述输入端两接线端分别连接电阻R0和信号地两端，电阻R1一端接R0，另一端接输出端；电阻R2一端分别连接电阻R0和电阻R1，另一端接输出地；结型场效应管J1、结型场效应管J2接成N、P沟道互补共源输出电路结构，其源极通过电阻R3分别连接三极管N2发射极和三极管P2发射极，上述三极管N2、三极管P2接成互补共基电路，三极管N2基极分别连接电阻R6、电阻R8和电解电容E1正极，三极管P2基极分别连接电阻R7一端、电解电容E1负极和电阻R8另一端，三极管P1、发光二极管LED1、电阻R4和三极管N1、发光二极管LED2、电阻R5分别接成上下对称的两个恒流源，所述三极管P1发射极接电阻R4一端，R4另一端接发光二极管LED1阳极和12V电源正极，发光二极管LED1阴极接三极管P1基极和结型场效应管J1漏极；所述三极管N1发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端接发光二极管LED2阴极和12V电源负极，发光二极管LED2阳极接三极管N1基极和结型场效应管J2漏极；三极管P1集电极分别连接三极管N2集电极和三极管N3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流喷射式音频功率放大器，其特征在于：包括输入端、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电容C1、电容C2、发光二极管LED1、发光二极管LED2、电容E1、结型场效应管J1、结型场效应管J2、三极管N1、三极管P1、三极管N2、三极管P2、三极管N3、三极管P3、MOS场效应管Q1、MOS场效应管Q2、负载电阻RL和输出端；所述输入端两接线端分别连接电阻R0和信号地两端，电阻R1一端接R0，另一端接输出端；电阻R2一端分别连接电阻R0和电阻R1，另一端接输出地；结型场效应管J1、结型场效应管J2接成N、P沟道互补共源输出电路结构，其源极通过电阻R3分别连接三极管N2发射极和三极管P2发射极，上述三极管N2、三极管P2接成互补共基电路，三极管N2基极分别连接电阻R6、电阻R8和电解电容E1正极，三极管P2基极分别连接电阻R7一端、电解电容E1负极和电阻R8另一端，三极管P1、发光二极管LED1、电阻R4和三极管N1、发光二极管LED2、电阻R5分别接成上下对称的两个恒流源，所述三极管P1发射极接电阻R4一端，R4另一端接发光二极管LED1阳极和12V电源正极，发光二极管LED1阴极接三极管P1基极和结型场效应管J1漏极；所述三极管N1发射极接电阻R5一端，电阻R5另一端接发光二极管LED2阴极和12V电源负极，发光二极管LED2阳极接三极管N1基极和结型场效应管J2漏极；三极管P1集电极分别连接三极管N2集电极和三极管N3基极，三极管N1集电极分别连接三极管P2集电极和三极管P3基极，电阻R9一端分别接R6一端、三极管N3发射极和MOS场效应管Q1栅极，电阻R9另一端分别接R7一端、三极管P3发射极和MOS场效应管Q2栅极，MOS场效应管Q1源极串联连接电阻R10，MOS场效应管Q2源极串联连接电阻R11，电阻R10和电阻R11另一端并联作为输出端；放大器输入端信号地并联在所述输出端上，构成参照地浮动式结构，输入端信号源可接电流型数字模拟转换器输出或音频输入隔离变压器。...

【技术特征摘要】
1.一种电流喷射式音频功率放大器，其特征在于：包括输入端、电阻R0、电阻R1、电
阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、
电阻R11、电容C1、电容C2、发光二极管LED1、发光二极管LED2、电容E1、结型场
效应管J1、结型场效应管J2、三极管N1、三极管P1、三极管N2、三极管P2、三极管
N3、三极管P3、MOS场效应管Q1、MOS场效应管Q2、负载电阻RL和输出端；所述
输入端两接线端分别连接电阻R0和信号地两端，电阻R1一端接R0，另一端接输出端；
电阻R2一端分别连接电阻R0和电阻R1，另一端接输出地；结型场效应管J1、结型场效
应管J2接成N、P沟道互补共源输出电路结构，其源极通过电阻R3分别连接三极管N2
发射极和三极管P2发射极，上述三极管N2、三极管P2接成互补共基电路，三极管N2
基极分别连接电阻R6、电阻R8和电解电容E1正极，三极管P2基极分别连接电阻R7
一端、电解电容E1负极和电阻R8另一端，三极管P1、发光二极管LED1、电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：江山，
申请(专利权)人：佛山市顺德区龙睿电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44