液晶显示面板、薄膜晶体管基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种液晶显示面板、薄膜晶体管基板及其制造方法。该液晶显示面板包括第一基板、第二基板及液晶层，该第一基板包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，该公共电极层与该像素电极用于产生平行电场驱动液晶层的液晶分子在平面内旋转，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。该液晶显示面板的开口率较高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。该液晶显示面板包括第一基板、第二基板及液晶层，该第一基板包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，该公共电极层与该像素电极用于产生平行电场驱动液晶层的液晶分子在平面内旋转，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。该液晶显示面板的开口率较高。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
液晶显示面板通常包括薄膜晶体管基板、与薄膜晶体管基板相对设置的彩色滤光片基板及夹于二基板之间的液晶层。通常地，薄膜晶体管基板上设置有不透光的薄膜晶体管及驱动线路，彩色滤光片基板上设置有黑矩阵，其中，该黑矩阵需要对应薄膜晶体管及驱动线路设置，以将该薄膜晶体管及驱动线路遮蔽，来避免漏光现象的发生。然而，由于薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板分别是独立制作再通过框胶结合在一起的，在将薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板结合于一体时，黑矩阵与薄膜晶体管及驱动线路之间容易出现对位偏差，导致液晶显示面板的开口率降低。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种开口率较高的液晶显示面板。有鉴于此，有必要提供一种开口率较高的薄膜晶体管基板及其制造方法。—种液晶显不面板，其包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板及夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，该公共电极层与该像素电极用于产生平行于该第一基板的电场驱动液晶层的液晶分子在平面内旋转，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。一种液晶显示面板，其包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。—种薄膜晶体管基板，其包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括如下步骤:提供第一基板，其中该第一基板包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极及与该像素电极绝缘设置的公共电极层；及在该第一基板上依序沉积金属层、绝缘遮光层及滤光层，提供具有特定图案的掩膜对准该滤光层曝光，并对曝光后的滤光层进行显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案，进一步对该绝缘遮光层及金属层进行蚀刻，再移除该滤光层，进而形成预定图案的公共电极线与该黑矩阵，其中该公共电极线与该公共电极层电连接，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。与现有技术相比较，本专利技术液晶显示面板、薄膜晶体管基板的制造方法中，黑矩阵设置于该薄膜晶体管基板上，黑矩阵与薄膜晶体管在同一基板上相较于黑矩阵与薄膜晶体管在不同基板上更容易对位，进而可以改善现有技术的黑矩阵与薄膜晶体管的对位偏差的问题，提高开口率。另外，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应，使得该黑矩阵与该公共电极线可以在同一道掩膜制造过程中形成，使得该液晶显示面板及薄膜晶体管基板的所需掩膜数量较少，制造过程较为简单。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术液晶显示面板第一实施方式的剖面示意图。图2是本专利技术液晶显示面板第二实施方式的剖面示意图。主要元件符号说明 液晶显示面板10、20 第一基板11 第二基板12 液晶层13 液晶分子131 第一基底110 薄膜晶体管111 钝化层112 像素电极113、213 公共电极层114、214 公共电极线115 黑矩阵116 栅极1110 源极1111 汲极1112 沟道层1113 光遮蔽层141 第一隔离层组142 栅极绝缘层143 第二隔离层组144 绝缘层145 第一导通孔151 第二导通孔152 第三导通孔153 红色滤光单元R 绿色滤光单元G 蓝色滤光单元 B 第一开口118、218 第二开口117 如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本专利技术。【具体实施方式】请参阅图1,图1是本专利技术液晶显示面板10第一实施方式的剖面示意图(其中所述剖面可以是包括阶梯状剖面)。该液晶显示面板10包括第一基板11、与该第一基板11相对设置的第二基板12及夹于该第一基板11与该第二基板12之间的液晶层13。该第一基板11包括第一基底110、设置于该第一基底110上的薄膜晶体管111、覆盖该薄膜晶体管111的钝化层112、与该薄膜晶体管111电连接的像素电极113、与该像素电极113绝缘设置的公共电极层114、与该公共电极层114电连接的公共电极线115及与该公共电极线层叠设置的黑矩阵116。优选地，该公共电极线115与该黑矩阵116是在同一道掩膜制造过程中形成，从而该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应，刚好上下重迭。其中，该液晶显示面板10可以是平面电场切换型(In-Plane Switching, IPS)液晶显示面板或边缘电场切换型(Fringing Field Switching, FFS)液晶显示面板,该公共电极层114与该像素电极113用于产生基本平行于该第一基板11的电场驱动液晶层13的液晶分子131在平面内旋转。优选地，该钝化层112为彩色滤光层，该彩色滤光层与该黑矩阵116配合构成该液晶显示面板10的彩色滤光片。该薄膜晶体管111可以是低温多晶硅薄膜晶体管，其包括栅极1110、源极1111、汲极1112及沟道层1113。该第一基底110为透明基底，如玻璃基底。该第二基板12也可以为透明基板。该第一基板11还包括光遮蔽层141、第一隔离层组142、栅极绝缘层143、第二隔离层组144及绝缘层145。具体地，该光遮蔽层141设置于该第一基底110上。该第一隔离层组142覆盖于该光遮蔽层141上，其可以包括三层隔离层，该三层隔离层的材料可以自下而上依序为氧化硅、氮化硅及氧化硅。该沟道层1113设置于该第一隔离层组142上，其包括轻掺杂区及重掺杂区。该栅极绝缘层143覆盖该沟道层1113上，其材料可以为氧化硅。该栅极1110设置于该栅极绝缘层143上，本实施方式中，该薄膜晶体管111可以为双栅极型薄膜晶体管。该第二隔离层组144设置于该栅极1110上，其可以包括自下而上的氮化硅及氧化硅。该第二隔离层组144及该栅极绝缘层143还设置有贯穿该第二隔离层组144及该栅极绝缘层143的第一导通孔151及第二导通孔152。该源极1111及该汲极1112设置在该第二隔离层组144上，且该源极1111通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示面板，其包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板及夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该第一基板包括第一基底、设置于该第一基底上的薄膜晶体管、覆盖该薄膜晶体管的钝化层、与该薄膜晶体管电连接的像素电极、与该像素电极绝缘设置的公共电极层、与该公共电极层电连接的公共电极线、及黑矩阵，其特征在于：该公共电极层与该像素电极用于产生平行于该第一基板的电场驱动液晶层的液晶分子在平面内旋转，该公共电极线及该黑矩阵层叠设置，并且该公共电极线及该黑矩阵的形状与位置相互对应。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志隆，
申请(专利权)人：业鑫科技顾问股份有限公司，新光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71