【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】从具有非均匀热阻的坩埚制造晶体材料的装置
本专利技术涉及坩埚形成装置,用于通过定向固化制造晶体材料,设置有底部和至少一个侧壁。
技术介绍
光伏工业上所用的硅大部分是多晶结构的结晶硅,即单晶晶粒而不相对于彼此固定取向并且由晶粒边界围绕。这种类型材料的生长在布里奇曼型结晶炉中的坩埚中进行。如图1所不,i甘祸10具有底部2,由籽晶3部分覆盖。为了改善获得材料中晶粒的定向,籽晶,即生长核,沉积在坩埚的底部。然后,硅给料沉积在坩埚中,然后融化,注意不全部融化籽晶。然后以从籽晶执行液态浴(liquidbath)的固化,从其表面结晶方向以限定方式开始结晶。该技术,称为籽晶上生长,使硅的生长条件能更好地控制,但是存在与坩埚中有籽晶相关的另外的限制。坩埚内的热梯度必须完美地控制以防止籽晶的全部分解。因此,如果熔化浴与至少部分保持固态的籽晶接触,则可仅发生晶体材料从籽晶固化。该特定设置对坩埚内的热梯度给出很大的限制,并且主要就考虑籽晶而言。在文件W02010/005705中,热交换器仅设置在标记为70的反向坩埚内的籽晶之下。该特定结构通过籽晶实现液态浴的冷却,从而降低熔化籽晶的风险。然而,该结构也导致产生不平行于坩埚底部的等温线,这对获得的晶体材料的电性能有害。文件US2011/0180229描述了一种坩埚,该坩埚的复合底部表面限定具有用于热传递的不同热特性的区域。文件CN101979718和CN101935869中给出类似的教导,其描述了底部表面设置有几个缺口的坩埚。
技术实现思路
本专利技术的一个目标是提供至少部分地克服上述不足的坩埚形成装置。该目标倾向于通过根据 ...
【技术保护点】
一种坩埚形成装置,用于通过定向固化而制造晶体材料,包括底部(2)和至少一个侧壁(4),其中该底部(2)包括:具有第一热阻的第一部分(2a)和具有低于该第一热阻的第二热阻的第二部分(2b),并且设计为容放用于制造所述晶体材料的由第二晶体材料制造的籽晶(3),该底部(2)和该至少一个侧壁(4)至少部分地由紧密密封件(1)形成,该紧密密封件(1)包括至少一个参与限定所述第一和第二部分(2a、2b)的缺口,该装置的特征在于,该第一部分(2a)由具有附加第一热阻的第一抗粘合层(9、9a)覆盖,并且该第二部分(2b)由具有低于该第一热阻的附加第二热阻的第二抗粘合层(9b)覆盖,或者该第二部分(2b)没有抗粘合层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.05 FR 11026901.一种坩埚形成装置,用于通过定向固化而制造晶体材料,包括底部(2)和至少一个侧壁(4),其中该底部(2)包括: 具有第一热阻的第一部分(2a)和具有低于该第一热阻的第二热阻的第二部分(2b),并且设计为容放用于制造所述晶体材料的由第二晶体材料制造的籽晶(3), 该底部(2)和该至少一个侧壁(4)至少部分地由紧密密封件(I)形成,该紧密密封件(1)包括至少一个参与限定所述第一和第二部分(2a、2b)的缺口, 该装置的特征在于,该第一部分(2a)由具有附加第一热阻的第一抗粘合层(9、9a)覆盖,并且该第二部分(2b)由具有低于该第一热阻的附加第二热阻的第二抗粘合层(9b)覆盖,或者该第二部分(2b)没有抗粘合层。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于该第一抗粘合层(9a)比该第二抗粘合层(9b)厚。3.根据权利要求1和2中之一所述的装置,其特征在于该第一抗粘合层(9a)与该第二抗粘合层(9b)由相同的材料制造。4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于该装置包括多个第一和第二部分(2a、2b),该多个第一和第二部分(2a、2b)之间交替,从第一侧壁(4)到相对的第二侧壁⑷。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其特征在于该紧密密封件(I)的该底部(2)的该内壁包括代表该第二部分(2b)的缺口。6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置,其特征在于该紧密密封件(I)的该底部(2)的该内壁是平坦的。7.根据权利要求1至5中任一项所述的装置,其特征在于该紧密密封件(I)的该底部(2)的该外壁包括代表该第一部分(2a)的缺口,并且该装置包括位于代表该第一部分(2a)的该缺口中的附加部分(8B),该附加部分(SB)构造为使其热阻与该紧密密封件(I)在该第一部分(2a)位置的热阻之和大于该紧密密封件(I)在该第二部分(2b)位置的热阻值。8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于该附加部分(SB)由热阻率高于该紧密密封件(I)的该底部的热阻率的材料制造。9.一种根据权利要求1至8中任一项的用于定向固化的坩埚的制造方法,该坩埚包括底部(2)和至少一个侧壁(4),其特征在于该方法包括: 在该坩埚(10)的该底部(2)上形成掩模(11)从而限定由该掩模(11)覆盖的区域和未覆盖区域, 沉积涂层(12),该涂层(12)设计为形成抗粘合层, 去除该掩模(11), 退火该涂层(12)以形成该第一抗粘合层(9)。10.根据权利要求9所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:F库斯蒂尔,D卡梅尔,A儒伊尼,E皮汉,
申请(专利权)人:原子能和代替能源委员会,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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