【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种半导体制冷器及半导体制冷装置。该半导体制冷器包括：第一基板、第二基板，以及设置在第一基板和第二基板之间的至少两个半导体电偶；还包括：设置在第一基板和第二基板之间的侧墙，侧墙围绕在至少两个半导体电偶外围；所述侧墙包括固定连接在所述第一基板和第二基板之间的胶粘层，以及位于第一基板和第二基板之间的、且固定连接于胶粘层内侧的增强层，增强层的导热系数低于胶粘层。本技术的半导体制冷器，避免了外界潮湿空气等进入到半导体电偶周围产生原电池效应；而且，还可以减少由侧墙引起的第一基板与第二基板间热量损失，有效改善侧墙漏热现象，改善了半导体制冷器的制冷或制热效果，并有利于延长使用寿命。【专利说明】半导体制冷器及半导体制冷装置
本技术涉及半导体制冷技术，尤其涉及一种半导体制冷器及半导体制冷装置。
技术介绍
半导体制冷器是利用半导体材料的珀尔帖效应制成的、可以产生制冷、或制热作用的芯片。图1为现有技术中的一种半导体制冷器的结构示意图；图2为图1中A-A向剖视图；如图1和图2所示，现有技术中的半导体制冷器包括相对设置的第一基板11、第二基板12，以及设置在第...
【技术保护点】
一种半导体制冷器，包括：第一基板、第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的至少两个半导体电偶；其特征在于，还包括：设置在所述第一基板和第二基板之间的侧墙，所述侧墙围绕在所述至少两个半导体电偶外围；所述侧墙包括固定连接在所述第一基板和第二基板之间的胶粘层，以及位于所述第一基板和第二基板之间的、且固定连接于所述胶粘层内侧的增强层，所述增强层的导热系数低于所述胶粘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高俊岭，罗嘉恒，关庆乐，孔小凤，
申请(专利权)人：广东富信科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。