一种承载硅片的石墨框装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及氮化硅薄膜制备技术领域，尤其涉及一种承载硅片的石墨框装置。承载硅片的石墨框装置，包括石墨框本体，所述石墨框本体上设置有若干个均匀分布的承载孔，且相邻承载孔之间设置有格条，其中，所述格条的宽度为5.5-7.9mm，所述石墨框本体的长度为1691-1760mm；所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔。上述石墨框装置通过对石墨框本体的长度进行优化，以及在石墨框本体上设置U型定位孔，使此石墨框装置能够更好与PECVD机相匹配，并且实现了增加产量的目的。同时对格条的尺寸进行优化，减轻了格条的自身重量，可有效的防止石墨框在使用过程中发生变形。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及氮化硅薄膜制备
，尤其涉及一种承载硅片的石墨框装置。承载硅片的石墨框装置，包括石墨框本体，所述石墨框本体上设置有若干个均匀分布的承载孔，且相邻承载孔之间设置有格条，其中，所述格条的宽度为5.5-7.9mm，所述石墨框本体的长度为1691-1760mm；所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔。上述石墨框装置通过对石墨框本体的长度进行优化，以及在石墨框本体上设置U型定位孔，使此石墨框装置能够更好与PECVD机相匹配，并且实现了增加产量的目的。同时对格条的尺寸进行优化，减轻了格条的自身重量，可有效的防止石墨框在使用过程中发生变形。【专利说明】一种承载硅片的石墨框装置
本技术涉及氮化硅薄膜制备
，尤其涉及一种承载硅片的石墨框装置。
技术介绍
目前，氮化硅薄膜作为晶体硅太阳能电池的光学减反射膜，同时它也起到表面钝化和体内钝化的作用，以提高太阳能电池的转换效率。现有技术中，制备氮化硅薄膜一般采用的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法，如可以采用德国R0TH&RAU公司的PECVD设备。在采用PECVD设备制备氮化硅薄膜的过程中，需要使用一种承载硅片的石墨框。现有的石墨框呈网状结构，其网格的尺寸要比要承载的硅片尺寸略大一些，在网格的四边上均匀分布有多个挂钩，用来承载硅片，以防止硅片掉下去。如图1所示，在现有技术中，生产硅片单晶125型(125X 125mm)的石墨框I丨总长度为1690mm，宽1000mm，石墨框I '有硅片承载孔2 '，大小为127*127mm，硅片承载孔2;的四个角上有倒角，整个硅片承载孔2 '与单晶125相配，两个相邻的硅片承载孔2 '之间有格条3 ',格条3'宽度为8mm,石墨框I 7上下两端的两侧各设有一个半圆型的定位孔4'。石墨框I ^上分布着6X11个硅片承载孔2 '阵列，因此，只能放66片125型娃片。然而，现在市场竞争越来越激烈，需要降低生产制造成本，增加单位时间产能，因此，现有的石墨框已经不满足现在产量需求，需要一种增加产能的石墨框；同时，现有石墨框设计容易变形，需要变形量小的石墨框。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种承载硅片的石墨框装置，其具有更高的产能，且石墨框在使用过程中不容易发生变形。为达此目的，本技术采用以下技术方案:一种承载硅片的石墨框装置，包括石墨框本体，所述石墨框本体上设置有若干个均匀分布的承载孔，且相邻承载孔之间设置有格条，其中，所述格条的宽度为5.5-7.9mm,所述石墨框本体的长度为1691_1760mm ；所述石墨框本体的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述U型定位孔由长方形和半圆形通孔组成，长方形通孔的长度为l_70mm,宽度为5_8_ ;半圆形通孔的直径为5_8mm,且半圆形通孔的直径与长方形通孔的宽度相等。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述长方形通孔的长度为60mm,宽度为7mm ;半圆形通孔的直径为7mm。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述承载孔为具有倒角的正方形孔。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述正方形孔的宽度为126-126.9mm。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述正方形孔的宽度为126.7mm0作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述格条的宽度为7_。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述石墨框本体的长度为1750mmo作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述承载孔四周的格条上均匀的分布有用于支撑硅片的挂钩。作为上述承载硅片的石墨框装置的一种优选方案，所述石墨框本体上分布有6X12个承载孔。本技术的有益效果为:本申请提供了一种承载硅片的石墨框装置，其通过对石墨框本体的长度进行优化，以及在石墨框本体上设置U型定位孔，使此石墨框装置能够更好与PECVD机相匹配，并且实现了增加产量的目的。同时对格条的尺寸进行优化，减轻了格条的自身重量，可有效的防止石墨框在使用过程中发生变形。【专利附图】【附图说明】图1是现有技术中承载硅片的石墨框装置的结构示意图；图2是本技术【具体实施方式】提供的承载硅片的石墨框装置的结构示意图。其中:1:石墨框本体；2:承载孔；3:格条；4:U型定位孔；I丨:石墨框；2丨:承载孔；3丨:格条；4丨:定位孔。【具体实施方式】下面结合附图并通过【具体实施方式】来进一步说明本技术的技术方案。如图2所示，本实施方式提供了 一种承载硅片的石墨框装置，其适用于在制造氮化硅薄膜过程中承载硅片，尤其适用于生产硅片单晶125型(即硅片的尺寸为125X125mm)。上述石墨框装置包括石墨框本体1，石墨框本体I上设置有若干个均匀分布的承载孔2，且相邻承载孔2之间设置有格条3。其中，格条3的宽度为5.5-7.9_，作为优选的格条的宽度为7mm。石墨框本体I的长度为1691-1760_。作为优选的,石墨框本体I的长度为1750、宽度为1000mm。承载孔2为具有倒角的正方形孔。该正方形孔的宽度为126-126.9mm。作为优选的，正方形孔的宽度为126.7mm。承载孔2的倒角与125型的硅片倒角相匹配。本实施方式通过对石墨框本体I的长度和承载孔的尺寸进行优化，可以实现在石墨框本体上设置6X 12个承载孔2。由此，实现了增加了产量的目的，产量可以增加9%以上。同时，对格条3的尺寸进行了优化，减小了格条的自重，可有效的防止石墨框在使用过程中发生变形。石墨框本体I的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔4。U型定位孔4由长方形和半圆形通孔组成，长方形通孔的长度为l-70mm,宽度为5_8mm ;半圆形通孔的直径为5-8_，且半圆形通孔的直径与长方形通孔的宽度相等。作为优选的，长方形通孔的长度为60mm,宽度为7mm ;半圆形通孔的直径为7mm。且上述格条的优选宽度为7_。长方形通孔的宽度与格条3的宽度一致，这样定位孔的设计为了是其被PECVD的机器腔体里的传感器识别，不产生信号错误，并且也不用改变PECVD机器的结构，就能正常使用。承载孔2四周的格条3上均匀的分布有用于支撑硅片的挂钩，且每个承载孔2四周的格条3上至少设置有4个挂钩。以上结合具体实施例描述了本技术的技术原理。这些描述只是为了解释本技术的原理，而不能以任何方式解释为对本技术保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本技术的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种承载硅片的石墨框装置，包括石墨框本体(I)，所述石墨框本体(I)上设置有若干个均匀分布的承载孔(2)，且相邻承载孔(2)之间设置有格条(3)，其特征在于， 所述格条(3)的宽度为5.5-7.9mm，所述石墨框本体(I)的长度为1691_1760mm ; 所述石墨框本体(I)的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔(4 )。2.根据权利要求1所述的承载硅片的石墨框装置，其特征在于，所述U型定位孔(4)由长方形和半圆形通孔组成，长方形通孔的长度为l-70mm,宽度为5_8本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种承载硅片的石墨框装置，包括石墨框本体（1），所述石墨框本体（1）上设置有若干个均匀分布的承载孔（2），且相邻承载孔（2）之间设置有格条（3），其特征在于，所述格条（3）的宽度为5.5‑7.9mm，所述石墨框本体（1）的长度为1691‑1760mm；所述石墨框本体（1）的左右两侧各设置有两个对称分布的U型定位孔（4）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张春华，李栋，高文丽，孟祥熙，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32