籽晶制造技术

本实用新型专利技术籽晶，包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段；其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段同轴设置；所述第一轴段的直径大于所述第二轴段的直径。所述过渡段的过渡面与所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段所在轴线的夹角为45度。所述第一轴段的直径为20.4毫米。所述第二轴段的直径为5毫米～11毫米。所述籽晶在轴线方向上的长度为150毫米。所述第一轴段在轴线方向上的长度为50毫米。所述籽晶的横截面为圆形。本实用新型专利技术籽晶浸入熔体端的有效截面积大幅缩小，在籽晶与熔体接触的瞬间，整体所受到的热冲击减弱，又因横截面小，热冲击向上延伸的距离也相应减小，以利于抑制热冲击产生的位错向上延展。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术籽晶，包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段；其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段同轴设置；所述第一轴段的直径大于所述第二轴段的直径。所述过渡段的过渡面与所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段所在轴线的夹角为45度。所述第一轴段的直径为20.4毫米。所述第二轴段的直径为5毫米～11毫米。所述籽晶在轴线方向上的长度为150毫米。所述第一轴段在轴线方向上的长度为50毫米。所述籽晶的横截面为圆形。本技术籽晶浸入熔体端的有效截面积大幅缩小，在籽晶与熔体接触的瞬间，整体所受到的热冲击减弱，又因横截面小，热冲击向上延伸的距离也相应减小，以利于抑制热冲击产生的位错向上延展。【专利说明】半子晶
本技术属于半导体制造领域，特别是一种籽晶。
技术介绍
单晶硅是一种半导体材料，一般用于制备集成电路和其它电子元件，目前制各单晶硅时普遍采用的方法为直拉法。直拉法制备单晶硅时采用惰性气体作为保护气体，一般采用如下制各方法:将高纯度的多晶硅装入石英甜塌内，加热熔化，然后将熔化的多晶硅略作降温，给予一定的过冷度，把一支有着特定晶向的单晶硅(称作籽晶)装入籽晶夹中，并使籽晶与多晶硅熔液接触，通过调整多晶硅熔液的温度和籽晶向上的提升速度，使籽晶长大，当单晶硅的直径接近目标直径时，提高籽晶提升速度，使单晶硅近似等直径生长，在单晶硅生长过程的尾期，石英士甘塌内的多晶硅熔体尚未完全消失，通过增加晶体的提升速度和调整石英甜塌内的供给热量，使单晶硅逐渐减小成一个椎体，当锥体的尖足够小时，晶体就会与多晶硅熔液脱落，从而完成单晶硅的生长过程。半导体行业常规大量应用的硅单晶晶向为〈100〉和〈111〉，这两类单晶因其晶格特性，比较容易拉制出无位错的单晶，而〈110〉晶向单晶因其滑移面及方向与单晶生长的方向平行，所以应用常规的热场和工艺，比较不容易在引晶阶段将位错彻底排除，且在放肩阶段和BODY初期NG发生频率比较高，难以拉制完整的无位错单晶硅棒。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可抑制热冲击产生的位错向上延展的籽晶。为解决上述技术问题，本技术籽晶，包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段；其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段同轴设置；所述第一轴段的直径大于所述第二轴段的直径。所述过渡段的过渡面与所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段所在轴线的夹角为45度。所述第一轴段的直径为20.4毫米。所述第二轴段的直径为5毫米?11毫米。所述籽晶在轴线方向上的长度为150毫米。所述第一轴段在轴线方向上的长度为50晕米。所述籽晶的横截面为圆形。本技术籽晶浸入熔体端的有效截面积大幅缩小，在籽晶与熔体接触的瞬间，整体所受到的热冲击减弱，又因横截面小，热冲击向上延伸的距离也相应减小，以利于抑制热冲击产生的位错向上延展。【专利附图】【附图说明】图1为本技术籽晶填充件结构示意图；本技术籽晶附图中附图标记说明:1-第一轴段 2-过渡段 3-第二轴段【具体实施方式】下面结合附图对本技术籽晶作进一步详细说明。如图1所示，本技术籽晶，包括依次连接的第一轴段1、过渡段2及第二轴段3，第一轴段1、过渡段2及第二轴段3同轴设置，横截面为圆形，过渡段2的过渡面与第一轴段1、过渡段2及第二轴段3所在轴线的夹角为45度。第一轴段I的直径为20.4毫米，第二轴段3的直径为5毫米?11毫米。籽晶在轴线方向上的长度为150毫米，第一轴段I在轴线方向上的长度为50毫米。本技术籽晶浸入熔体端的有效截面积大幅缩小，在籽晶与熔体接触的瞬间，整体所受到的热冲击减弱，又因横截面小，热冲击向上延伸的距离也相应减小，以利于抑制热冲击产生的位错向上延展。以上已对本技术创造的较佳实施例进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。【权利要求】1.籽晶，其特征在于，包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段；其中 所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段同轴设置；所述第一轴段的直径大于所述第二轴段的直径。2.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述过渡段的过渡面与所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段所在轴线的夹角为45度。3.根据权利要求1或2所述的籽晶，其特征在于，所述第一轴段的直径为20.4毫米。4.根据权利要求3所述的籽晶，其特征在于，所述第二轴段的直径为5毫米?11毫米。5.根据权利要求1所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶在轴线方向上的长度为150毫米。6.根据权利要求3所述的籽晶，其特征在于，所述第一轴段在轴线方向上的长度为50毫米。7.根据权利要求1或5所述的籽晶，其特征在于，所述籽晶的横截面为圆形。【文档编号】C30B29/06GK203668550SQ201320842374【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月19日 优先权日:2013年12月19日 【专利技术者】小暮康弘, 贺贤汉, 彭海鹏, 王汉君 申请人:上海申和热磁电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
籽晶，其特征在于，包括依次连接的第一轴段、过渡段及第二轴段；其中所述第一轴段、所述过渡段及所述第二轴段同轴设置；所述第一轴段的直径大于所述第二轴段的直径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：小暮康弘，贺贤汉，彭海鹏，王汉君，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31