【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种IGBT模块,涉及一种具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块。IGBT模块结构中的导热绝缘基板通过焊锡与芯片直接结合,两者的热匹配程度是影响IGBT模块的热可靠性的关键因素之一。本专利技术通过采用热膨胀系数较小的金属(如Mo、Cr等)作为导热绝缘基板的上敷金属材料,实现芯片Si材料与导热绝缘基板的热匹配,减小热应力,从而提高模块的可靠性。【专利说明】具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块
本专利技术涉及一种具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块。
技术介绍
电力电子技术的迅猛发展对电力电子器件的模块化要求日益迫切,同时也对模块的性能提出了更高的要求,如今,功率模块正朝着大功率、高频、高可靠性、低损耗方向发展。因此,对IGBT模块的热可靠性也提出了更高要求。IGBT模块结构中的导热绝缘基板通过焊锡与芯片直接结合,两者的热匹配程度是影响IGBT模块的热可靠性的关键因素之一,目前,导热绝缘基板的上敷金属层采用铜材料,然而,铜材料的热膨胀系数(17.5)与芯片Si材料的热膨胀系数(3)匹配度很低,在两者的界面焊锡层上产生大的应力,带来焊锡开裂等问题,降低了 IGBT模块的寿命和可靠性。鉴于此,迫切需要专利技术一种具有热匹配导热绝缘基板的高可靠性IGBT模块。
技术实现思路
本专利技术针对传统IGBT模块在可靠性上的不足,提供一种具有高可靠性导热绝缘基板的IGBT模块。本专利技术通过改变导热绝缘基板的上敷金属材料,实现芯片Si材料与导热绝缘基板的热匹配,减小热应力,从而提高模块的可靠性。IGBT模块的内部 结 ...
【技术保护点】
IGBT模块,包括基板、导热绝缘基板、绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子和外壳,基板和导热绝缘基板通过钎焊结合,绝缘栅双极型晶体管芯片、二极管芯片和导热绝缘基板之间通过钎焊结合,导热绝缘基板由陶瓷、上敷金属层和下敷铜层构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:郭清,任娜,盛况,汪涛,谢刚,
申请(专利权)人:浙江大学,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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