【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微电极阵列植入式芯片，其特征在于，包括：基底，其前端呈针状，向后逐渐增宽；测试电极层，形成于所述基底上，包括：至少一种的微电极阵列；绝缘层，形成于除所述微电极阵列所在区域之外的基底上；以及参比电极层，形成于所述绝缘层上，与所述测试电极层的微电极阵列相互错开，包括与所述至少一种微电极阵列相对应的参比电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔚文婧，蔡新霞，宋轶琳，刘春秀，蒋庭君，石文韬，林楠森，王蜜霞，徐声伟，
申请(专利权)人：中国科学院电子学研究所，
类型：发明
国别省市：
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