一种聚合物太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种聚合物太阳能电池，包括阳极基底、活性层、电子缓冲层和阴极，所述聚合物太阳能电池还包括形成于阳极基底及活性层之间的量子阱层，所述量子阱层包括n个依次层叠的势垒层及n-1个设置于相邻两个势垒层之间的势阱层，所述n为大于1且小于等于6的整数，所述势垒层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐形成的混合材料，所述势阱层的材料为功函数为-3.0~2.0V的铯盐。另，本发明专利技术实施例还公开了一种聚合物太阳能电池的制备方法。本发明专利技术提供的聚合物太阳能电池，通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到了提高光电转换效率的目的。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术实施例公开了一种聚合物太阳能电池，包括阳极基底、活性层、电子缓冲层和阴极，所述聚合物太阳能电池还包括形成于阳极基底及活性层之间的量子阱层，所述量子阱层包括n个依次层叠的势垒层及n-1个设置于相邻两个势垒层之间的势阱层，所述n为大于1且小于等于6的整数，所述势垒层的材料为聚3,4-二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐形成的混合材料，所述势阱层的材料为功函数为-3.0~2.0V的铯盐。另，本专利技术实施例还公开了一种聚合物太阳能电池的制备方法。本专利技术提供的聚合物太阳能电池，通过调控空穴传输速率，有效提高了空穴和电子的复合几率，最终达到了提高光电转换效率的目的。【专利说明】
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及。
技术介绍
1982年，Weinberger等研究了聚乙炔的光伏性质,制造出了第一个具有真正意义上的太阳能电池，但是当时的光电转换效率极低(10_3%)。紧接着，Glenis等制作了各种聚噻吩的太阳能电池，当时都面临的问题是极低的开路电压和光电转换效率。直到1986年，C.ff.Tang等首次将P型半导体和η型半导体引入到双层结构的器件中，才使得光电流得到了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物太阳能电池，包括阳极基底、活性层、电子缓冲层和阴极，其特征在于，所述聚合物太阳能电池还包括形成于所述阳极基底及所述活性层之间的量子阱层，所述量子阱层包括n个依次层叠的势垒层及n‑1个设置于相邻两个势垒层之间的势阱层，所述n为大于1且小于等于6的整数，所述势垒层的材料为聚3,4‑二氧乙烯噻吩与聚苯磺酸盐形成的混合材料，所述势阱层的材料为功函数为‑3.0~2.0eV的铯盐。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44