共模噪声滤波器具备：第一绝缘层；配置于第一绝缘层的上表面的第一线圈导体；配置于第一绝缘层的下表面的第二线圈导体；覆盖第一线圈导体地配置于第一绝缘层的上表面、含有玻璃和无机填料并具有在内部分散的多个气孔的第二绝缘层；和覆盖第二线圈导体地配置在第二绝缘层的下表面的第三绝缘层。第一绝缘层含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。第二绝缘层覆盖第一线圈导体，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。第三绝缘层覆盖第二线圈导体，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。该共模噪声滤波器能以高成品率得到极其优秀的高频特性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】共模噪声滤波器具备：第一绝缘层；配置于第一绝缘层的上表面的第一线圈导体；配置于第一绝缘层的下表面的第二线圈导体；覆盖第一线圈导体地配置于第一绝缘层的上表面、含有玻璃和无机填料并具有在内部分散的多个气孔的第二绝缘层；和覆盖第二线圈导体地配置在第二绝缘层的下表面的第三绝缘层。第一绝缘层含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。第二绝缘层覆盖第一线圈导体，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。第三绝缘层覆盖第二线圈导体，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。该共模噪声滤波器能以高成品率得到极其优秀的高频特性。【专利说明】
本专利技术涉及具备配置在磁性体基板间的一对线圈导体的。
技术介绍
近年来，伴随着例如USB (Universal Serial Bus,通用串行总线)和HDMI (High-Definition Multimedia Interface,高清晰多媒体接口)等的高速接 口的进一步的高速化，辐射噪声对策成为问题。为此，为了除去被称作成为该辐射噪声的原因的共模噪声，期望能有应对高频的共模噪声滤波器。该共模噪声滤波器具备同向卷绕的2根线圈。通常若使电流流过线圈就会产生磁场，通过自感效应而出现制动效果。共模噪声滤波器的2根线圈利用两者的相互作用来阻止共模噪声的电流的通过。具体地，在2根线圈流过差动模式的电流时，由于这些电流反向地流动，因此从该电流产生磁通相抵，从而电流顺畅地流动。另一方面，由于共模噪声的电流同方向地流过，因此在线圈产生的磁通合成从而相互增强。其结果，通过自感效应引起电动势而使得更强的制动效应发挥作用，能阻止共模噪声电流的通过。专利文献I公开了具备层叠在一对氧化物磁性体层间的多个线圈用导体图案和绝缘层的共模噪声滤波器。上述一对氧化物磁性体层由N1-Zn-Cu系铁氧体构成，绝缘层由Cu-Zn系铁氧体或Zn系铁氧体构成。在该共模噪声滤波器中，通过使2根线圈靠近来合成在线圈产生的磁通，并使其相互增强，来使更强的制动效应发挥作用，期望使作为共模噪声滤波器的功能更好地发挥。但是，由于若使2根线圈接近就会使线圈间的寄生电容变高，因此产生谐振现象，阻碍高频信号电流的通过。伴随近年来的高频化，作为绝缘层使用玻璃系材料。一般而言，铁氧体材料的介电常数为10?15程度，与此相对，添加了低介电常数的二氧化硅系填料的玻璃系材料的介电常数为4?6程度。在专利文献2记载的噪声滤波器中，通过用玻璃系材料形成绝缘层能适当地降低线圈间的寄生电容，结果，比起现有的将非磁性铁氧体材料用在绝缘层的构成，能得到特性良好的噪声滤波器。专利文献3记载了为了得到高频特性良好的电子部件而使用介电常数低的有气孔的材料的陶瓷电子部件和其制造方法。在对置的一对线圈导体间层叠由玻璃系材料且在内部设有多个气孔的绝缘层而得到的层叠体中，能显著降低线圈间的寄生电容，其结果，能得到高频特性极其优秀的共模噪声滤波器。但是，在由N1-Zn-Cu系铁氧体形成上述层叠体的氧化物磁性体层的情况下，氧化物磁性体层、绝缘层以及线圈导体各自由完全不同的材料构成。因此，要想在这些层间不发生裂纹和脱层这样的构造缺陷地一体同时烧成层叠体，非常困难。进而，即使能通过适当地设定烧成条件来实现基于层叠体的各层的同时烧成的一体化，之后在层叠体印刷形成的外部端子电极的烧固等烧成后热处理工序中，也有在线圈导体间的绝缘层产生裂纹的情况。先行技术文献专利文献专利文献I JP特开2003-124028号公报专利文献2 JP特开2004-235494号公报专利文献3 JP特开平11-067575号公报
技术实现思路
共模噪声滤波器具有:第一绝缘层；第一线圈导体，其配置在第一绝缘层的上表面；第二线圈导体，其配置在第一绝缘层的下表面；第二绝缘层，其覆盖第一线圈导体地配置在第一绝缘层的上表面，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔；和第三绝缘层，其覆盖第二线圈导体地配置在第二绝缘层的下表面。第一绝缘层含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。第二绝缘层覆盖第一线圈导体，含有玻璃和无机填料，有在内部分散的多个气孔。第三绝缘层覆盖第二线圈导体，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔。该共模噪声滤波器能以高成品率得到极其优秀的高频特性。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的实施方式I中的共模噪声滤波器的立体图。图2是实施方式I中的共模噪声滤波器的分解立体图。图3是图1所示的共模噪声滤波器的线3-3的截面图。图4是图1所示的共模噪声滤波器的放大截面图。图5是实施方式I中的其它共模噪声滤波器的放大截面图。图6是表示实施方式I中的共模噪声滤波器的制造工序的图。图7是表示实施方式I中的共模噪声滤波器的评价结果的图。图8是本专利技术的实施方式2中的共模噪声滤波器的立体图。图9是实施方式2中的共模噪声滤波器的分解立体图。图10是图8所示的共模噪声滤波器的线10-10中的截面图。图11是图8所示的共模噪声滤波器的放大截面图。图12是表示实施方式2中的共模噪声滤波器的评价结果的图。图13是表示实施方式2中的共模噪声滤波器的制造工序的图。【具体实施方式】(实施方式I)图1和图2分别是本专利技术的实施方式I中的共模噪声滤波器1001的立体图和分解立体图。图3是图1所示的共模噪声滤波器1001的线3-3的截面图。共模噪声滤波器1001具有:绝缘层Ila ;配置在绝缘层Ila的上表面Illa的线圈导体12a ;与线圈导体12a抵接并覆盖线圈导体12a地配置在绝缘层Ila的上表面Illa的绝缘层Ilb ;配置在绝缘层Ila的下表面211a的线圈导体12b ;与线圈导体12b抵接并覆盖线圈导体12b地配置在绝缘层Ila的下表面211a的绝缘层Ilc ;配置在绝缘层Ilb的上表面Illb的氧化物磁性体层15a ;配置在绝缘层Ilc的下表面211c的氧化物磁性体层15b ;与线圈导体12a电连接的引出电极13a ;将线圈导体12a和引出电极13a相连的通孔电极14a ;与线圈导体12b电连接的引出电极13b ;将线圈导体12b和引出电极13b相连的通孔电极14b ;和外部端子电极17。外部端子电极17与线圈导体12a、12b、引出电极13a、13b连接。共模噪声滤波器1001还具有:由与氧化物磁性体层15a相同的材料构成的一个以上的氧化物磁性体层15c ;由与氧化物磁性体层15b相同的材料构成的一个以上的氧化物磁性体层15d ;—个以上的绝缘层16a ;和一个以上的绝缘层16b。绝缘层16a与氧化物磁性体层15a、15c交替层叠。绝缘层16b与氧化物磁性体层15b、15d交替层叠。引出电极13a设于绝缘层Ilb的上表面111b。通孔电极14a从上表面Illb到下表面211b地贯通绝缘层lib。氧化物磁性体层15a与引出电极13a抵接而覆盖引出电极13a地配置在绝缘层Ilb的上表面111b。引出电极13b设于绝缘层Ilc的下表面211c。通孔电极14b从上表面Illc到下表面211c地贯通绝缘层11c。氧化物磁性体层15b与引出电极13b抵接并覆盖引出电极13b地配置在绝缘层Ilc的下表面211c。绝缘层Ila由硼硅酸玻璃和无机填料构成。氧化物磁性体层15a、15b在其间夹持绝缘本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种共模噪声滤波器，具备：第一绝缘层，其含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔；第一线圈导体，其配置在所述第一绝缘层的上表面；第二线圈导体，其配置在所述第一绝缘层的下表面，并隔着所述第一绝缘层与所述第一线圈导体对置；第二绝缘层，其覆盖所述第一线圈导体地配置在所述第一绝缘层的所述上表面，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔；第三绝缘层，其覆盖所述第二线圈导体地配置在所述第二绝缘层的所述下表面，含有玻璃和无机填料，具有在内部分散的多个气孔；第一氧化物磁性体层，其配置在所述第二绝缘层的上表面的上方；和第二氧化物磁性体层，其将所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层夹在所述第二氧化物磁性体层与第一氧化物磁性体层间地配置在所述第三绝缘层的下表面的下方。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田则隆，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：
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