【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光电器件，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。当在有机发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到有机发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到有机发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，例如空穴注入层的材料效能不足，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种发光效率更高、性能更好的有机发光二极管。
技术实现思路
本专利技术的有机发光二极管包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有...
【技术保护点】
一种具有空穴注入层的有机发光二极管，包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，式中，R11为其中，Z为C7～C30烷基或‑CH2CH2‑S‑(C1～C30烷基)，所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，其中，R1选自C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C6‑C14芳基，C3‑C12杂环，C3‑C18杂芳基烷基，C6‑C18芳基烷基或C3‑C7环烷基；R2选自氢，C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C3‑C12杂环，C3‑C18杂芳基烷基，C...
【技术特征摘要】
1.一种具有空穴注入层的有机发光二极管，包括衬底、阳极、空
穴注入层、有机发光层和阴极，其特征在于，
所述空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，
式中，R11为
其中，Z为C7～C30烷基或-CH2CH2-S-(C1～C30烷基)，
所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，
其中，R1选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C6-C14
芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7
\t环烷基；
R2选自氢，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12
杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基；
R3选自氢，卤素，硝基，-NRaRb，-SO2Rc，-SO2NRdRe，-CONRfRg，
-NRhCORi，-NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6
烷基或-ORl；
R4选自氢，卤素，硝基，-NRaRb，-SO2Rc，-SO2NRdRe，-CONRfRg，
-NRhCORi，-NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6
烷基或-ORl；
R5选自氢，卤素，硝基，-NRaRb，-SO2Rc，-SO2NRdRe，-CONRfRg，
-NRhCORi，-NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6
烷基或-ORl；
R6选自氢，卤素，C1-C12烷基，C2-C12烯基，C6-C14芳基，C5-C14
杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7
环烷基或C3-C7环烯基；
A选自-NRjSO2Rk，-ORn，-NRoSO2NRpRq；B选自-CO-，-SO2-；
R1、R6非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素，
硝基，-NRaRb，-SO2Rc，-SO2NRdRe，-CONRfRg，-NRhCORi，-NRjSO2Rk，
叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-ORl；R2非氢
时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素或-ORm；
上述中，Ra，Rb，Rc，Rd，Re，Rf，Rg，Rh，Ri，Rj，Rk，Rl，Rn，
Ro，Rp，Rq独立地选自氢或C1-C6烷基或C6-C14芳基；Rm独立地选
\t自氢或C1-C6烷基。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述Z为
C13～C19烷基或-CH2CH2-S-(C8～C20烷基)。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：张翠，
申请(专利权)人：溧阳市江大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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