【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种有机发光二极管，其依次包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，。本专利技术的发光二极管采用的有机发光层作为高效的发光聚合物，同时采用与其配合优异的聚合物作为空穴注入层，使发光二极管的发光性能得到显著提高。【专利说明】—种具有空穴注入层和电子传输层的有机发光二极管
本专利技术涉及一种光电器件，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。当在有机发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到有机发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到有机发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管...
【技术保护点】
一种具有空穴注入层和电子传输层的有机发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，式中，R11为其中，Z为C7～C30烷基或‑CH2CH2‑S‑(C1～C30烷基)；所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，其中，R1选自C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C6‑C14芳基，C3‑C12杂环，C3‑C18杂芳基烷基，C6‑C18芳基烷基或C3‑C7环烷基；R2选自氢，C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C3‑C1...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张翠，
申请(专利权)人：溧阳市江大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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