一种高效率有机发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种高效率有机发光二极管，其依次包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，电子传输层的材料为丙烯酸系聚合物，本发明专利技术的发光二极管采用的有机发光层作为高效的发光聚合物，同时采用与其配合优异的聚合物作为空穴注入层以及电子传输层，使发光二极管的发光性能得到显著提高。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高效率有机发光二极管，其依次包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，电子传输层的材料为丙烯酸系聚合物，本专利技术的发光二极管采用的有机发光层作为高效的发光聚合物，同时采用与其配合优异的聚合物作为空穴注入层以及电子传输层，使发光二极管的发光性能得到显著提高。【专利说明】一种局效率有机发光二极管
本专利技术涉及一种光电器件，尤其涉及一种发光二极管。
技术介绍
有机发光二极管具有材料成本低廉，驱动电压低，主动发光，视角宽，能耗低等特点，更有易于大面积成型，发光波长可通过分子结构设计而进行调节等优势，可以广泛应用于高分辨全色平面显示器，也可以应用于聚合物太阳能电池。当在有机发光二极管两端加上正向偏压，空穴由正极注入到有机发光层的价带并向负极迁移，电子由负极注入到有机发光层的导带并向正极迁移。空穴和电子在迁移过程中互相俘获，复合成激子，激子态的电子发生辐射跃迁，能量以光子形式释放出去，实现电致发光。但是，现有技术中发光二极管仍存在一些缺陷，例如空穴注入层和电子传输层的材料效能不足，柔性发光二极管的制备工艺复杂，成本高，制备的发光二极管的发光性能不能满足需要，因此希望研发一种发光效率更高、性能更好的有机发光二极管。
技术实现思路
本专利技术的有机发光二极管依次包括衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其中，空穴注入层的材料为具有通式(VIII)的苯并二氢吡喃聚合物，【权利要求】1.一种高效率有机发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其特征在于， 所述空穴注入层的材料为具有通式(VIII)的苯并二氢吡喃聚合物， 2.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素或-ORm ；上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 独立地选自氢或 C1-C6 烷基或 C6-C14芳基；Rm独立地选自氢或C1-C6烷基。3.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述R1选自C6-C14芳基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R2选自C1-C12烷基，C2-C12烯基，C2-C12炔基，C3-C12杂环，C3-C18杂芳基烷基，C6-C18芳基烷基或C3-C7环烷基； R6选自C6-C14芳基，C5-C14杂芳基，C6-C14芳基烷基，C5-C14杂芳基烷基，C3-C12杂环，C3-C7环烷基或C3-C7环烯基； R1^R6可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素，硝基，-NRaRb, -SO2Rc, -SO2NRdRe，-CONRfRg, -NRhCORij-NRjSO2Rk,叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1-C6烷基或-OR1 ；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代:卤素或-ORm ； A为羟基；上述中，Ra，Rb，Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, Ri, Rj, Rk, R1 独立地选自氢或 C1-C6 烷基或 C6-C14 芳基；Rm独立地选自氢或C1-C6烷基。4.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述衬底可以为硬衬底或柔性衬底，其中硬衬底优选玻璃、陶瓷、金属等；柔性衬底优选聚对苯二甲酸乙二酯、有机玻璃坐寸O5.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阳极优选为氧化铟锡。6.如权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述阴极优选为Ag导电胶，也可以是Ag薄膜或Ba/Al薄膜。【文档编号】H01L51/54GK103811665SQ201310545525【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年11月6日 优先权日:2013年11月6日 【专利技术者】张翠 申请人:溧阳市江大技术转移中心有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效率有机发光二极管，包括依次层叠的衬底、阳极、空穴注入层、有机发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，所述空穴注入层的材料为具有通式（VIII）的苯并二氢吡喃聚合物，式中，R11为其中，Z为C7～C30烷基或‑CH2CH2‑S‑(C1～C30烷基)；所述电子传输层的材料为丙烯酸系聚合物，其中包括在酸的作用下产生羧基的通式（VI）和通式（VII）构成的聚合物，式中，R7表示烷基或环烷基，R8表示氢原子或甲基；R9表示叔烷基或2‑四氢吡喃基，R10表示氢原子或甲基；所述有机发光层的材料是具有通式(I)结构的苯并噻吩类聚合物，其中，R1选自C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C6‑C14芳基，C3‑C12杂环，C3‑C18杂芳基烷基，C6‑C18芳基烷基或C3‑C7环烷基；R2选自氢，C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C2‑C12炔基，C3‑C12杂环，C3‑C18杂芳基烷基，C6‑C18芳基烷基或C3‑C7环烷基；R3选自氢，卤素，硝基，‑NRaRb，‑SO2Rc，‑SO2NRdRe，‑CONRfRg，‑NRhCORi，‑NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1‑C6烷基或‑ORl；R4选自氢，卤素，硝基，‑NRaRb，‑SO2Rc，‑SO2NRdRe，‑CONRfRg，‑NRhCORi，‑NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1‑C6烷基或‑ORl；R5选自氢，卤素，硝基，‑NRaRb，‑SO2Rc，‑SO2NRdRe，‑CONRfRg，‑NRhCORi，‑NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1‑C6烷基或‑ORl；R6选自氢，卤素，C1‑C12烷基，C2‑C12烯基，C6‑C14芳基，C5‑C14杂芳基，C6‑C14芳基烷基，C5‑C14杂芳基烷基，C3‑C12杂环，C3‑C7环烷基或C3‑C7环烯基；A选自‑NRjSO2Rk，‑ORn，‑NRoSO2NRpRq；B选自‑CO‑，‑SO2‑；R1、R6非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素，硝基，‑NRaRb，‑SO2Rc，‑SO2NRdRe，‑CONRfRg，‑NRhCORi，‑NRjSO2Rk，叠氮基，氰基，三氟甲基，三氟甲氧基，C1‑C6烷基或‑ORl；R2非氢时可被一种或一种以上的以下基团所任选取代：卤素或‑ORm；上述中，Ra，Rb，Rc，Rd，Re，Rf，Rg，Rh，Ri，Rj，Rk，Rl，Rn，Ro，Rp，Rq独立地选自氢或C1‑C6烷基或C6‑C14芳基；Rm独立地选自氢或C1‑C6烷基。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张翠，
申请(专利权)人：溧阳市江大技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32