一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法技术

一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本发明专利技术一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，包括以下步骤：在ZnS基板表面涂覆Ga；将涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。本专利技术，将液态Ga涂覆于ZnS基板表面，通过热氧化在ZnS基板表面生成ZnO薄膜，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题，该方法操作简单、环境友好，所制备的氧化锌薄膜具有工作电压低、发光稳定等特点。【专利说明】
本专利技术属于光电材料
，具体涉及。
技术介绍
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带(3.37eV)半导体材料，具有大的室温激子束缚能(60meV)，在发光二极管(LED)等光电子器件领域具有重要的应用前景。基于ZnO可以构筑具有P-η结结构和金属-半导体(MS)结构的LED。由于η型ZnO更容易实现，可以通过构筑具有肖特基接触特性的MS结ZnO基LED，实现载流子注入发光，避免了 P型ZnO制备难、性质不稳定等问题。然而现有的肖特基ZnO基LED驱动电压阈值较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，解决了现有肖特基ZnO基LED驱动电压阈值高的问题。本专利技术所采用的技术方案是:，包括以下步骤:本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在ZnS基板表面涂覆Ga，得到涂有Ga的ZnS基板；步骤2，将所述步骤1得到的涂有Ga的ZnS基板置于管式炉中升温至一定温度保温一定时间后冷却至室温，得到肖特基ZnO基LED用氧化锌薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨卿，周小红，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61