【技术实现步骤摘要】
具有传输电路的操控电路和运行方法
本专利技术涉及一种具有用于越过势垒传输信号的传输电路的操控电路,如其在功率半导体模块的驱动器电路中应用的那样。
技术介绍
现有技术尤其由DE102010018997A1形成。该专利文献公开了一种具有传输电路的操控电路,用于将信号从具有第一基础电位的第一电位侧传输到至少一个具有相应第二基础电位的第二电位侧,该操控电路具备带有初级侧与次级侧之间的电容耦合的传输器。在这种情况下,传输器具有两个分支,即具有一个ON-传输分支和一个OFF-传输分支,它们本身分别具有第一子分支和第二子分支,其中,初级侧与次级侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过高压电容器来实施。依据该专利技术的方法,在每个传输分支中,那里的信号产生流过第一子分支的第一HV电容器的电流和流过第二子分支的第二HV电容器的反向电流。相应的电流在次级侧上被探测到并且被输送给两个子分支的共同的评估电路,评估电路在次级侧重构初级侧的输入信号。
技术实现思路
本专利技术的任务在于,通过如下方式改进公知的传输电路,即,使得信号也能够越过如下势垒传输,其中第一电位侧与第二电位侧之间的电压差高于单个高压电容器的介电强度,以及提出一种用于运行这种传输电路的方法。根据本专利技术,该任务通过如下功率电子系统并且通过如下方法来解决。本专利技术包括一种具有传输电路的操控电路,用于越过势垒将信号从具有第一基础电位的第一电位侧传输至具有第二基础电位的第二电位侧,操控电路具备带有初级侧与次级侧之间的电容耦合的电容式起作用的传输装置,其中,传输装置具有正好一个或者两个分支,因此仅具有一个ON-传输分支或者具有 ...
【技术保护点】
一种具有传输电路的操控电路,所述传输电路用于越过势垒将信号从具有第一基础电位的第一电位侧(Pri、Sek)传输至具有第二基础电位的第二电位侧(Sek、Pri),所述操控电路具备带有第一电位侧与第二电位侧之间的电容耦合的电容式起作用的传输装置(80、90),其中,所述传输装置(80、90)具有正好一个或者两个分支,因此仅具有一个ON‑传输分支(82、92)或者具有一个ON‑传输分支(82)和一个OFF‑传输分支(83),它们本身分别具有第一和第二子分支,其中,所述第一电位侧与第二电位侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过串联多个第一高压电容器及第二高压电容器(C1x、C3x,其中x=1...n或者x=1r...nr)来构造,所述高压电容器又与所述第二电位侧上配属的电容器(C2、C4或者C2r、C4r)一起形成各一个串联电路,其中,在相应的传输分支(82、83、92)内部,所述信号直接接在第一子分支上并且经由第二反相器(INV2、INV2r)接在第二子分支上,并且其中,在两个分支中,输入端上的信号(IN)直接接在所述ON‑传输分支(82)上并且经由第一反相器(INV1)接在所述OFF‑传输分 ...
【技术特征摘要】
2012.11.07 DE 102012220213.71.一种具有传输电路的操控电路,所述传输电路用于越过势垒将输入信号从具有第一基础电位的第一电位侧(Pri、Sek)传输至具有第二基础电位的第二电位侧(Sek、Pri),所述操控电路具备带有第一电位侧与第二电位侧之间的电容耦合的电容式起作用的传输装置(80、90),其中,所述传输装置(80、90)具有正好一个或者两个分支,因此仅具有一个ON-传输分支或者具有一个ON-传输分支(82)和一个OFF-传输分支(83),它们本身分别具有第一和第二子分支,其中,所述第一电位侧与第二电位侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过串联多个第一高压电容器及第二高压电容器(C1x、C3x,其中x=1...n或者x=1r...nr)来构造,所述高压电容器又与所述第二电位侧上配属的电容器(C2、C4或者C2r、C4r)一起形成各一个串联电路,其中,在相应的传输分支内部,所述输入信号直接接在第一子分支上并且经由第二反相器(INV2、INV2r)接在第二子分支上,并且其中,在两个分支中,输入端(IN)上的输入信号直接接在所述ON-传输分支(82)上并且经由第一反相器(INV1)接在所述OFF-传输分支(83)上。2.根据权利要求1所述的操控电路,其中,与分支的第一高压电容器和第二高压电容器(C1x、C3x)并联地布置有具有与第一高压电容器和第二高压电容器(C1x、C3x)相同数量的对称电容器(C5、C6)的另一电容分压器,其中,对称电容器(C5、C6)的每个中间电位(X1x、X3x)都与配属的高压电容器(C1x、C3x)借助于齐纳二极管补偿电路(ZA)连接。3.根据权利要求2所述的操控电路,其中,所述齐纳二极管补偿电路(ZA)构造为各两个由两个齐纳二极管(Z1ax、Z1bx或Z3ax、Z3bx,其中x=2...n)组成的串联电路,所述齐纳二极管以其阳极或者阴极彼此连接,并且其阴极或者阳极与所述对称电容器(C5、C6)的相应的中间电位(Y)和所述高压电容器(C1x、C3x)的配属的中间电位(X1x、X3x)连接。4.根据权利要求2所述的操控电路,其中,所述对称电容器(C5、C6)的串联电路,即所述另一电容分压器与所述第一电位侧和所述第二电位侧(Pri、Sek)的供电电位(vdd_sek、vdd_prim)连接。5.根据权利要求2所述的操控电路,其中,与所述另一电容分压器的每个对称电容器(C5、C6)都并联有一个限压电路(SPB)。6.根据权利要求5所述的操控电路,其中,具有上下接头的所述限压...
【专利技术属性】
技术研发人员:莱茵哈德·赫策,马蒂亚斯·罗斯贝格,巴斯蒂安·福格勒,
申请(专利权)人:赛米控电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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