一种接合焊盘结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种接合焊盘结构及其制造方法，所述接合焊盘结构包含：设置于基板上的多晶硅层，所述多晶硅层呈条状平行排列；位于所述多晶硅层上的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层位于所述第一金属层之上；位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层，所述间隔层包括多个凸出块；其中，所述第二金属层表面具有与所述多个凸出块对应的多个凸起。本发明专利技术改进了接合焊盘结构，实现了接合焊盘结构的表面凸起与集成电路接合引出点之间的更强的作用力。

【技术实现步骤摘要】
一种接合焊盘结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体焊盘结构以及该半导体焊盘结构的制造方法，尤其涉及一种有机发光二极管的接合焊盘结构及其制造方法。
技术介绍
随着电子产品的发展，半导体技术已广泛地应用于存储器、中央处理器（CPU）、液晶显示器（LCD）、发光二极管(LED)、有机发光二极管(OLED)、激光二极管以及其他元件或者芯片组的制造。为了达成高集成度以及高速度的目的，半导体集成电路的尺寸必须不断地缩小。已提出各种的材料和技术来达成上述高集成度与高速度的目的，并且克服与此相关的制造阻碍。为了降低晶粒尺寸，可在下方形成了有源、功能性元件或电路的上方区域形成焊盘（PAD）。焊盘是芯片表面上的金属引脚区域，与衬底内形成了实际芯片的下层结构接触。其后，所述金属引脚区域可与外部线路接触，从而芯片的电路可与外部电路电接触。当前，现有技术中的接合焊盘结构如附图1所示。参见图1，现有技术中的接合焊盘结构包括基板101、缓冲区102、第一金属层103、间隔层104和第二金属层105。其中，所述缓冲区102、第一金属层103、间隔层104和第二金属层105依次形成于所述基板101上。然而，上述现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种接合焊盘结构，其特征在于，包含：设置于基板上的多晶硅层，所述多晶硅层呈条状平行排列，其中，所述多晶硅层刻蚀成凸点以抬高接合引出点的位置；位于所述多晶硅层上的第一金属层和第二金属层，并且所述第二金属层位于所述第一金属层之上；位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的间隔层，所述间隔层包括多个凸出块，所述间隔层由氮化硅制成；其中，所述第二金属层表面具有与所述多个凸出块对应的多个凸起；所述接合焊盘结构位于显示区域外围，所述接合焊盘结构中的所述多晶硅层、第一金属层、第二金属层以及间隔层与显示区域的像素区域结构同时形成。2.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述第一金属和所述第二金属是同种金属。3.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述接合焊盘结构还包括位于所述多晶硅层和所述基板之间的缓冲层。4.根据权利要求3所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述缓冲层由以下材料中的至少一种制成：氮化硅，二氧化硅。5.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，还包括位于所述多晶硅层和所述第一金属层之间的栅极绝缘层。6.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为7.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述第二金属层的厚度为8.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述间隔层的厚度为9.根据权利要求1所述的接合焊盘结构，其特征在于，所述凸出块为棱台。10.一种接合焊盘结构的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玉军，郭峰，赵本刚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：