像素结构与显示面板制造技术

技术编号:10051787 阅读:127 留言:0更新日期:2014-05-15 23:09
像素结构与显示面板。本发明专利技术公开了一种像素结构,设置于第一基板上,包含扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极以及至少一凸起部。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】像素结构与显示面板。本专利技术公开了一种像素结构,设置于第一基板上,包含扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极以及至少一凸起部。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。【专利说明】像素结构与显示面板
本专利技术是有关于一种像素结构,特别是有关于一种液晶显示面板的像素结构。
技术介绍
液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)为平面薄型的显示装置,由一定数量的彩色或黑白像素组成,放置于光源或者反射面前方。液晶显示器功耗低,因此倍受工程师青睐,为目前主流的显示装置。在高解析度液晶显示面板中,共通电极与像素电极形成一电容,利用共通电极与像素电极的设计,如此便能制造出电场并通过液晶层,并且利用电场去控制液晶分子的方向,因而操控各像素的灰阶。提升共通电极与像素电极对于液晶层的操控效率,将能提升液晶显示面板的穿透率表现。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构,用以提升共通电极与像素电极对于液晶层的操控效率。根据本专利技术一实施方式,一种像素结构,设置于第一基板上,包含扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极以及至少一凸起部。扫描线与数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。于本专利技术的一或多个实施方式中,凸起部具有面对第一介电层的底面、与底面相对的顶面以及邻接底面与顶面的第一斜面。于本专利技术的一或多个实施方式中,至少部份的第一电极分支共形地覆盖第一斜面。于本专利技术的一或多个实施方式中,至少部份的第一电极分支覆盖第一介电层。于本专利技术的一或多个实施方式中,凸起部的数量为多个,且第一电极分支至少其中之一介于两相邻的凸起部之间,介于两相邻的凸起部之间的第一电极分支共形地覆盖两相邻的凸起部的第一斜面,以及介于两相邻的凸起部之间的第一介电层。于本专利技术的一或多个实施方式中,共通电极还包含至少一第二电极分支,位于第一介电层上,第二电极分支在垂直投影方向上与数据线至少部分重叠。于本专利技术的一或多个实施方式中,像素结构还包含图案化第二介电层,至少部份介于数据线与第一介电层之间,藉此于第一介电层上形成隆起部,第二电极分支至少部分覆盖隆起部。于本专利技术的一或多个实施方式中,像素结构还包含图案化第二介电层,位于第一介电层上,至少部份介于第一介电层与第二电极分支之间。于本专利技术的一或多个实施方式中,图案化第二介电层具有至少第二斜面,第二电极分支至少部分覆盖第二斜面。于本专利技术的一或多个实施方式中,第一介电层具有至少一隆起部,第二电极分支至少部分覆盖隆起部,且第二电极分支在第一基板上的正投影与数据线至少部分重叠。于本专利技术的一或多个实施方式中,隆起部具有至少一第二斜面,第二电极分支至少部分覆盖第二斜面。于本专利技术的一或多个实施方式中,位于第二电极分支下方的第一介电层的厚度大于第一电极分支下方的第一介电层的厚度。根据本专利技术另一实施方式,一种显示面板包含第一基板、扫描线、数据线、主动元件、像素电极、第一介电层、共通电极、至少一凸起部、第二基板以及显示介质层。扫描线位于第一基板上。数据线位于第一基板上。主动元件电性连接扫描线与数据线。像素电极位于第一基板上,并电性连接主动元件。第一介电层位于第一基板上,并至少覆盖像素电极。共通电极至少部分位于第一介电层上,且共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于第一电极分支之间的第一开口,共通电极的第一电极分支与第一开口在垂直投影方向与像素电极至少部份重叠。凸起部位于第一介电层上,并至少部分位于两相邻的第一电极分支之间。第二基板与第一基板相对设置。显不介质层设置于第一基板与第二基板之间。本专利技术上述实施方式藉由设置凸起部位于两相邻的第一电极分支之间,因而使第一电极分支与像素电极所形成的电场在显示介质层中变得蜷曲,因而提升显示介质层的操控效率。另外,在不改变第一电极分支与像素电极之间的介电层整体厚度的情况下,加厚第二电极分支与数据线之间的介电层厚度,如此将可减少源极驱动芯片的能量消耗,同时却不会使显示介质层的操控效率下降。【专利附图】【附图说明】图1A绘示依照本专利技术一实施方式的显示面板的剖面图;图1B绘示图1A的像素结构的俯视示意图;图2A绘示本专利技术的实施例具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的模拟位能分布;图2B绘示比较例不具有凸起部的像素结构在液晶层中所产生的模拟位能分布;图3绘示图2A与图2B的穿透率-位置图;图4A、图4B与图4C分别绘示不同实施方式的局部放大图,其绘示区域如图1A的区域M所示;图5绘示依照本专利技术另一实施方式的像素结构的剖面图;第6绘示依照本专利技术再一实施方式的像素结构的剖面图;图7A绘示依照本专利技术又一实施方式的像素结构在图案化前的剖面图;图7B绘示图7A的像素结构在图案化后的剖面图;图8A绘示依照本专利技术一实施方式的像素结构,在其第二电极分支没有制程偏移时的剖面示意图;图8B绘示依照本专利技术一实施方式的像素结构,在其第二电极分支有制程偏移时的剖面示意图;图9绘示依照本专利技术多个实施例的穿透率偏差-斜面斜率图。其中,附图标记:100:像素结构110:扫描线120:数据线130:主动元件140:像素电极150:第一介电层160:共通电极161、161a、161b:第一电极分支163:第二电极分支170:凸起部171:底面173:顶面175:第一斜面180:图案化第二介电层190:隆起部191:第 二斜面200:显示面板210:第一基板220:显示介质层230:第二基板240:彩色滤光层250:遮光层300、310、500、510、520:曲线400:第一蚀刻区410:第二蚀刻区A-A’:剖面线F0:第一开口M:区域X:斜面长度Y:斜面高度【具体实施方式】以下将以图式揭露本专利技术的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说,在本专利技术部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。请同时参照图1A与图1B,其中图1A绘示依照本专利技术一实施方式的显示面板200的剖面图,图1B绘示图1A的像素结构100的俯视示意图,且图1A的剖面位置可如图1B的线段A-A’所绘示。本实施方式的显示面板200包含第一基板210、像素结构100、显示介质层220以及第二基板230。像素结构100设置于第一基板210上,且此像素结构10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构,设置于一第一基板上,其特征在于,该像素结构包含:一扫描线,位于该第一基板上;一数据线,位于该第一基板上;一主动元件,电性连接该扫描线与该数据线;一像素电极,位于该第一基板上,并电性连接该主动元件;一第一介电层,位于该第一基板上,并至少覆盖该像素电极;一共通电极,至少部分位于该第一介电层上,且该共通电极具有至少二个第一电极分支以及位于所述第一电极分支之间的一第一开口,该共通电极的所述第一电极分支与该第一开口在一垂直投影方向与该像素电极至少部份重叠;以及至少一凸起部,位于该第一介电层上,并至少部分位于两相邻的所述第一电极分支之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:张琬珩郑孝威范姜士权
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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