平板显示装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种平板显示器及其制造方法，以将有缺陷的子像素与相邻于所述有缺陷的子像素的正常子像素连接，使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素，从而修复有缺陷的子像素。所述平板显示器包括：显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。

【技术实现步骤摘要】
平板显示装置及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求享有2012年10月23日提交的韩国专利申请No.10-2012-0117987的权益，通过援引的方式将该专利申请并入本文，如同在这里完全阐述一样。
本专利技术涉及一种平板显示器。更具体地，本专利技术涉及一种使用正常的子像素简单地修复有缺陷的子像素的平板显示器及其制造方法。
技术介绍
随着信息依赖型社会的发展，对各种形式的显示装置的需求也在增长。为了满足这种需求，近来致力于对诸如液晶显示器（LCD）、等离子体显示面板（PDP）、电致发光显示器（ELD）以及真空荧光显示器（VFD）这样的各种平板显示器展开研究，并且其中的一些被用作各种设备的显示装置。这种平板显示器包括用以显示图像的显示面板，并且为了检测缺陷，平板显示器执行检验工序以检查显示面板的工作是否符合预期。通常，通过将预定的测试信号施加至显示面板并且针对缺陷的出现进行检查来执行检验工序。例如，当平板显示器为液晶显示装置时，将测试信号施加至液晶显示装置的栅极线和数据线，检查形成在各个子像素中的薄膜晶体管的开/关状态，并且当薄膜晶体管处于开状态时，检查子像素的发光状态。子像素的缺陷可由信号线的短路和/或开路、薄膜晶体管的缺陷、电极图案的缺陷等引起。此外，当液晶显示装置被驱动时，有缺陷的子像素会显示暗点或亮点。由于此原因，液晶显示器的显示特性退化。特别地，人的裸眼最容易识别的波长范围为大约555纳米，与绿光的峰值波长相当。因此，与呈现红光的红色（R）子像素和呈现蓝光的蓝色（B）子像素相比，呈现绿光的绿色（G）子像素表现出更好的可视性，并且当G子像素有缺陷时，液晶显示装置的显示质量大大退化。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种基板上克服了由于现有技术的限制和缺陷所导致的一个或多个问题的平板显示器及其制造方法。本专利技术的一个目的是提供一种平板显示器及其制造方法，以将有缺陷的子像素与相邻于有缺陷的子像素的正常子像素连接，使用正常子像素的薄膜晶体管驱动有缺陷的子像素，从而修复有缺陷的子像素。在下面的描述中将列出本专利技术的附加优点、目的和特点，这些优点、目的和特点的一部分从下面的描述对于所属领域普通技术人员来说是将显而易见的，或者可从本专利技术的实施领会到。通过书面说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本专利技术的这些目的和其它优点。为实现这些目的和其它优点，根据本专利技术的目的，如在此具体化和概括地描述的，提供一种平板显示器，包括：显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。在本专利技术的另一方面，提供一种平板显示器的制造方法，包括：形成显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线限定的多个子像素，其中每个子像素包括薄膜晶体管、与所述薄膜晶体管连接的像素电极以及通过绝缘膜与所述像素电极交叠以形成边缘场切换的公共电极；在所述多个子像素中识别有缺陷的子像素；以及通过连接图案将所述有缺陷的子像素的像素电极连接至没有缺陷且与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极。在本专利技术的又一方面，提供一种操作平板显示器的方法，所述平板显示器包括：由多条栅极线和多条数据线的交叉限定的多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；以及连接图案，所述连接图案将所述多个子像素中的有缺陷的子像素的像素电极连接至与所述有缺陷的子像素相邻的子像素的像素电极，所述方法包括：通过与所述有缺陷的子像素相邻的子像素将数据电压传输至所述有缺陷的子像素；以及响应于所述数据电压，驱动所述相邻的子像素以及所述有缺陷的子像素。应当理解，本专利技术前面的大体描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本专利技术提供进一步的解释。附图说明被包括在内以给本专利技术提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的附图图解了本专利技术的实施方式，并与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图；图2A是图1的A区域的放大图；图2B是沿图2A的线I-I'和II-II'所取的剖面图；图3是示出根据第二实施方式的平板显示器的平面图；图4A是图3的B区域的放大图；图4B是沿图4A的线Ⅲ-Ⅲ’和Ⅳ-Ⅳ’所取的剖面图；以及图5A至图5I是示出与制造根据第二实施方式的平板显示器的方法相关联的工艺的剖面图。具体实施方式现在将对本专利技术的实施方式进行详细描述，附图中示出了这些实施方式的一些实例。尽可能地在整个附图中使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。在下文中，将参照附图描述本专利技术的平板显示器。第一实施方式图1是示出根据第一实施方式的平板显示器的平面图。图2A是图1的A区域的放大图。图2B是沿图2A的线I-I'和II-II'所取的剖面图。如图1中所示，根据本专利技术第一实施方式的平板显示器包括以矩阵形式排列的多个子像素。平板显示器包括薄膜晶体管基板、滤色器基板以及设置在薄膜晶体管基板与滤色器基板之间的液晶层。每个子像素形成在由多条栅极线110与多条数据线140之间的每个交叉所限定的像素区域中。本专利技术用于修复任何有缺陷的子像素。在子像素中，有缺陷的子像素1A通过连接图案200与相邻于子像素1A的正常（即没有缺陷的）子像素1B连接。优选地，连接图案200与位于有缺陷的子像素与相邻的正常子像素之间的栅极线交叠，并与其绝缘。如果有缺陷的子像素未通过连接图案200与正常子像素1B连接，则当有缺陷的子像素被驱动时可呈现出暗点或亮点。有缺陷的子像素可由信号线的短路和/或开路、薄膜晶体管的缺陷、电极图案的缺陷等引起。相比之下，正常子像素是通过发射与子像素相关联的预期颜色的光而正确工作（即，不会产生缺陷）的子像素。当正常子像素1B被驱动时，有缺陷的子像素1A由于通过连接图案200与正常子像素1B连接所以也被驱动，进而可操作有缺陷的子像素1A。因此，优选地，有缺陷的子像素1A和正常子像素1B发出相同颜色的光。如图2A和图2B中所示，薄膜晶体管基板包括下基板100、形成在下基板100上的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极170以及通过绝缘膜150c与像素电极170交叠以形成边缘场切换（FFS）的公共电极160。特别地，栅极线110和数据线140在下基板100上彼此交叉以限定多个像素区域。每个像素区域包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极110a、包括有源层（未示出）和欧姆接触层（未示出）的半导体层130、从数据线140延伸的源极140a以及与源极140a隔开的漏极140b。在图2A中，“开口”是指有缺陷的子像素的漏极中的断开（即，切口）。断开产生于有缺陷的子像素中，以防止通过连接图案200与有缺陷的子像素连接的正常子像素尽管正确操作，但在面板的自动探测期间出现缺陷。优选地，去除有缺陷的子像素的漏极的一部分，以将有缺陷的子像素的像素电极与有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。第一保护膜150a和第二保护膜150b依次形成在栅极绝缘膜120上，以便第一保护膜150a和第二保护膜150b覆盖薄膜晶体管，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.10.23 KR 10-2012-01179871.一种平板显示器，包括：显示面板，所述显示面板包括由多条栅极线和多条数据线的交叉而限定的多个子像素，所述多个子像素包括有缺陷的子像素、与所述有缺陷的子像素垂直相邻的没有缺陷的第一子像素、以及与所述有缺陷的子像素垂直相邻的没有缺陷的第二子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极，其中所述有缺陷的子像素的像素电极被分成第一像素电极图案和第二像素电极图案；第一连接图案，所述第一连接图案将所述有缺陷的子像素的第一像素电极图案连接至所述没有缺陷的第一子像素的像素电极；以及第二连接图案，所述第二连接图案将所述有缺陷的子像素的第二像素电极图案连接至所述没有缺陷的第二子像素的像素电极，其中所述有缺陷的子像素的薄膜晶体管中的漏极的一部分被去除，以将所述有缺陷的子像素的像素电极与所述有缺陷的子像素的薄膜晶体管分离开。2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述栅极线包括彼此交替的第一侧栅极线与第二侧栅极线，并且与所述第一侧栅极线中的一条栅极线连接的第一薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管左侧的数据线连接，以及其中与所述第二侧栅极线中的一条栅极线连接的第二薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管右侧的数据线连接。3.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述第一连接图案与位于所述有缺陷的子像素与所述没有缺陷的第一子像素之间的第一栅极线交叠，所述第一连接图案与所述第一栅极线绝缘，并且，所述第二连接图案与位于所述有缺陷的子像素与所述没有缺陷的第二子像素之间的第二栅极线交叠，所述第二连接图案与所述第二栅极线绝缘。4.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述有缺陷的子像素和所述没有缺陷的第一子像素及没有缺陷的第二子像素发出相同颜色的光。5.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述显示面板包括：下基板；所述多条栅极线和所述多条数据线，所述多条栅极线和所述多条数据线通过栅极绝缘膜彼此交叉以在所述下基板上限定所述子像素；第一保护膜，所述第一保护膜覆盖每个子像素的薄膜晶体管；第二保护膜，所述第二保护膜覆盖每个子像素的薄膜晶体管；公共电极，所述公共电极形成在所述第二保护膜上；绝缘膜，所述绝缘膜形成在所述公共电极上；漏极接触孔，所述漏极接触孔通过选择性地去除所述第一保护膜的一部分、所述第二保护膜的一部分以及所述绝缘膜的一部分而暴露所述薄膜晶体管的漏极；以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相浃，蒋政勋，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：