一种N型双面太阳电池制造技术

技术编号:10038132 阅读:247 留言:0更新日期:2014-05-11 04:54
本实用新型专利技术公开了一种N型双面太阳电池,由受光面到背光面结构依次为:正面电极、正面减反射层、正面发射极层、N型硅基底、背面发射极层或合金共熔层、背面减反射层、背面电极b或背面电极a,其中,背面发射极层与合金共熔层有间隔。本太阳电池可以在现有产线基础上进行升级,提高太阳电池效率2%以上。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种N型双面太阳电池,由受光面到背光面结构依次为:正面电极、正面减反射层、正面发射极层、N型硅基底、背面发射极层或合金共熔层、背面减反射层、背面电极b或背面电极a,其中,背面发射极层与合金共熔层有间隔。本太阳电池可以在现有产线基础上进行升级,提高太阳电池效率2%以上。【专利说明】一种N型双面太阳电池
本技术涉及一种晶硅太阳电池,具体涉及一种N型双面太阳电池。
技术介绍
从现在太阳电池发展环境上来说,随着太阳电池的发展,设备折旧和效率提升是越来越多的生产企业必须关注的重点问题,在不改变现有设备或者经过设备改造的方法提高现有产线的效率、提高产能是企业生存发展的动力;特别是现在大量太阳电池生产设备闲置,设备的整合和再利用也是减少固定资产浪费、提高企业竞争的一种方法。从技术上来说,传统晶硅双面受光太阳电池采用两次扩散在太阳电池的两个表面分别形成PN结,不但要在在两个不同的设备进行不同的工艺操作,增加机台;并且在进行第二次扩散的同时要保护第一次扩散的表面不受污染,需要更多的操作工艺才能取得预期的效果。由于工艺本身的局限性,晶硅双面太阳电池还不能大量应用于生产。即本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型双面太阳电池,其特征在于,由受光面到背光面结构依次为:正面电极、正面减反射层、正面发射极层、N型硅基底、背面发射极层或合金共熔层、背面减反射层、背面电极b或背面电极a,其中,背面发射极层与合金共熔层有间隔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:贾河顺姜言森方亮任现坤徐振华张春艳马继磊
申请(专利权)人:山东力诺太阳能电力股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1