【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，属于光伏
。本方法采用热丝化学气相沉积技术，依次在带有纳米线的单晶硅片上保角沉积本征和n型非晶硅薄膜，制备了结构为n-a-Si:H/i-a-Si:H/p-c-SiNW的纳米线径向异质结太阳电池。借助于热丝化学气相沉积技术良好的原子氢处理和本征非晶硅钝化能力，使制备的纳米线径向异质结太阳电池的性能有了大幅提高。这种太阳电池结构新颖，性能优良，在光伏领域有着广泛的应用价值。【专利说明】
本专利技术涉及，属于光伏
。
技术介绍
传统平面结太阳电池的光吸收和载流子输运方向是平行的，两者同时还是一个矛盾体:要想充分吸收光，就必须要求材料要足够厚，而在电输运方面，为了能实现载流子的有效收集，要求材料要足够薄。这个缺点严重影响了传统平面结构太阳电池性能的进一步提高。因此，新型结构太阳电池的研究势在必行。在纳米线上制备径向p-n结太阳电池，不仅可以利用纳米线结构良好的陷光效果，还可以解决传统平面结太阳电池在光吸收和载流子输运方面存在的矛盾，可以大大提高载流子的收集效率，有望在廉价材料上实现高的光电转换效率。目前，这种新结构的径向p-n结太阳电池的相关研究工作正在进行，但是目前产业化使用的高温扩散工艺难以在纳米线上制备径向P-n结太阳电池。本 申请人:提出了一种采用低温浅结掺杂工艺在硅纳米线上制备径向同质P-n结太阳电池的方法(专利【专利技术者】董刚强, 张海龙, 刘丰珍 申请人:中国科学院大学
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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