触控面板及其制备方法技术

技术编号:10014904 阅读:141 留言:0更新日期:2014-05-08 09:59
本发明专利技术公开了一种触控面板及其制备方法,该触控面板包括:一基板;一纳米银丝电极层,设置于该基板上,该纳米银丝电极层包括导接区域和非导接区域;一第一保护层,设置于该纳米银丝电极层上,且该第一保护层具有一导接孔,该导接孔对应于该导接区域;一第二保护层,设置于该第一保护层上,且该第二保护层具有一开孔,该开孔对应于该导接孔的位置;以及一导接线,设置于该第二保护层上,且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。采用本发明专利技术的触控面板,本避免单一保护过厚时蚀刻液无法渗透,以及过薄时纳米银丝层易被氧化和在基板上附着力差的问题,而且在采用不完全蚀刻的工艺时,可避免仅有第一保护层时,在保护层周边形成导接线连接纳米银丝电极层可能存在的短路问题。

【技术实现步骤摘要】
触控面板及其制备方法
本专利技术涉及触控面板及其制备方法。
技术介绍
传统的触控面板的感测电极材料较多的采用氧化铟锡(ITO)。近来由于铟矿的来源取得不易以及铟元素的日渐枯竭,使用不同的透明电极来取代氧化铟锡(ITO)成为一个热门的课题。其中使用纳米银丝SNW(SilverNano-Wire)取代ITO为目前一种可行性的方案。然而,相较于ITO,SNW较易被氧化且SNW在玻璃或PET基板上附着力低,后续加工会存在良率问题。因此,如图1所示,在基板100形成纳米银丝层110之后,会再涂布另外一层保护层120覆盖纳米银丝层110,保护层120可隔绝部分空气,进而提高纳米银丝层110的抗氧化能力。分散于基板100上的纳米银丝层110自身具有一定疏密度,保护层120可通过纳米银丝层110自身的间隙与基板100接触,进而可通过保护层120与基板110较佳的附着力来提高纳米银丝层120在基板110上的附着力。然而,保护层太厚或太薄,均存在设计上的缺陷:如果保护层过厚:在纳米银丝层形成电极图形时,蚀刻工艺中蚀刻液较难渗透保护层对SNW进行蚀刻。如果保护层太薄:纳米银丝层的抗氧化能力下降,而且保护层本文档来自技高网...
触控面板及其制备方法

【技术保护点】
一种触控面板,其特征在于,包括:一基板;一纳米银丝电极层,设置于该基板上,该纳米银丝电极层包括导接区域;一第一保护层,设置于该纳米银丝电极层上,且该第一保护层具有一导接孔,该导接孔对应于该导接区域;一第二保护层,设置于该第一保护层上,且该第二保护层具有一开孔,该开孔对应于该导接孔的位置;以及一导接线,设置于该第二保护层上,且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层。

【技术特征摘要】
1.一种触控面板,其特征在于,包括:一基板;一纳米银丝电极层,设置于该基板上,该纳米银丝电极层包括导接区域;一第一保护层,设置于该纳米银丝电极层上,且该第一保护层具有一导接孔,该导接孔对应于该导接区域;一第二保护层,设置于该第一保护层上,且该第二保护层具有一开孔,该开孔对应于该导接孔的位置;以及一导接线,设置于该第二保护层上,且该导接线通过该开孔及该导接孔连接该导接区域的纳米银丝电极层;其中,该第一保护层的厚度为50nm至500nm。2.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第二保护层的厚度为0.2μm至5μm。3.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第一保护层的材料为可透视的绝缘材料。4.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第二保护层的材料为可透视的绝缘材料。5.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该导接线采用银、铝、铜、钼铝钼合金、氧化铟锡(ITO)中任意一种,或上述各材料的组合。6.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该导接孔不贯穿该第一保护层。7.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该纳米银丝电极层包含多条条状的电极。8.根据权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该纳米银丝电极层包含多个沿第一方向排列的第一电极块,多条电性连接相邻第一电极块的第一连接线,以及多个沿第二方向排列的第二电极块,且各第二电极块分别设置于第一连接线两侧,且各第二电极块上的第一保护层420和...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘振宇龚立伟林熙乾
申请(专利权)人:宸鸿光电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:台湾;71

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