本发明提供了用于集成电路的Ｃｕ／Ｔａ／Ｓｉ基衬底结构及其制作方法。本发明是在带图形沟槽的Ｓｉ基衬底（２０）上，淀积一层Ｔａ薄膜；然后用等离子体浸没注入法，在Ｔａ薄膜上注入Ｎ↑［＋］离子（２２），Ｎ↑［＋］离子的注入剂量在１．０－１０．０...