一种具有拓扑绝缘体相变特征的NMBT基本系统单元技术领域本发明内容涉及电子材料多学科领域，描述了由不同物理特性锰基NdBaMnO3(NM)和钛基BaNdTiO3(BT)组合的复合分子结构，以及其组成的NMBT颗粒和薄膜结构，NMBT基本...

本发明描述了一种磁电阻效应开关晶体管结构极其制作方法，这种开关晶体管可在电场作用下，利用磁电阻效应，实现电路的开关控制。

本发明描述了一种钙钛类ABO3结构中的反铁磁分子(AFM)材料与钙钛类ABO3结构中的四方相铁电分子(FET)材料复合分子结构下的薄膜工艺制作方法，这种薄膜由AFF粉体或其衍生物和绝缘树脂材料等组成，经过包裹，成膜，预固化，热压，熟化等...

一种带有氧桥的双钙钛铁电-反铁磁复合分子的制作方法。本发明描述了铁电FET和反铁磁AFM两个不同物理特性的分子复合方法。进行化学合成后的AFF可形成带有氧桥Bafm-O-Bfet的ABO3双钙态复合结构。其中举例FET典型材料BaTiO...

本发明涉及一种有电量锁存功能的陶瓷电容器，一种具有电量锁存功能的ＡＦＦ电容器的结构和制作方法。这种电容器结构（图）至少包括：电介质薄膜１，至少两个以上的嵌入导电内电极２，端电极４，电极外引线５，外（壳）绝缘体６，防磁隔磁层７，端绝缘体８...

一种针对具有电量锁存功能的ＡＦＦ陶瓷电容器进行充电的技术方法。这种充电方法至少包括：使ＡＦＦ电容器实现开状态（ＯＮ）和关状态（ＯＦＦ）之间的转换，以及采取反向偏压技术和串联ＳＷ／ＰＣＳＳ组合开关技术，实现ＡＦＦ电容器在低损耗下的电量锁存...

一种有电量锁存功能的由陶瓷电容器组成的物理电池的结构和制作方法。这种电池结构至少包括：由氧化铝／包裹型ＡＦＦ粉体，以及绝缘填充体组成制作出的电介质薄膜层（图１的１）、至少两个以上的嵌入导电内电极（图１的２），以及内绝缘材料（图１的３）：...

本发明描述了一种钙钛类ＡＢＯ３结构中的反铁磁分子材料（ＡＦＭ）与钙钛类ＡＢＯ结构中的四方相铁电分子材料（ＦＥＴ）复合的电子功能材料（ＡＦＦ），其化学和物理主要特征如下：复合的ＡＦＦ可形成Ｂａｆｍ－Ｏ－Ｂｆｅｔ结构键接，Ｂ位置元素具有变价...