一种用于制造接触探针（10）的方法，提供以下步骤：光刻步骤，通过光刻在形成于导电基板上的抗蚀剂中形成接触探针（10）的图案、位于接触探针周围的框架形的系杆（20）的图案以及连接这两个图案的连接部（30）的图案，从而获得树脂模具；电铸步骤...

本发明提供一种光纤用拉丝炉的密封构造，其能够通过简单的构造，将在拉丝炉的上端开口部和玻璃母材之间产生的间隙密封，且还能够应对直径变动较大的玻璃母材的拉丝。光纤用拉丝炉的密封构造（8）用于将光纤用拉丝炉（1）的上端开口部（2a）和从该上端...

制备一种具有衬底表面（12B）的碳化硅衬底（10）。形成绝缘膜（15）以便覆盖衬底表面（12B）的一部分。在衬底表面（12B）上形成接触电极（16），以便接触绝缘膜（15）。接触电极（16）包含Al、Ti和Si原子。接触电极（16）包括...

本发明提供了一种以高生产率制造粉末成形体的方法，该粉末成形体可用于获得具有优异磁性能的稀土烧结磁体；用于磁体用途的粉末成形体，该粉末成形体表现出优异的取向并且适合用作稀土烧结磁体用的材料；以及一种烧结体。将基础粉末（P）置于成形模具（5...

一种制造碳化硅半导体器件的方法以及碳化硅半导体器件。具有第一表面（F1）和第二表面（F2）的碳化硅层包括第一区（11）、第二区（12）和第三区（13），第一区（11）构成第一表面（F1）并且具有第一导电类型，第二区（12）设置在第一区（...

本发明提供了一种具有优异耐腐蚀性的金属多孔体，其适用于锂离子电池等电池、电容器或燃料电池的集电体。还提供了用于制造金属多孔体的方法。该制造方法包括：用至少含有镍和钨的合金、或者至少含有锡的金属包覆镍多孔体的步骤；以及在此步骤之后进行热处...

一种碳化硅半导体器件和制造碳化硅半导体器件的方法。碳化硅层（10）的第一区（11）构成第一表面并且具有第一导电类型。第二区（12）设置在第一区（11）上并且具有第二导电类型。第三区（13）设置在第二区（12）上并且具有第一导电类型。第四...

一种制造碳化硅半导体器件的方法。制备构成碳化硅层（10）的第一表面（F1）并且具有第一导电类型的第一层（5）。在与第一层（5）的第一表面（F1）相反的面上，形成内部沟槽（IT）。注入杂质，使得在内部沟槽（IT）的侧壁（SD）上，第一层（...

本发明提供了一种气体分解组件，其中采用了使用固体电解质的电化学反应以降低运行成本并且提供高处理性能，本发明还提供了气体分解组件的制造方法以及发电装置。气体分解组件(10)包括：筒状体MEA(7)，其包括布置于内表面侧的第一电极(2)、布...

本发明提供一种切入式磨削工具，其特征在于，以立方晶氮化硼烧结体作为基材，在所述基材的表面具有由以从C、N以及O中任选至少1种的元素、和Ti、和Al中任选至少一种的元素作为主成分的化合物构成的至少1层的厚度为0.1μm以上且低于1μm的覆...

本实用新型提供一种细径电线束，其可以容易地通过对捆束多根细径电线而成的电线束从1束拆分为2束的两叉部分进行束带卷绕，从而进行保护和捆束。对于将多根细径电线进行集束，将1束电线束拆分为2束电线束，在该拆分部处卷绕束带而对所述细径电线进行捆...

熔融盐电池的隔膜(3)浸渗有充当电解质的熔融盐。除了钠离子之外，所述熔融盐还含有选自如下的至少一种离子作为阳离子：季铵离子、咪唑离子、咪唑啉离子、吡啶离子、吡咯烷离子、哌啶离子、吗啉离子、离子、哌嗪离子和锍离子。这些阳离子不会对正极(1...

本发明提供了一种方法，包括：使用模具对经过绝缘被覆的纯铁粉或主要含有铁的铁系合金粉末进行加压成形以获得压粉铁心的步骤；对所得到的压粉铁心进行热处理的步骤；以及使用砂轮对所述经过热处理的压粉铁心的至少一部分进行后机械加工的步骤。在所述后机...

本发明的接合体具有作为第一被接合材料（1）的硬质合金烧结体和作为第二被接合材料（2）的cBN烧结体。该结合体的特征在于：所述第一被接合材料（1）和所述第二被接合材料（2）由接合材料（3）接合在一起，其中该接合材料（3）设置在所述第一被接...

本发明提供一种小型且生产性、散热性优异的电抗器。电抗器（1α）具有：线圈，其将绕组线（2w）以螺旋状卷绕而形成；以及磁性铁心（3），其具有向线圈内插入的内侧铁心部和与该内侧铁心部连结的外侧铁心部（32），利用两个铁心部形成闭合磁路。线圈...

一种无卤阻燃绝缘电线，其可以降低高电压下的漏电流，同时满足适于铁道车辆的阻燃性及耐热性的要求特性，即使为薄的绝缘层，对高压电流也具有充分的绝缘特性，且有助于降低环境负荷。该无卤阻燃绝缘电线具有导体、被覆该导体的第1绝缘层、以及被覆该第1...

本发明提供了一种光纤和光纤预制件，其中该光纤含有碱金属元素并且显示低衰减以及优异的耐辐射性的光纤。本发明的光纤具有芯区域和包围该芯区域的包层区域。该芯区域含有平均浓度为0.2原子ppm以上的碱金属元素。与辐射暴露之前所显示的衰减相比，在...

本发明的目的是提高设置有开口部并且通过二维电子气在所述开口部中具有沟道的垂直型半导体器件的击穿电压特性。GaN基堆叠层（15）特征在于其具有n-型GaN基漂移层（4）/p型GaN基势垒层（6）/n+型GaN基接触层（7）。开口部（28）...

提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长...

本发明提供具有优异耐腐蚀性的镁合金板及其制造方法。所述镁合金板具有分散在其中的含有添加元素(例如，Al)和Mg的金属间化合物(其代表例为Mg17Al12)的粒子，并且在所述板的表面的XRD分析中通过将所述金属间化合物的主衍射面(4,1,...