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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5332项专利
故障限流器制造技术
本发明提供了一种故障限流器,其使用超导体,且能在限流操作后快速恢复超导状态。故障限流器被配置成通过使用超导体来执行限流操作,且包括包括超导体的超导构件(包括保持容器(11)、填充物和超导线的构件)、冷却容器(10)和抑制构件(翅片(12...
碳化硅半导体器件及其制造方法技术
栅电极(50)包括:与栅极绝缘膜(41)接触的多晶硅膜(51);设置在多晶硅膜(51)上的阻挡膜(52);以及设置在阻挡膜(52)上且由高熔点金属构成的金属膜(53)。层间绝缘膜(42)被设置为覆盖栅极绝缘膜(41)以及设置在栅极绝缘膜...
碳化硅半导体器件及其制造方法技术
漂移层(3)具有电流流动所贯穿的厚度方向且具有第一导电类型的杂质浓度(N1d)。体区(4)被提供在漂移层(3)的一部分上,具有借助栅电极(93)开关的沟道(41),具有第一导电类型杂质的浓度(N1b)以及第二导电类型杂质的浓度(N2b)...
制造半导体器件的方法技术
一种制造MOSFET的方法,包括步骤:制备具有由碳化硅制成的外延生长层的衬底(8);在具有外延生长层的衬底(8)上执行离子注入;在具有外延生长层并且在其上执行了离子注入的衬底(8)上,形成包括二氧化硅的保护膜(80);并且在包含包括氧原...
超导薄膜材料和其制造方法技术
本发明提供了表现出优异超导特性的超导薄膜材料和制造该超导薄膜材料的方法。超导薄膜材料(1)包括基板(10)和形成在基板(10)上的超导膜(30)。超导膜(30)包括通过金属有机沉积形成的MOD层(31)和通过气相工艺形成在MOD层(31...
光学单元及波长选择开关制造技术
本发明提供一种能够对光束位置进行微调的光学单元及波长选择开关。在波长选择开关(1)中,通过使用保持部件(80)使准直器阵列(11)及光纤(50)的一端围绕旋转轴(A1)旋转,从而变更准直光(L1)相对于扩束光学系统(12)的入射面(12...
光学设备、制造光学设备的方法以及光学设备组装方法技术
本发明提供一种能够通过提高空间效率而实现小型化的光学设备及制造光学设备的方法。在光学设备(1)中,将光学基板(10)、电气基板(20)、及光纤托架(30)等收容在框体中。特别地,电气基板(20)形成得比光学基板(10)小,光纤托架(30...
放大器电路和无线通信设备制造技术
根据本发明,能够在没有提供用于检测正交调制误差的反馈环的情形下补偿正交调制误差。放大器电路包括:正交调制器(33);放大器(2),其对已正交调制的信号进行放大;失真补偿部(4),其基于第一补偿系数来补偿将在放大器中导致的失真;正交调制误...
熔融盐电池和制造熔融盐电池的方法技术
本发明提供一种制造熔融盐电池的方法,所述熔融盐电池具有正极、负极、布置在所述正极与所述负极之间的隔膜、以及在常温下是固体的电解质盐。在组装电池之前将固体电解质盐保持在正极、负极和隔膜中的至少一者的表面上。然后,通过将所述正极、所述负极和...
半导体装置及布线基板制造方法及图纸
本发明的一实施方式的半导体装置(10)包括:绝缘性基板(121);布线层(122),其形成于绝缘性基板的第一主面(121a)上;以及半导体元件(14),其搭载于布线层上。在该半导体装置中,布线层由包含铜及热膨胀系数小于铜的金属的第一含铜...
电抗器、复合材料、电抗器芯体、变换器、以及功率变换装置制造方法及图纸
一种电抗器1A,包括通过螺旋缠绕导线2w形成的单个线圈2、以及布置在线圈2内侧及外侧并形成闭合磁路的磁芯3。磁芯3包括布置在线圈2内侧的内芯部31、以及布置成覆盖线圈2外周的外芯部32。外芯部32由含有磁粉和树脂的复合材料形成。在此复合...
透镜部件及图像显示装置制造方法及图纸
透镜部件(10)包含K个单位透镜(11),该K个单位透镜(11)分别沿X方向延伸且具有相同的结构,并在Y方向上以最小周期PL并列配置。各单位透镜(11)包含在Y方向的最小周期PL内被划分的两个部分透镜(121、122),而且还包含设置在...
电抗器、变换器以及功率变换装置制造方法及图纸
本发明公开了一种电抗器,用这种电抗器能使测量电抗器物理量(温度等)的传感器与外部装置以稳定方式互相连接。电抗器(1A)包括线圈(2)、布置有线圈(2)的磁芯(3)、以及容纳线圈(2)和磁芯(3)所组成组合体(10)的壳体(4)。壳体(4...
光纤制造技术
本发明提供了一种具有耐热性和生产性、并且还能抑制在高温环境下的传输损失的光纤。其特征在于:在由芯部和包覆部构成的玻璃纤维的外周上具有包覆层,所述包覆层是通过交联含有硅化合物的能量固化型树脂组合物而形成的,最外层的包覆层的能量固化型树脂组...
多芯线缆制造技术
本发明所涉及的多芯线缆具有至少1根接地线、多根绝缘电线、集中屏蔽层以及外皮。所述接地线配置在与线缆的长度方向垂直的剖面的中心或其附近。所述绝缘电线配置在所述接地线的周围。所述集中屏蔽层覆盖所述绝缘电线的周围。而且,所述外皮覆盖所述集中屏...
光纤素线制造技术
本发明提供一种光纤素线,其中,在制造之后(从制造时起12小时以内)的光纤素线的玻璃纤维与树脂被覆层的密合性良好,因此制造之后的动态疲劳系数高。该光纤素线(1)在玻璃纤维(10)的外周设置有一层以上由紫外线固化型树脂形成的被覆层,其特征在...
光纤素线制造技术
本发明提供一种被覆有固化性良好的树脂且微弯损耗降低的光纤素线。该光纤素线为在玻璃纤维(10)的外周设置有第一被覆层(20)的光纤素线(1),其特征在于,构成第一被覆层(20)的树脂含有5重量%以上21重量%以下的用甲基乙基酮提取的分子量...
熔融盐电解质电池装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供一种安全的熔融盐电解质电池装置,当在熔融盐电解质电池中发生异常生热时,其可以快速降低所述电池的温度。根据本发明的熔融盐电解质电池装置具有使用熔融盐作为电解质的熔融盐电解质电池且具有温度检测单元,其检测所述熔融盐电解质...
光电探测器、外延晶片及其生产方法技术
提供了以下内容:一种光电探测器,其中,在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中,可以以高精度来控制载流子浓度;一种外延晶片,其形成用于光电探测器的材料;以及,一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有:衬底,其包括III-V...
半导体器件制造技术
一种MOSFET设置有:碳化硅衬底(11);漂移层(12),其具有相对于{0001}面具有50°或更大且65°或更小的偏离角的主面(12A),并且该漂移层(12)由碳化硅制成;以及栅极氧化物膜(21),其形成在漂移层(12)的主面(12...
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