本发明提供一种同轴电线，其包覆有聚烯烃类树脂，而且实现了细径化。一种同轴电线(1)，其在中心导体(2)的周围以同轴状依次层叠有绝缘层(4)、外部导体(6)及外皮(8)，在该同轴电线(1)中，中心导体(2)由具有小于或等于AWG32的截面...

本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层，其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤...

在本发明中，制造碳化硅单晶衬底(10)的方法包括以下步骤。制备具有主表面(2a)并且由碳化硅制成的籽晶(2)，以及碳化硅原材料(3)。通过在维持在碳化硅原材料(3)中的任意两点之间的温度梯度为30℃/cm或更小的同时，升华碳化硅原材料(...

本发明的目的在于提供一种具有更高的能量密度的锂电池。本发明涉及一种锂电池，其包括正极、负极、插入所述正极和所述负极之间的隔板以及非水电解质。所述正极包括由金属形成且具有三维网状中空骨架的正极集电体和正极混合物，该正极混合物填充在所述正极...

本发明的目的在于以低价提供一种金属多孔体，该金属多孔体可用于燃料电池等的电极，并且具有优异的耐腐蚀性。本发明提供了一种燃料电池用片状金属多孔体，其中该金属多孔体至少包含镍、锡和铬，该金属多孔体的至少一个表面的铬浓度为3质量％至50质量％...

本发明的目的是提供一种金属-树脂复合体(1)，其表现出了优异的高频信号传输特性，以及合成树脂部(2)与基部(3)之间的优异的粘接性。本发明为包括金属基部和合成树脂部的金属-树脂复合体，其中该合成树脂部接合至基部的至少部分外表面、并且含有...

本发明提供了一种镀铝溶液，其具有可以进行镀铝的大的电流密度范围和小的溶液电阻。镀铝溶液包含：卤化铝，选自由烷基卤化咪唑鎓、烷基卤化吡啶鎓和尿素化合物构成的组中的至少一种，以及由通式(1)表示的铵盐，其中所述铵盐的浓度为1g/L以上45g...

本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种可用于在负载短路时抑制元件损坏的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极、源电极和漏电极。碳化硅层包括漂移区、体区和源极区。MOSFET被配置成使得在碳化硅层的厚度方向和体区中...

一种金属陶瓷，包括：包含Ti的硬质相颗粒；和包含Ni和Co中的至少一者的结合相，并且70％以上(数量)的所述硬质相颗粒具有含芯结构，该含芯结构包括芯部和围绕所述芯部的外周部。芯部主要由Ti碳化物、Ti氮化物和Ti碳氮化物中的至少一种构成...

一种逆变器装置包括：用于使从DC电源输出的DC电力的DC输入电压值升高的升压电路；用于将来自升压电路的电力转换成AC电力的逆变器电路；用于控制升压电路和逆变器电路的控制单元；以及设置在电路径上用于将转换的AC电力输出到AC系统的电抗器。...

本发明提供一种信号传送用线缆，其抑制串扰。本发明的信号传送用线缆具备：终端部，其能够与外部装置电连接；以及线缆，其包含能够与终端部电连接的大于或等于8个信道的金属线(21)，终端部具有基板(13)，该基板(13)包含多个连接部(12)，...

本发明提供了一种光纤，该光纤具有凹陷型包层结构，该凹陷型包层结构包括：纤芯，其由含Cl的硅基玻璃制成；以及第一包层和第二包层，其由含氟的硅基玻璃制成，并且能够在信号光波长下实施单模传播。该光纤包括纤芯、第一包层和第二包层。该纤芯由含Cl...

本发明提供一种在脱水·烧结处理玻璃母材时，即使在石英炉心管未结晶化(失透)的情况下也可以防止石英炉心管的热变形的玻璃母材的制造方法。该方法是将玻璃母材(12)插入石英炉心管(2)中，并通过加热处理以使所述玻璃母材(12)透明化的玻璃母材...

本发明涉及一种多模光纤，该多模光纤包括玻璃光纤和设置在玻璃光纤的外周上的包覆部件。玻璃光纤沿着预定的中心轴线延伸，并且至少包括具有GI型折射率分布的纤芯区域。包覆部件具有比纤芯区域的最小折射率大的折射率。根据该构造，有利于具有较大的群时...

本发明的实施例涉及易于制造并且单位横截面面积具有优异的传输容量、频率利用效率等的多芯光纤。所述多芯光纤设置有多个芯部、包层和覆层。适当设定相邻芯部的芯间间距、光缆截止波长、光进入各芯部的限制指标、包层的外径和相邻芯部的芯间功率耦合系数。...

本发明的目的在于提供一种过滤设备及使用所述过滤设备的浸渍式过滤方法，该过滤设备具有优异的中空纤维膜清洁能力并能够保持高过滤能力。本发明是浸渍式过滤设备，该浸渍式过滤设备设置有：过滤组件，其具有保持为仅沿一个方向的多个中空纤维膜；以及气体...

本发明涉及碳化硅半导体器件。提供了一种具有改善的开关特性的碳化硅半导体器件。MOSFET包括碳化硅层、栅极绝缘膜、栅电极和源电极。碳化硅层包括漂移区、体区和接触区。在主表面中，源电极与接触区相接触。MOSFET被配置成使得源电极相对于接...

一种筒形褶皱式过滤器，该筒形褶皱式过滤器具有过滤基材，过滤基材具有折叠部，折叠部具有重复的峰部和谷部，并且折叠部的脊线方向作为筒形褶皱式过滤器的轴向；以及一种褶皱式滤筒，该褶皱式滤筒具有盖部，盖部设置在褶皱式过滤器的上底板部和下底板部，...

本发明提供了一种金属多孔体，该金属多孔体的耐腐蚀性优于包含镍-锡二元合金或镍-铬二元合金的常规金属多孔体。所述金属多孔体具有三维网状骨架并且至少包含镍、锡和铬，其中所述金属多孔体中所含的铬的浓度在所述金属多孔体的骨架的表面处最高且向着所...

本发明公开一种过滤装置，配备有具有用于被处理液的入口和出口的管状主体以及在管状主体中彼此排列成排的多个中空纤维膜，所述过滤装置设置成在中空纤维膜的外侧和内侧之间产生压力差，使被处理液中的水从过滤装置的外侧穿至过滤装置的内侧。过滤装置还配...