本发明涉及设置有用于精确对准固定在连接器上的一个或多个MCF的芯部布局方向的结构的MCF等。各个MCF设置有指示所述MCF的旋转位置的标记。通过在使用CCD摄像机等监测所述MCF上的标记的位置的同时旋转各个MCF的端部，将各个MCF的芯...

本发明涉及一种具有用于允许更精确对准的结构的MCF。所述MCF设置有多个芯部以及包层。在MCF的横截面中，所述包层的外形包括：圆形部分，其形成与MCF的外周一致的圆；以及切口部。所述切口部包括底部和设置在底部两侧且突出超过所述底部的两个...

本发明涉及一种光学互连部件，与现有技术相比，该光学互连部件能够以更高的精度实施光纤连接。在所述光学互连部件中，保持了已执行旋转对准的多根MCF的端面排列，从而减少与另一个部件的连接而造成的连接损耗。此外，可以借助设置在将多根MCF保持在...

一种熔融盐电池，其设置有：电极组，其具有第一电极、第二电极和将所述第一电极与所述第二电极电绝缘的隔膜；熔融盐电解质；有底的壳，其用于容纳所述电极组和所述熔融盐电解质且具有开口部；盖板，其用于密封所述壳的开口部；所述第一电极的第一外部端子...

一种金属管，包括金属基材，和设置在所述金属基材的至少一部分表面上的金属多孔体，其中该金属管是通过以下步骤获得的：将所述金属多孔体接合到呈平板状的所述金属基材的至少一部分表面上；以及将接合有所述金属多孔体的所述金属基材成形为管状。

本发明提供一种扁平电缆(1)，其具有排列有2根1组的导体(4)的第1绝缘膜(2)、和夹着导体(4)贴合至第1绝缘膜(2)的第2绝缘膜(3)。第1绝缘膜(2)为能够进行回流焊处理的耐热性高的树脂膜，并且第2绝缘膜(3)的白光的反射率为60...

本发明提供能够全部满足耐电压性、机械特性、耐磨损性的阻燃性的电线。一种电线，具有导体2、被覆所述导体2的第1绝缘层(内层)3、以及被覆所述第1绝缘层3的第2绝缘层(外层)4，所述第1绝缘层3含有聚乙烯和粘合剂，所述第2绝缘层4含有工程塑...

提供一种制造碳化硅半导体衬底的方法，以便以低成体获得具有高度平坦表面的碳化硅半导体衬底。该制造碳化硅半导体衬底的方法包括：制备作为籽晶衬底的碳化硅衬底(1)的步骤(S10)；对碳化硅衬底(1)的主表面(1A)执行气相蚀刻的步骤(S20)...

本发明提供一种引导辊及光纤的制造方法，其不会损伤光纤并可以长期良好地进行引导。该引导辊对由树脂包覆玻璃光纤(G1)而形成的光纤(G2)的行进进行引导，所述引导辊与光纤(G2)接触的表面的维氏硬度大于或等于1000。将该引导辊作为正下辊(...

圆筒褶皱式过滤器以这样的方式构造：过滤基材具有包括交替的峰部和谷部的折叠部；并且折叠部的脊线方向定义为轴向。当从圆筒形状内部观察时，谷部设置有加强片材。加强片材包括：第一加强片材，其位于构成圆筒形状的内周凸出部的折叠部的后侧；以及第二加...

一种熔融盐电池，其包含：正极，所述正极含有可逆地吸藏和放出钠的正极活性物质；负极，所述负极含有可逆地吸藏和放出钠的负极活性物质；隔膜，所述隔膜置于正极和负极之间；和熔融盐电解质。熔融盐电解质以90质量％以上的量含有离子液体。离子液体含有...

提供一种绝缘电线、同轴电缆及多芯电缆，其可以减小绝缘体的介电常数，在细径下得到良好的电气特性，而不会导致耐电压性降低及强度降低。同轴电缆(11)的中心导体(12)由具有沿长度方向连续的空隙部(14)的绝缘体(13)覆盖，在绝缘体(13)...

水处理装置包括过滤器，其可旋转使得过滤面在圆周方向移动；未处理水流出单元，其允许未处理水从过滤器的外部朝向过滤面流出；已过滤水流路，其用于从过滤器的内部引导已经渗透通过过滤器的过滤水；和控制单元，其在过滤操作和清洁操作之间转换，在过滤操...

一种水处理装置，其包括沿大致竖直方向放置的筒状本体。该水处理装置利用设置在本体中的多个处理层对从上方供应的待处理液进行净化，并且从下方排出处理过的液体。该水处理装置包括：从上游侧起依次为：第一处理层，其容纳有多个第一颗粒；第一隔板，其用...

本发明涉及晶体管、晶体管制造方法以及衬底。公开了一种半导体器件(1)，其具有半导体层(21‑25)和衬底(2)。半导体层(21‑25)由碳化硅制成，并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21‑25)的第一表面(2...

本发明提供能够得到规定的特性阻抗的屏蔽线缆。屏蔽线缆(1)具备：2根信号线，该信号线是将信号导体(2)利用绝缘体(3)包覆而成的；以及屏蔽导体(6)，其在2根信号线(4)的周围集中地将带有金属箔的带(5)以螺旋状卷绕而成。绝缘体构成为截...

碱金属离子电容器具有超过3.8V的充放电上限电压，并且包含含有正极活性材料的正极、含有负极活性材料的负极、置于正极和负极之间的隔膜、和电解质。所述电解质包含碱金属盐和离子液体，并且在电解质中含有的碱金属盐和离子液体的总量为60质量％以上...

一种碳化硅半导体器件包括碳化硅衬底(10)、栅极绝缘膜(15)和栅电极(27)。碳化硅衬底(10)具有第一主表面(10a)和与所述第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。所述栅极绝缘膜(15)被设置成接触所述碳化硅衬底(10)的...

本发明提供一种衬底、半导体器件及其制造方法。所述衬底具有前表面和背表面，在所述衬底中，所述前表面的至少一部分由单晶碳化硅构成，所述衬底具有：不大于0.5nm的、在所述前表面处的表面粗糙度Ra的平均值，并且所述表面粗糙度Ra的标准偏差不大...

本发明提供一种碳化硅衬底、碳化硅半导体器件和制造碳化硅衬底的方法。碳化硅衬底(10)具有碳化硅外延层(12)。碳化硅外延层(12)具有第一主表面(12b)和与第一主表面(12b)相反的第二主表面(12d)。在垂直于所述第二主表面(12d...