这种耐磨工具的芯材为复合多晶金刚石，所述复合多晶金刚石包含多晶金刚石和非金刚石碳，其中在所述多晶金刚石中，粒状金刚石直接接合。所述复合多晶金刚石中的所述多晶金刚石在复合多晶体中是三维连续的，并且平均一次粒径为10nm至500nm。

交流电压经其中无功电流在电容器中流动的电路被输入至功率因数改进装置中；并且由功率因数改进装置控制由转换器执行的以将交流电压转换为直流电压的切换，从而改进包括上述电路的功率因数，其中：基于输入至转换器的交流电压的幅值以及电容器的电容计算无...

此双极板用在具有设置在一个表面侧的正极电极和设置在另一表面侧的负极电极的电池。所述双极板的所述表面中的至少一个表面设置有：多个沟部，电解质溶液在所述多个沟部中流动；和脊部，每个脊部均位于相邻的所述沟部之间。所述沟部包括彼此不连通的导入沟...

该氧化还原液流电池的电极被布置为面向氧化还原液流电池的隔膜，所述氧化还原液流电池的电极设有包括多条碳纤维的纤维集合体，其中，所述纤维集合体包括杨氏模量为200GPa或更小的柔性碳纤维。优选地，所述柔性碳纤维的平均碳纤维直径优选为20μm...

这种制造具有规定宽度的薄膜氧化物超导线材的方法包括：切割步骤，所述切割步骤用于在纵向方向上以规定宽度切割宽薄膜氧化物超导线材，所述宽薄膜氧化物超导线材通过经由中间层在带状金属基板上形成氧化物超导层而获得，其中，在所述切割步骤中，通过利用...

本发明公开光连接器。该光连接器具有：光纤；插芯，其具有与对象侧光连接器相对的平坦的插芯端面，对光纤进行保持；以及间隔件，其设置于插芯端面上，规定该插芯端面和对象侧光连接器的间隔。在插芯端面露出有光纤的前端面，在沿光纤的光轴的剖面中，光纤...

提供一种弯曲光纤的制造方法，利用该方法能够在不降低制造产量的情况下有效地减小要制造的弯曲光纤的质量差异。根据本发明的一个实施例，交替地重复弹性弯曲步骤和加热步骤，弹性弯曲步骤用于在朝向旋转轴供给光纤的同时通过使移动限制构件转动而在光纤的...

本发明涉及双极板、电池单元框架、电池单元堆和氧化还原液流电池。氧化还原液流电池的电极被置放在所述双极板中。在垂直于双极板的平面的截面中，外周缘部的角部的曲率半径从0.1到4.0mm。

本发明涉及碳化硅衬底、半导体装置及它们的制造方法。能够减小导通电阻并提高半导体装置的产率的碳化硅衬底(1)由单晶碳化硅制成，且硫原子在一个主表面(1A)中以60×1010原子/cm2以上且2000×1010原子/cm2以下的比率存在且氧...

这种电力变换装置经由中间母线来执行DC/AC电力变换，且包含：提供在第一DC电源与所述中间母线之间的第一DC/DC转换器；提供在DC侧电容器与所述中间母线之间的第二DC/DC转换器；连接到所述中间母线的中间电容器；提供在所述中间母线与A...

本发明披露一种用于传输电磁波的线缆。该线缆是用于传输电磁波的线缆，并且该线缆包括：芯部，其沿线缆的纵向延伸，芯部包括介电体；套管，其在包围芯部的同时沿线缆的纵向延伸，从而在芯部与套管之间提供空腔，套管包括介电体；以及支撑件，其在套管中的...

根据本发明一个实施方案的印刷线路板用基膜是这样一种印刷线路板用基膜，所述基膜使用聚酰亚胺作为主要成分，其中在所述基膜的表面的吸收强度光谱中，波数1705cm‑1附近的峰强度与波数1494cm‑1附近的峰强度之比为0.50以上1.10以下...

本发明的目的是减少钠离子二次电池的正极混合物的凝胶化并抑制正极电阻的增加。本发明涉及一种钠离子二次电池，所述钠离子二次电池包含正极、负极、置于所述正极与所述负极之间的隔膜、以及具有钠离子传导性的非水电解质。所述正极包含正极活性物质粒子、...

一种用于非水电解质电池的引线，具有：引线导体、直接覆盖所述引线导体的至少一部分的第一绝缘层、以及覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层为以10:90至40:60的质量比包含烯烃结晶‑乙烯丁烯‑烯烃结晶嵌段聚合物以及聚丙烯的...

一种稀土磁体的制造方法，包括：制备步骤，其中通过将Sm和Fe的原子比为1:8.75至1:12的熔融合金快速冷却，从而制备以SmFe9+α相作为主相的Sm‑Fe系合金；氢化步骤，其中将Sm‑Fe系合金氢化以进行相分解，从而将SmFe9+α...

本发明的稀土磁体含有Sm、Fe和N，并且包含作为添加元素的Me和B，其中Me表示选自周期表中的第4、第5和第6族元素中的至少一种元素。所述稀土磁体具有包含Fe相、SmFeN相和MeB相的纳米复合微观结构；所述SmFeN相至少包括Sm2F...

公开了一种装配通过使信号光与本地光干涉来恢复数据的光学模块的方法。所述光学模块提供了：壳体，其一侧固定有信号端口和本地端口；以及光学组件，其光入射表面的法线相对于信号端口的轴线成除0°和90°以外的角度θ。所述方法首先通过以下步骤(1)...

根据本发明的一个实施例的涂覆装置设置有：行进组件，其用于使带状片材沿纵向行进；涂覆组件，其用于将墨水涂覆到行进的带状片材的表面上；以及供应组件，其用于向涂覆组件供应墨水。涂覆组件具有以沿片材宽度方向横跨在带状片材上方的槽型涂覆头，并且槽...

本实用新型涉及一种电池框架、电池堆和氧化还原液流电池。在电池框架的面向正电极的表面和电池框架的面向负电极的表面中的一个表面中设置引入通道和独立于引入通道并且不连接至引入通道的排出通道。引入通道将电解液引入电极中的一个对应电极。排出通道从...

本发明提供一种III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法。所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接...