【技术实现步骤摘要】
III族氮化物复合衬底、半导体器件及它们的制造方法本申请是国家申请号为201380046378.9(国际申请号PCT/JP2013/073805，国际申请日2013年9月4日，专利技术名称“III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法”)之申请的分案申请。
本专利技术涉及一种III族氮化物复合衬底及其制造方法，以及利用III族氮化物复合衬底制造III族氮化物半导体器件的方法。
技术介绍
诸如GaN，AlN，AlxGa1-xN(0<x<1)等的III族氮化物半导体具有优越地半导体性质并且因此适用于半导体器件的衬底。这些III族氮化物半导体昂贵。因此，为了降低制造半导体器件的成本，已经提出了半导体器件的衬底，特别是其中诸如GaN，AlN等的III族氮化物半导体的膜形成在诸如硅衬底的支撑衬底上的半导体衬底。例如，日本专利公布No.2006-210660(PTD1)公开了一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：将离子注入由GaN，AlN等制成的第一氮化物半导体衬底的正表面中及其附近；在第一氮化物半导体的正表面上叠置第...
【技术保护点】
1.一种III族氮化物复合衬底，所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。
【技术特征摘要】
2012.10.12 JP 2012-226777;2012.11.30 JP 2012-263091.一种III族氮化物复合衬底，所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，包括支撑衬底以及具有10μm或更大且250μm或更小的厚度的III族氮化物膜，所述支撑衬底和所述III族氮化物膜彼此接合，所述III族氮化物膜的厚度的标准偏差st与所述III族氮化物膜的厚度的平均值mt的比值st/mt为0.001或更大且0.2或更小，并且所述III族氮化物膜的主表面和预定面取向的面之间的偏离角的绝对值的标准偏差so与所述偏离角的绝对值的平均值mo的比值so/mo为0.005或更大且0.6或更小。2.根据权利要求1所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物复合衬底在III族氮化物膜侧的主表面上具有50μm或更小的翘曲，并且所述III族氮化物复合衬底具有30μm或更小的总厚度变化。3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜的热膨胀系数αIII-N与所述支撑衬底的热膨胀系数αs的比值αIII-N/αS为0.75或更大且1.25或更小，并且所述III族氮化物膜的厚度tIII-N与所述支撑衬底的厚度tS的比值tIII-N/tS为0.02或更大且1或更小。4.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜的所述主表面具有3×1012原子/cm2或更小的杂质金属原子。5.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述III族氮化物膜的所述主表面具有3nm或更小的均方根粗糙度。6.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述支撑衬底的主表面具有12nm或更小的均方根粗糙度。7.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述直径为100mm或更大。8.根据权利要求1或2所述的III族氮化物复合衬底，其中，所述直径为125m...
【专利技术属性】
技术研发人员：石桥惠二，八乡昭广，广村友纪，松本直树，中畑成二，中西文毅，柳泽拓弥，上松康二，关裕纪，山本喜之，善积祐介，三上英则，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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