提供一种可以在与实际使用状况尽可能接近的状态下进行检查的石英玻璃坩埚的破坏检查方法和是否良好的判定方法。根据本发明的石英玻璃坩埚的破坏检查方法，自动中心冲头10的前端部碰撞石墨基座2上支撑的单晶硅提拉用的石英玻璃坩埚1的内表面，并且评价...

正确地掌握各个氧化硅玻璃坩埚的容积来事先预测氧化硅玻璃坩埚内的硅熔液的初期液位，据此可靠地进行晶种的着液工艺。在氧化硅玻璃坩埚内填充原料之前测量氧化硅玻璃坩埚的内表面上的多个点的空间坐标，根据将各测量点作为顶点坐标的多角形组合来特定氧化...

本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法，包括下述步骤：通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值，其中，分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小，分析...

本发明提供能非破坏性地测量坩埚的内表面的三维形状的氧化硅玻璃坩埚的评价方法。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚的评价方法包括以下工序：通过使内部测距部非接触地沿着氧化硅玻璃坩埚的内表面移动，在移动路径上的多个测量点，从内部测距部对所述坩埚的内表...

通过旋转模具法制造相对于设计数据的三维形状的匹配度高的氧化硅玻璃坩埚。在基于最初的物性参数得到的模拟数据以及测定数据的三维形状的匹配度低于规定的水平的情况下，设定该匹配度达到规定的水平以上的改善物性参数。另外，在基于最初的制造条件得到的...

本发明有效地抑制氧化硅玻璃坩埚的压曲以及侧壁部向坩埚内部的翻倒。另外，抑制在硅单晶上发生位错，从而提高单晶收率。提供一种用于单晶硅的提拉的氧化硅玻璃坩埚，其具备：具有上面开口的边缘部的圆筒状的侧壁部、由曲线构成的研钵状的底部、和连接侧壁...

本发明提供不污染坩埚的内表面而使坩埚的内表面的三维形状的测量成为可能的氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法。根据本发明，提供氧化硅玻璃坩埚的三维形状测量方法，该方法具备：使氧化硅玻璃坩埚的内表面产生雾的工序；以及通过对所述内表面照射光，并检...

本发明有效抑制氧化硅玻璃坩埚12的压曲或者向侧壁部15的坩埚内部的翻倒。提供一种氧化硅玻璃坩埚12，其具备：具有上面开口的边缘部的圆筒状的侧壁部15、由曲线构成的研钵状的底部16、和连接侧壁部15和底部16的弯曲部17。该氧化硅玻璃坩埚...

将离子注入后、贴合、通过热处理而剥离后的贴合衬底的活性层表面采用有蚀刻作用的溶液只蚀刻１ｎｍ～１μｍ，使最终的活性层厚度为２００ｎｍ以下。使用ＳＣ－１液体。在蚀刻前后也可以实施抛光、氢退火、牺牲氧化。能使将该薄膜活性层的膜厚在整个表面均...

通过以下步骤制造结合晶片：向有源层晶片中注入轻元素的离子至预定深度位置形成离子注入层，将该有源层晶片直接或通过不超过５０ｎｍ的绝缘膜与支撑衬底晶片结合，在离子注入层处剥离有源层晶片并减薄通过剥离暴露的有源层，从而形成具有预定厚度的有源层...

按照本发明的硅单晶的培育方法，由于通过使培育装置内的惰性气氛中的氢分压为４０Ｐａ～４００Ｐａ，以及将单晶直胴部培育成不存在Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ缺陷的无缺陷区域，制造采用ＣＺ法的硅单晶，故可容易截取整个面不存在Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ缺陷，系由无缺陷...

按照本发明的硅单晶的制造方法，由于通过用ＣＺ法培育由不存在Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ缺陷的无缺陷区域构成的硅单晶，将含氢原子的物质的气体添加于培育装置内的气氛气体中，以及向结晶内掺氮或／和碳，以此制造硅单晶，故可截取整个面不存在Ｇｒｏｗｎ－ｉｎ缺...

本发明提供能够获得晶轴方位为［１１０］的硅片、且位错被完全除去的电阻率低的硅单晶的制造方法以及由通过该方法获得的硅单晶制造晶轴方位为［１１０］的低电阻硅片的方法。为利用ＣＺ法的硅单晶制造方法，在作为掺杂剂添加有硼且其浓度达到６．２５×１...

该半导体单晶制造装置具有坩锅、加热器、坩锅驱动装置、容纳所述坩锅和加热器的腔、以及向所述坩锅内供给混合有含有氢原子的含氢气体和惰性气体的混氢气体的混氢气体供给装置，所述混氢气体供给装置具备含氢气体供给机、惰性气体供给机、含氢气体流量控制...