等离子处理装置具备：具备载置半导体晶片的载置面的样品台；具备包围样品台配置的环状的薄膜电极的电介质制环；和覆盖薄膜电极的电介质制的基座环，薄膜电极包含：位于比半导体晶片的背面低的位置的第1部分；位于比半导体晶片的主面高的位置的第2部分；...

本发明的目的在于提供一种减少手动清扫探针的频度、提高了分析效率的自动分析装置及探针的清洗方法。为此，本发明的自动分析装置包括分注液体的探针和检测所述探针的堵塞的堵塞检测部，该自动分析装置在所述堵塞检测部检测到所述探针的堵塞时，利用经调温...

本发明目的在于，提供探测仅凭借从俯视图得到的平面的尺寸数据得不到的形状不良状况、准确地进行蚀刻参数的控制的技术。为此，本发明的服务器基于形成于试样的蚀刻形状的特征量和目标值的变化量、与半导体制造装置的蚀刻参数的相关数据来进行蚀刻参数的控...

本发明为了提供通过抑制等离子蚀刻处理中的带电异物对样品的附着从而能够实现异物减少的等离子处理方法，提供如下等离子处理方法，具有：等离子处理室，使用等离子对样品进行处理；高频电源，供给用于生成所述等离子的高频电力；静电吸附电极，对所述样品...

本发明的目的在于提供一种用户容易掌握有寿命部件的当前的使用状况、更换时期的自动分析装置。为此，本发明是一种自动分析装置，其对检体中的分析对象进行分析，所述自动分析装置具备：有寿命部件，其用于进行分析；控制部，其预测所述有寿命部件的剩余寿...

在本发明的具备水冷式的试剂冷藏库的自动分析装置中，也能通过使外部空气在排出到内部空间前高效地冷却、干燥，从而抑制在不希望的场所发生结露。在具备冷藏试剂的试剂冷藏库的自动分析装置中，所述试剂冷藏库具有：冷却水流路，该冷却水流路将冷却水提供...

多联分注机（100）具备：多个注射器（103），其由柱塞（101）和壳体（102）构成；驱动马达（104），其驱动至少一个柱塞（101）；前端部（106），其安装分注吸头（105）；以及管（107A、107B），其连接注射器（103）和...

本发明包括：从稀释液收纳瓶(1032)、内部标准液收纳瓶(1042)到稀释槽(1010)的稀释液流路(1033)、内部标准液流路(1043)；从稀释槽(1010)到分析部(1092)的测定溶液吸引喷嘴(1052)；对稀释槽(1010)、...

本发明提供一种缺陷检查系统以及缺陷检查方法，能够获得再现性良好的检查结果。缺陷检查系统(1)是具有取得试样(107)的观察图像的拍摄装置(100)的缺陷检查系统(1)，具备：学习部(330a)，其拍摄试样(107)来取得学习图像，使用学...

具备：分析部(40)，其进行检体的分析；以及控制装置(20)，其控制分析部(40)的各机构的动作，控制装置(20)根据在受理了检体或者检体的分析所需的消耗品的更换请求的时间点制作的分析时间表中最后使用该检体或者消耗品的时间，计算使用者在...

本发明提供一种降低用户的校准的作业负担的自动分析装置，具有：分析部，其对包含特定成分的浓度已知的标准液的试样进行分析；操作部，其按所述标准液将测定项目、已知浓度和设置场所关联起来进行指定；控制部，其使用所述标准液的已知浓度和所述标准液的...

本发明中，目的在于提供能够由保养作业的作业者提示有益的信息的技术。本发明的保养作业分析系统之一是分析半导体制造装置的保养作业中的作业动作的保养作业分析系统，具有：信息取得部，取得包含表示进行所述保养作业的作业者的活动的活动信息的作业信息...

为了提供一种能够兼顾图案倾倒的抑制和垂直的加工形状的等离子处理方法，在使用含碳膜的掩模和无机膜的掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法中，具有：第一步骤，使用所述含碳膜的掩模和所述无机膜的掩模对所述被蚀刻膜进行等离子蚀刻；第二步骤...

本发明提供一种能够避免因光源通电开始而产生的伴随温度变化的光量漂移，缩短稳定化等待时间的自动分析装置。自动分析装置(50)包括：光源(39)，其对收纳试料和试剂的混合液的反应容器(2)照射用于测定试料的光；调温机构(27)，其利用调温介...

本发明提供能够抑制放射线对拍摄装置的影响的放射线治疗装置。X射线拍摄装置具有对患者（6）照射作为拍摄用的光的X射线的X射线管（7）和经由患者（6）检测X射线的FPD（2）。X射线管（7）及FPD（2）配置于从将来自照射喷嘴（1）的放射线...

提高使用电热器件的容器保管装置的冷却性能。该容器保管装置具有：保管部，其对容纳液体的容器进行保管；以及冷却部，其对从所述保管部吸引的空气进行冷却，并将冷却后的空气供给所述保管部，所述冷却部具备：多个翅片，其沿着所述空气的流动配置；以及电...

本发明提供一种能够进行定量检查的点变异比率检测方法。本发明的点变异比率检测方法用于多重连接探针扩增MLPA测量，其具有：测量工序，使用电泳装置，测量从试样的变异部分发出的荧光信号即源自变异信号的强度S<subgt;MT</s...

在晶片外周部，将微波电场强度的周向偏差最小化，从而改善等离子处理的周向均匀性。等离子处理装置在同轴上将TE11模的微波经由圆形波导管导入处理室，在该等离子处理装置中，从圆形波导管内的上方起设置微波的90°相位差板，在其下方设置180°相...

蚀刻处理方法和蚀刻处理装置，具有如下工序：向真空容器(11)内部的处理室(7)内的晶圆载物台(9)上所载置的晶圆(8)供给氧自由基或臭氧，在SiCO膜(1)的表面形成氧化层(5)的工序；使等离子体发生而由含有CF<subgt;4&...

在等离子处理装置用构件的基材(52)上使用悬浮等离子热喷涂法来形成被膜(53)。悬浮等离子热喷涂中所用的悬浮液(63)包含含氟溶媒(61)、多个氟化钇粒子和多个氟氧化钇粒子。