本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于干法刻蚀的纳米压印光刻胶及其制备方法和应用，包括：胶体基体80%‑99.5%;含有不饱和双键的有机金属化合物0.5%‑20%；所述含有不饱和双键的有机金属化合物在光固化过程中，其不饱和双键可与...