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中山市格兰特实业有限公司火炬分公司专利技术
中山市格兰特实业有限公司火炬分公司共有15项专利
一种磁控溅射可钢化单银LOW-E 玻璃制造技术
本实用新型公开了一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为CrNx层,第四层为ZnO层,第...
一种双银可钢化LOW-E玻璃制造技术
本实用新型公开了一种双银可钢化LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十一个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为NiCrO2层,第四层为TiO2层,第五层...
一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃制造技术
本发明公开了一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有十三个膜层,其中第一膜层即最内层为SiO2层,第二层为TiO2层,第三层为CrNx层,第四层为ZnO层,第五层...
一种单银可钢化LOW-E玻璃制造技术
本实用新型公开了一种单银可钢化LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为NiCrO层,第四层为TiO2层,第五层为A...
一种可钢化双银LOW-E镀膜玻璃制造技术
本实用新型公开了一种可钢化双银LOW-E镀膜玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为ZnAlOx层,第四层为Ag层,第五层为...
三银LOW-E镀膜玻璃制造技术
本实用新型公开了一种三银LOW-E镀膜玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十二个膜层,第一膜层即最内层为SiAlOx层,第二膜层为SnO层,第三膜层为Ag层,第四膜层为ZnO层,第五膜层为SnO层,第六膜层...
一种具有可见光响应的磁控溅射自清洁玻璃及制备方法技术
本发明公开了一种具有可见光响应的磁控溅射自清洁玻璃,其特征在于:通过磁控溅射法在玻璃表面镀有达到在可见光下具有自清洁功能的功能薄膜,所述的功能薄膜为改性纳米二氧化钛薄膜。本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种透过率高,镀膜层与玻璃基...
单银 LOW-E玻璃制造技术
本发明公开了一种单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有七个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为NiCrO层,第四层为TiO2层,第五层为Ag层,第六...
双银 LOW-E玻璃制造技术
本发明公开了一种双银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十一个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为NiCrO2层,第四层为TiO2层,第五层为Ag层,...
一种磁控溅射可钢化单银LOW-E 玻璃及制备该玻璃的方法技术
本发明公开了一种磁控溅射可钢化单银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有九个膜层,其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为CrNx层,第四层为ZnO层,第五层...
一种磁控溅射可钢化双银LOW-E 玻璃及制备该玻璃的方法技术
本发明公开了一种磁控溅射可钢化双银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,其特征在于:在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地磁控溅射有十三个膜层,其中第一膜层即最内层为SiO2层,第二层为TiO2层,第三层为CrNx层,第四层为ZnO层,第五层...
一种4-6mm 的LOW-E 玻璃的钢化加工方法技术
本发明公开了一种4-6mm的LOW-E玻璃的钢化加工方法,其步骤如下:①预热:温度为450℃~500℃,LOW-E玻璃在预热区域反复来回行走,速度为1.5-2m/s,②高温加热:温度为650℃~690℃,LOW-E玻璃在高温加热区域反复...
三银LOW-E 玻璃制造技术
本发明公开了一种三银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有十二个膜层,第一膜层即最内层为SiAlOx层,第二膜层为SnO层,第三膜层为Ag层,第四膜层为ZnO层,第五膜层为SnO层,第六膜层为Ag层...
一种低辐射可钢化双银LOW-E玻璃制造技术
本发明公开了一种低辐射可钢化双银LOW-E玻璃,包括有玻璃基片,在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层,其特征在于:其中第一膜层即最内层为Si3N4层,第二层为TiO2层,第三层为ZnAlOx层,第四层为Ag层,第五层为T...
一种氮化铝的制备方法技术
本发明公开了一种氮化铝的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a)衬底清洗;b)衬底除气;c)衬底氮化;d)氮化铝成核层生长;e)氮化铝外延层生长。本发明目的是克服了现有技术的不足,提供一种工艺简单,污染少,环保节能,成本低的氮化铝的制备方法。
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