一种沟槽型功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决栅极总线的存在导致器件制造成本提高并增加寄生栅电容的问题，本发明的提供如下的技术方案：在沟槽起始段上方的层间介质层中设栅极接触孔，沟槽内的栅极导电材料通过栅极接触孔...

一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明提供一种新型RC‑IGBT的器件结构及其制造方法，以在有效抑制器件的开启电压折回现象(snap back)的基础...

一种功率半导体器件及其制备方法，为了进一步提高屏蔽栅沟槽型场效应管的开关速度以及降低开关损耗，本发明提供一种制作工艺简单的屏蔽栅沟槽型场效应管器件结构及其制造方法，通过先后不同的步骤分别形成栅氧化层以及极间隔离介质层，使得形成的极间隔离...

一种功率半导体MOS器件及其制备方法，为提供一种维持足够高的阈值电压的基础上，降低器件的沟道电阻和导通损耗的半导体器件，本发明提供一种如下的技术方案：在P型体区内设有N型沟道埋层，并将栅介质层分为与P型体区和漂移区接触的可发生电子隧穿效...

一种逆导型绝缘栅双极性晶体管，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明提供一种设计方案：通过优化RC‑IGBT器件背面n

一种绝缘栅双极性晶体管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决在不影响IGBT其他性能指标的基础上减小IGBT制造过程中因沟槽应力导致的晶圆翘曲问题，本发明提供一种如下的技术方案：对器件沟槽排布的密度和区域进行优化设计。本发...

一种具有新型终端结构的功率半导体器件，本发明涉及一种半导体器件，为提供一种具有高耐压能力、高外来电荷耐受能力、低漏电流、高动态开关响应速度并且易于加工制造的半导体器件，本发明提供一种具有条形螺旋形高阻场板的新型终端结构的半导体器件，通过...

一种功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决源极接触孔与栅极沟槽之间的光刻对准精度限制了器件的沟道密度，以及沟槽填充过程中易在填充材料内部产生空洞的问题，本发明提供的新型沟槽型场效应管，源极沟槽(源极接触孔)的刻蚀...

一种绝缘栅双极性晶体管结构及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术IGBT器件中存在的问题，需要提供一种在不增加器件制造难度及成本的基础上降低其导通压降Von的器件结构设计方案。一种绝缘栅双极性晶体管结构，所述的晶体管结构...

一种功率半导体器件，本发明涉及一种功率半导体器件，特别是功率场效应管(Power MOSFET)的设计。为解决现有技术的屏蔽栅极沟槽型场效应管所存在的器件导电面积浪费的问题，本发明提供的功率半导体器件，内设第一类有源沟槽和第二类有源沟槽...

一种IGBT器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为提供一种在不折损IGBT其他各项性能指标（如正向导通压降Von，开关速度，负载短路能力等）的基础上，提升其雪崩耐量的器件结构设计方案，本发明提出一种新型IGBT器件结构及其制备...

一种高压VDMOS结构及其制备方法，本发明属于功率半导体器件技术领域，为缓解高压VDMOS器件中耐压与比导通电阻之间的矛盾关系，本发明的提供一种如下的技术方案：一种高压VDMOS结构，所述的VDMOS结构包括有漏极电极、栅极电极和源极电...