中科苏州微电子产业技术研究院专利技术

中科苏州微电子产业技术研究院共有16项专利

  • 本发明公开了一种光电开关线路板检测工装,包括安装底座,所述安装底座顶部设置有横向移动组件,所述安装底座顶部通过横向移动组件设置有连接架,所述安装架的上方设置有限位组件,所述连接架的前侧设置有竖向移动组件,所述安装底座的顶部通过竖向移动组...
  • 本发明公开了一种石墨烯导电的高电子迁移率晶体管逻辑电路及其制备方法,它包括绝缘衬底、形成在所述绝缘衬底任一表面上的金刚石buffer层以及形成在所述金刚石buffer层另一表面上的第一栅极、电源电级和输出电极,它还包括:石墨烯层,所述石...
  • 本发明公开了一种基于金刚石的横向JFET器件及其制造方法,它由下至上依次包括由金刚石形成的体电极、衬底,形成于所述衬底上端面上且位于其上端面中间段的沟道区、分别形成于所述衬底上端面上且位于其上端面两端部的源极和漏极、分别形成于所述源极和...
  • 本发明公开了一种基于金刚石的横向HEMT器件及其制造方法,它由下至上依次包括不惨杂绝缘衬底、buffer层、AL
  • 本发明公开了一种基于金刚石的PIN二极管及其制作方法,它包括:N型欧姆电极,N重掺杂半导体传输层,所述N重掺杂半导体传输层形成在所述N型欧姆电极的任一表面上;P型SiC轻掺杂半导体传输层,所述P型SiC轻掺杂半导体传输层形成在所述N重掺...
  • 本发明公开了一种基于金刚石的JBS二极管及其制作方法,它包括:N型重掺杂衬底;N型外延层,所述N型外延层形成在所述N型重掺杂衬底的任一表面上;N型重掺杂外延层,所述N型重掺杂外延层嵌入所述N型外延层且背离所述N型重掺杂衬底;P型重掺杂外...
  • 本发明公开了一种通用多接口转换器及数据处理方法,其包括:双端口RAM模块;USB收发器,用于接收上位机数据及上传指定接口数据;转换控制模块,用于接收上位机控制指令并完成相应接口参数配置;UART收发器,用于与外部串口设备通信;I2C收发...
  • 本发明公开了一种BTI模型框架下的模型参数提取方法,它包括以下步骤:a.提取半导体器件时间加速因子上限和下限;b.利用PSO算法对时间加速因子上限和下限进行优化;c.得到优化后的时间加速因子上限和下限。采用了交叉优化的方法,提高新的BT...
  • 本发明公开了一种柔性光学器件及其制备方法、调制方法与应用,柔性光学器件,包括多层结构层,每个所述结构层包括多个按取向排布的光学单元,其特征在于,所述结构层中具有两个所述结构层的光学单元的相态不同,本申请通过控制多层组装结构取向方向的夹角...
  • 本发明公开了一种光频梳形状数据采集装置及光频梳形状调节方法,装置包括:用于产生的光波并将光波分为若干路分光波的可调谐激光源,若干用于接收各路所述分光波且与所述可调谐激光源相连接的调制部,用于调节各个所述调制部子载波数目且与各个所述调制部...
  • 本发明公开了一种基于基因算法的楼宇能耗控制方法及装置,方法包括:预计平均热感觉指数PMV的计算,分析空调冷负荷的构成及计算方法,分析空调能耗比,从而构建优化PMV与空调能耗的综合指标的目标函数;并将目标函数带入基因算法分析综合指标的全局...
  • 本发明提出了一种数据采集芯片的扩展控制方法及系统,涉及数据采集领域。一种数据采集芯片的扩展控制方法包括:对数据采集芯片所采集的数据量和/或数据信道使用数量进行实时识别和判断;当判断为数据采集芯片的数据存储量或者数据信道使用数量达到了设置...
  • 本发明提出了一种基于微电子芯片数据划分的数据采集方法及系统,涉及数据采集领域。该基于微电子芯片数据划分的数据采集方法通过获取多个采集设备信息;然后根据多个采集设备信息在预置的设备库中进行匹配,得到各个对应采集设备支持的数据类型信息;然后...
  • 本发明涉及一种基于人工智能的楼宇能耗控制方法及装置,方法包括以下步骤:a.采集楼宇内各个区域内的环境和设备信息以及能耗数据;b.根据环境和设备信息以及能耗数据建立环境、设备信息和能耗的关系的初始补缺模型;c.继续采集楼宇内各个区域内的环...
  • 本发明涉及一种基于相空间重构的电子元器件的故障判断方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:获取按电子元器件编号排列的多项参数测试数据的矩阵;将测试数据按照某一自变量参数进行排序,对其他所有参数列按照时间延迟嵌入法绘制二维或三位相空间轨...
  • 本发明涉及一种多路信号同步方法、系统、电子设备及计算机可读存储介质,方法包括以下步骤:a.采集DAC的并行多路信号,依据多路效应产生具有不同特征的频谱;b.将特征的频谱信息用小波变换进行处理,得到二维矩阵作为信号特征;c.通过卷积神经网...
1